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1MBI400HH-120L-50
IGBT模块
1200V / 400A / 1在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
DB变频器用于电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器（ DB ）
主动式PFC
工控机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
I
C
条件
连续
1ms
1ms
1设备
连续
1ms
集电极电流
I
cp
-I
C
-I
C
时脉
P
C
V
R
I
F
I
F脉冲
T
j
T
英镑
T
C
=25°C
T
C
=80°C
T
C
=25°C
T
C
=80°C
集电极耗散功率
反向电压为FWD
前页电流FWD
结温
储存温度
终端和铜基底之间（* 1）
V
ISO
隔离电压
热敏电阻与其他人之间（* 2）
安装（* 3）
-
螺杆转矩
端子（ * 4 ）
最大额定值
1200
±20
600
400
1200
800
75
150
2500
1200
400
800
+150
-40到+125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
A
W
V
A
°C
VAC
Nm
AC： 1分钟。
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：两个热敏电阻端子应该连接在一起，彼此终端应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
注* 3 ：值得推荐值：安装2.5 3.5米（ M5或M6 ）
注* 4 ：值得推荐值：终端3.5 4.5米（ M6 ）
1
1MBI400HH-120L-50
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
IGBT +逆二极管
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
I
R
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
R
B
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IGBT模块
条件
V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
V
GE
=±20V
V
CE
= 20V
I
C
= 400毫安
I
C
= 400A
V
GE
=15V
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
I
C
= 400A
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.6 Ω
L
S
= 20nH
I
F
= 75A
V
GE
=0V
V
CE
= 1200V
I
F
= 400A
V
GE
=0V
I
F
= 400A
中T = 25℃
T = 125°C
T =五十〇分之二十五℃，
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
5.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
465
3305
-
-
6.2
3.30
4.30
3.10
4.00
35
0.20
0.10
0.30
0.40
0.05
1.80
1.95
1.70
1.85
-
8.20
4.50
8.00
4.30
-
0.48
5000
495
3375
4.0
800
6.7
3.60
-
3.40
-
-
0.60
0.50
-
0.70
0.20
2.30
-
2.15
-
1.0
9.80
-
9.60
-
0.20
-
-
520
3450
单位
mA
nA
V
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
V
nF
μs
正向电压上
反向电流
FWD
正向电压上
V
mA
V
μs
mΩ
Ω
K
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片（ * 5）
热敏电阻
阻力
B值
注* 5 ：臂之间的最大内部终端电阻。
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
条件
IGBT
逆二极管
FWD
用导热膏（ * 6 ）
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
0.036
-
-
0.460
-
-
0.084
-
-
-
-
0.0125
单位
° C / W
注* 6：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
2
1MBI400HH-120L-50
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
1000
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
8
8V
15V 12V
10V
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 125°C /片
1000
15V 12V
V
GE
=20V
10V
集电极电流：我
C
[ A ]
V
GE
=20V
集电极电流：我
C
[A ]
800
600
400
8V
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
8
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
1000
T
j
=25°C
T
j
=125°C
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
集电极电流：我
C
[ A ]
800
8
600
6
I
C
=800A
I
C
=400A
I
C
=200A
400
4
200
2
0
0
1
2
3
4
5
6
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
7
0
5
10
15
20
栅极 - 发射极电压： V
GE
[ V ]
动态栅极电荷（典型值）
V
CC
= 600V ，我
C
= 400A ，T
j
=25
o
C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ 200V / DIV ]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[ 5V / DIV ]
25
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的，T
j
=25°C
100.0
电容：C
IES
, C
OES
, C
水库
[ nF的]
C
IES
10.0
C
OES
V
CE
V
GE
1.0
C
水库
0.1
0
10
20
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
30
0
200
400
600
800
栅极电荷：Q
g
[ NC ]
1000
1200
3
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IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.6, T
j
=25
o
C
1000
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
t
关闭
t
on
开关时间与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.6, T
j
=125
o
C
1000
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
t
关闭
t
on
t
r
100
t
r
t
f
100
t
f
10
0
100
200
300
400
集电极电流：我
C
[ A ]
500
10
0
100
200
300
400
集电极电流：我
C
[ A ]
500
开关时间与栅极电阻（典型值）。
V
CC
= 600V ，我
C
= 400A ，V
GE
= ± 15V ，T
j
=25
o
C
10000
开关损耗：电子
on
, E
关闭
, E
rr
[兆焦耳/脉冲]
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
28
24
20
16
12
8
4
0
0
开关损耗与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.6
E
关闭
(125°C)
E
关闭
(25°C)
1000
t
关闭
t
on
t
r
E
rr
(125°C)
E
on
(125°C)
E
rr
(25°C)
E
on
(25°C)
100
t
f
10
1
10
栅极电阻，R
G
[ ]
100
100
200
300
400
集电极电流：我
C
[ A ]
500
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
V
CC
= 600V ，我
C
= 400A ，V
GE
= ± 15V ，T
j
=125
o
C
80
开关损耗：电子
on
, E
关闭
, E
rr
[兆焦耳/脉冲]
E
on
反向偏压安全工作区（最大）
+V
GE
=15V, -V
GE
< = 15V ，R
G
> = 1.6Ω ，T
j
< = 125
o
C
1000
集电极电流：我
C
[ A ]
100
60
E
关闭
800
600
40
400
20
E
rr
200
0
1
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
1600
10
栅极电阻，R
G
[ ]
4
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IGBT模块
正向电流与正向电压的逆二极管（ TYP。）
芯片
800
反向恢复电流：I
rr
[ A ]
反向恢复时间：吨
rr
[纳秒]
FWD
1000
反向恢复特性（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.6
FWD
正向电流：我
F
[ A ]
600
T
j
=125°C
T
j
=25°C
I
rr
(125°C)
I
rr
(25°C)
400
100
t
rr
(125°C)
t
rr
(25°C)
200
0
0
2
4
6
8
正向电压： V
F
[ V ]
10
10
0
100
200
300
400
正向电流：我
F
[ A ]
500
逆二极管
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
200
热电阻值：R
日（J -C ）
[
o
C / W]
1.00
瞬态热阻抗（最大）
逆二极管
正向电流：我
F
[ A ]
150
T
j
=25°C
T
j
=125°C
0.10
FWD
100
IGBT
0.01
50
0
0
1
2
3
正向电压： V
F
[ V ]
4
0.00
0.001
0.010
0.100
脉冲宽度：P
w
[秒]
1.000
热敏电阻
温度特性（典型值）。
100
电阻值：R [ kΩ的]
10
1
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
温度[° C]
5
QQ：2881677436 复制
