富士分立IGBT封装
n
特点
广场RBSOA
低饱和电压
少总功率耗散
最小化内部杂散电感
n
外形绘图
n
应用
高功率开关
交流电机控制
直流电动机的控制
不间断电源
n
最大额定值和特性
绝对最大额定值
( T
c
=25°C
)
项
符号
集电极 - 发射极电压
V
CES
门发射极电压
V
GES
DC牛逼
c
= 25°C
I
C 25
集电极电流
DC牛逼
c
=100°C
I
C 100
1毫秒T
c
= 25°C
I
-C脉冲
IGBT最大。功耗
P
C
FWD最大。功耗
P
C
工作温度
T
j
储存温度
T
英镑
n
等效电路
评级
600
±
20
13
5
52
50
25
+150
-40
+125
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
电气特性
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
（在T
j
=25°C )
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
ON
t
r
t
关闭
t
f
t
ON
t
r
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
测试条件
V
GE
=0V V
CE
=600V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
= 20V我
C
=5mA
V
GE
= 15V我
C
=5A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
C
=5A
V
GE
=±15V
R
G
=330
V
CC
=300V
I
C
=5A
V
GE
=+15V
R
G
=33
I
F
= 5A V
GE
=0V
I
F
=5A,
V
GE
= -10V ，的di / dt = 100A / μs的
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
20
8.5
3.0
单位
mA
A
V
pF
1.2
0.6
1.0
0.35
0.16
0.11
0.30
0.35
3.0
300
5.5
400
85
15
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
二极管正向导通电压
反向恢复时间
s
s
V
ns
热特性
项
热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
测试条件
IGBT
二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
2.50
5.00
单位
° C / W
反向偏置安全工作区
+ V
GE
= 1 5 V , - V
GE
<1 5 V ，T
j
<1 2 5 ° C，R
G
>33
12
80
典型短路能力
V
CC
= 4 0 0 V ，R
G
= 33
, T
j
= 1 2 5 ° C
80
10
t
SC
I
SC
[A]
[A]
8
SC
短路电流：我
集电极电流：我
6
40
40
4
20
20
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
[V]
栅极电压： V
GE
0
25
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
反向恢复特性对比
正向电压与正向电流
12
T
j
= 1 2 5 ° C 2 5 °C
200
I
rr
I
F
= 5 A，T
j
= 1 2 5 ° C
- 二
/
dt
8
[纳秒]
10
150
6
[A]
6
100
4
4
50
t
rr
0
2
2
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0
100
200
- 二
300
[A /微秒]
400
0
500
正向电压： V
F
[V]
/
dt
瞬态热阻
热阻： Rth的（J -C ） [℃ / W]
10
1
FWD
10
0
IGBT
10
-1
10
-2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
P ü升发E W I 吨H：P
W
[秒]
P.O.盒702708达拉斯， TX 75370电话：（972 ） 233-1589传真：（ 972 ） 233-0481 www.collmer.com
反向恢复电流：I
8
反向恢复时间：吨
正向电流：我
F
rr
rr
[A]
短路时间：吨
SC
C
[s]
60
60
1MBC05-060,1MBC05D-060,
1MBG05D-060
600V / 5A
模压封装
特点
·小型模压封装
低功耗
·软交换具有低开关浪涌和噪声
·高可靠性，高耐用性（ RBSOA ， SCSOA等）
·全面的阵容
IGBT模
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
1MBC05-060 / IGBT
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集热器
DC
当前
Tc=25°C
Tc=100°C
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C100
ICP
P
C
T
j
T
英镑
-
等级
600
±20
13
5
52
50
+150
-40到+150
40
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
N·m的
等效电路示意
IGBT
C：收藏家
1ms
Tc=25°C
马克斯。功率耗散（IGBT）
工作温度
储存温度
螺杆转矩
G：门
E：发射器
1MBC05D -060 ， 1MBG05D - 060 / IGBT + FWD
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集热器
当前
DC
1ms
Tc=25°C
Tc=100°C
Tc=25°C
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C100
ICP
P
C
P
C
T
j
T
英镑
-
等级
600
±20
13
5
52
50
25
+150
-40到+150
40
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
N·m的
IGBT + FWD
C：收藏家
马克斯。功率耗散（IGBT）
马克斯。功耗（ FWD ）
工作温度
储存温度
螺杆转矩
G：门
E：发射器
1MBC05-060 ， 1MBC05D -060 ， 1MBG05D -060
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
1MBC05-060 / IGBT
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
关闭
t
f
特征
分钟。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
400
85
15
–
–
–
–
马克斯。
1.0
20
8.5
3.0
–
–
–
1.2
0.6
1.0
0.35
V
GE
=0V, V
CE
=600V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=5mA
V
GE
= 15V ，我
C
=5A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
C
=5A
V
GE
=±15V
R
G
= 330欧姆
（半桥）
条件
IGBT模
单位
mA
A
V
V
pF
s
1MBC05D -060 ， 1MBG05D - 060 / IGBT + FWD
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
FWD正向电压
反向恢复时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
特征
分钟。
典型值。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
400
85
15
–
–
–
–
–
–
条件
马克斯。
1.0
20
8.5
3.0
–
–
–
1.2
0.6
1.0
0.35
3.0
0.3
V
GE
=0V, V
CE
=600V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=5mA
V
GE
= 15V ，我
C
=5A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
= 300V ，我
C
=5A
V
GE
=±15V
R
G
= 330欧姆
（半桥）
I
F
= 5A ，V
GE
=0V
I
F
= 5A ，V
GE
= -10V ，的di / dt = 100A / μs的
V
s
mA
A
V
V
pF
单位
s
热阻特性
1MBC05-060 / IGBT
项
热阻
符号
RTH （J -C ）
特征
分钟。
典型值。
–
–
条件
马克斯。
2.50
IGBT
° C / W
单位
1MBC05D -060 ， 1MBG05D - 060 / IGBT + FWD
项
热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
条件
马克斯。
2.50
5.00
IGBT
FWD
° C / W
° C / W
单位
外形图，毫米
1MBC05-060 ， 1MBC05D -060
TO-220AB
1MBG05D-060
牛逼包-S （ SMD型）
1MBC05-060 ， 1MBC05D -060 ， 1MBG05D -060
特征
1MBC05-060,1MBC05D-060,1MBG05D-060
集电极电流与集电极 - 发射极电压
Tj=25°C
10
IGBT模
集电极电流与集电极 - 发射极电压
Tj=125°C
8
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极与栅极 - 射极电压
Tj=25°C
10
10
集电极 - 发射极与栅极 - 射极电压
Tj=125°C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
8
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
8
6
6
4
4
2
2
0
0
5
10
15
20
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
0
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
开关时间与集电极电流
VCC = 300V ，R
G
= 330欧姆，V
GE
= ± 15V ， TJ = 25°C
1000
1000
开关时间与集电极电流
VCC = 300V ，R
G
= 330欧姆，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [N秒]
100
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [N秒]
100
10
0
2
4
集电极电流IC [ A]
6
8
10
集电极电流IC [ A]
IGBT模块
特征
1MBC05-060,1MBC05D-060,1MBG05D-060
开关时间与
G
VCC = 300V ， IC = 5A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 25°C
开关时间与
G
VCC = 300V ， IC = 5A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [N秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [N秒]
1000
1000
100
100
10
0
500
1000
1500
2000
2500
栅极电阻，R
G
[欧]
10
0
500
1000
1500
2000
2500
栅极电阻，R
G
[欧]
动态输入特性
500
电容与集电极 - 发射极电压
25
1000
Tj=25°C
Tj=25°C
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
400
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
20
300
15
200
10
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
100
10
100
5
0
0
5
10
15
20
栅极电荷：的Qg [ NC ]
25
30
0
1
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
30
35
反向偏置安全工作区
＆ LT ;
+V
GE
=15V, -V
GE
= 15V ， TJ < 125 ° C，R
G
> 330欧姆
=
=
12
80
典型短路能力
VCC = 400V ，R
G
= 330欧姆， TJ = 125°C
80
10
短路电流的时间：短路电流[ A]
60
60
集电极电流IC [ A]
8
6
40
40
4
20
2
20
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
0
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
短路时间： TSC [微秒]
IGBT模块
特征
1MBC05-060,1MBC05D-060,1MBG05D-060
瞬态热阻
热电阻值：R
日（J -C ）
[℃ / W]
10
-4
10
-3
10
-2
脉冲宽度：P
W
[秒]
10
-1
10
0
1MBC05D-060,1MBG05D-060
反向恢复时间与正向电流
500
-di / DT = 15A /
微秒
1.2
反向恢复电流与正向电流
-di / DT = 15A /
微秒
400
1.0
反向恢复时间： trr的[纳秒]
300
反向恢复电流： IRR [ A]
0.8
0.6
200
0.4
100
0.2
0
0
2
4
正向电流：我
F
[A]
6
8
0
正向电流：我
F
[A]
正向电流与电压Foeward
反向恢复时间特性与-di / dt的
IF=5A
， TJ = 125°C
2.5
2.0
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1.5
正向电流：我
F
[A]
1.0
0.5
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
20
40
-di / dt的
60
[A /微秒]
80
100
正向电压： V
F
[V]
反向恢复电流： IRR [ A]
QQ：2880707522 复制
