【硅雪崩二极管1000W表面贴装型瞬态电压抑制器RoHS指令1KSMBJ系列表面的1KSMBJ范围内安】,IC型号1KSMBJ7.5A,1KSMBJ7.5A PDF资料,1KSMBJ7.5A经销商,ic,电子元器件-51电子网

硅雪崩二极管

1000W表面贴装型瞬态电压抑制器

RoHS指令

1KSMBJ系列

表面的1KSMBJ范围内安装保护利用

在众多的Littelfuse使用成熟的玻璃钝化技术

产品组合。额定在1000瓦（ 10 ×1000微秒双

指数波形），该1KSMBJ填补留下的空白

在额定功率为600瓦和1500瓦特传统的类型，相适应

许多应用中，二者的功率处理和大小

最重要的。极快的导通时间（小于1皮秒

秒），再加上低钳位系数和低的导通状态

阻抗，使这个系列非常适用于当今的保护

电路。我们精心挑选的电压范围内已

选择满足用于汽车最佳的保护和

电信应用。

特点

符合RoHS

可在击穿电压从6.8V 。为160V ;

专为汽车应用

响应时间： 1x10-12

秒（理论值）

玻璃钝化结

提供高浪涌额定值在紧凑的封装：桥接

机械连接特定的阳离子：

重量：

案例：

终端：

可焊信息：

标记：

标准包装：

0.093克（约）

DO- 214AA外形模压塑料多

玻璃钝化结。 UL 94 V -0级

可焊到MIL- STD- 750方法2026

23℃下10秒

阴极带，设备代码标识

提供对3000件卷轴。胶带

宽度在12mm 。如下的要求

EIA 481-1

600W和1.5KW之间的差距

正向浪涌额定值：

100A 8.3ms单半正弦波

100％测试

工作温度： -55 ° C至+ 150°C

机构认证：

在组件程序识别

保险商实验室。

Agnecy文件编号：

E128662

订购信息

SMBJ

C A

电压

双向

5 ％的电压公差

磁带和缠绕（ 3000个）

270

W W瓦特升I T T E升F美即C 0米

硅雪崩二极管

1000W表面贴装型瞬态电压抑制器

RoHS指令

1KSMBJ系列

设备

CODE

反向

站在关

电压

（伏）

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

击穿

电压

（伏特） @

民

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.00

9.50

9.90

10.5

10.80

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

最大

7.46

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

IT （MA ）

10.0

1.0

最大

反向

泄漏

@ V

(A)

1000.0 (4)

500.0 (4)

200.0 (4)

50.0 (4)

10.0 (4)

5.0 (4)

5.0

最大

夹紧

电压

（伏）

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

最大

峰值脉冲

当前

电气规格@环境温度Tamb 25℃

部分

数

(A)

92.5

95.0

85.0

88.3

80.0

83.3

73.3

75.0

66.7

68.3

61.7

63.3

58.3

60.0

53.3

55.0

45.0

46.7

43.3

45.0

38.0

40.0

35.0

36.7

31.7

33.3

28.3

30.0

25.5

26.7

22.9

24.0

21.0

22.0

19.2

20.0

1KSMBJ

6.8

6.8A

7.5

7.5A

8.2

8.2A

9.1

9.1A

10A

11A

12A

13A

15A

16A

18A

20A

22A

24A

27A

30A

33A

36A

N10A

N10B

N10C

N10D

N10E

N10F

N10G

N10H

N10I

N10J

N10K

N10L

N10M

N10N

N10O

N10P

N10Q

N10R

N10S

N10T

N10U

N10V

N10W

N10X

N10Y

N10Z

O10A

O10B

O10C

O10D

O10E

O10F

O10G

O10H

O10I

O10J

硅二极管

阵列

271

注意事项：

所有测试均在环境温度Tamb = 25°C （ +/- 3C）进行

bv的是使用20毫秒或更小的脉冲来测量

铱被用于双向器件只与VR等于或小于10伏一倍

峰值脉冲电流是引用@ 10/1000

微秒

所有参数都表示所测试的场效应管测试仪型号3400

设备是单向的。 Vf的未指定。

W W瓦特升I T T E升F美即C 0米

硅雪崩二极管

1000W表面贴装型瞬态电压抑制器

RoHS指令

1KSMBJ系列

设备

CODE

反向

站在关

电压

（伏）

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102.0

105.0

111.0

121.0

128.0

130.0

136.0

击穿

电压

（伏特） @

民

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105.0

108.0

114.0

117.0

124.0

135.0

143.0

144.0

152.0

最大

42.9

41.0

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.6

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100.0

95.5

110.0

105.0

121.0

116.0

132.0

126.0

143.0

137.0

165.0

158.0

176.0

168.0

IT （MA ）

1.0

最大

反向

泄漏

@ V

(A)

5.0

最大

夹紧

电压

（伏）

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

108.0

103.0

118.0

113.0

131.0

125.0

144.0

137.0

158.0

152.0

173.0

165.0

187.0

179.0

215.0

207.0

230.0

219.0

最大

峰值脉冲

当前

电气规格@环境温度Tamb 25℃

部分

数

(A)

17.5

18.7

16.0

16.8

14.8

15.5

13.7

14.3

12.3

13.0

11.3

11.8

10.2

10.8

9.2

9.7

8.5

8.8

7.5

8.0

7.0

7.3

6.3

6.6

5.8

6.1

5.3

5.6

4.7

4.8

4.3

4.6

1KSMBJ

39A

43A

47A

51A

56A

62A

68A

75A

82A

91A

100

100A

110

110A

120

120A

130

130A

150

150A

160

160A

O10K

O10L

O10M

O10N

O10O

O10P

O10Q

O10R

O10S

O10T

O10U

O10V

O10W

O10X

O10Y

O10Z

P10A

P10B

P10C

P10D

P10E

P10F

P10G

P10H

P10I

P10J

P10K

P10L

P10M

P10N

P10O

P10P

注意事项：

1.所有的测试是在环境温度Tamb = 25°C （ +/- 3C）进行

2. BV是使用20毫秒或更小的脉冲测量

3.铱是为双向设备只与VR等于或小于10伏一倍

4.峰值脉冲电流是引用@ 10/1000

微秒

5.所有参数都表示所测试的场效应管测试仪型号3400

6. Vf的，对于单向的设备，使用的是300微秒的方波脉冲测量@ IT = 50A

272

W W瓦特升I T T E升F美即C 0米

硅雪崩二极管

1000W表面贴装型瞬态电压抑制器

RoHS指令

1KSMBJ系列

硅二极管

阵列

2.16

2.74

2.16

2.26

焊盘

尺寸：mm

W W瓦特升I T T E升F美即C 0米

273