WTE
功率半导体
1H1 – 1H8
Pb
1.0A超快速二极管
特点
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
A
B
A
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例： R- 1 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 0.181克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
D
R-1
暗淡
民
最大
20.0
—
A
2.90
3.50
B
0.53
0.64
C
2.20
2.60
D
尺寸：mm
C
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
A
= 55°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
反向恢复时间（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
1H1
1H2
1H3
1H4
1H5
1H6
1H7
1H8
单位
50
35
100
70
200
140
300
210
1.0
400
280
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
英镑
50
20
1.0
30
1.3
5.0
100
75
15
-65到+125
-65到+150
1.7
A
V
A
nS
pF
°C
°C
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米
2.测量与IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。见图5 。
3.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
1H1 – 1H8
1 4
2006韩元鼎好电子
I
（AV）
，平均正向整流电流（A）
单相半波
负载电阻或电感
I
F
，正向电流（A）
1.00
10
T
j
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
0.75
1H1 - 1H4
1H5
1.0
0.50
0.1
1H6 - 1H8
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
30
脉冲宽度
8.3ms单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
100
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
20
C
j
，电容（pF ）
1H1 - 1H5
10
1H6 - 1H8
10
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3峰值正向浪涌电流
100
1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
t
rr
+0.5A
50
NI （无感）
10
NI
100
设备
下
TEST
(-)
脉冲
发电机
（注2 ）
0A
(+)
50V DC
约
-0.25A
(-)
1.0
NI
示波器
（注1 ）
(+)
注意事项：
1.上升时间= 7.0ns最大。输入阻抗= 1.0M
， 22pF的。
2.上升时间= 10ns的最大值。输入阻抗= 50
.
-1.0A
5 / 10ns的/厘米设定时基
图。 5反向恢复时间特性和测试电路
1H1 – 1H8
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
5mm
1Hx
阴极
1Hx
x
=极性带
=设备号
= 1 ，2，3 ，4，5 ，6，7或8个
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带：红色
阳极带：白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带盒&
磁带&卷轴
产品ID标签
150mm
检查孔
（两端）
330mm
255mm
75mm
体积
80±5mm
20mm
198mm
产品ID标签
84mm
包装
磁带&卷轴
磁带盒&
体积
卷筒直径/
箱尺寸（mm ）
330
255 x 75 x 150
198 x 84 x 20
QUANTITY
（ PCS）的
5,000
5,000
1,000
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
400 x 273 x 415
459 x 214 x 256
QUANTITY
（ PCS）的
25,000
50,000
50,000
约。总重量
（公斤）
9.0
20.0
18.5
注意：
1.纸卷轴，白色或灰色。芯材：塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
1H1 – 1H8
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
1H1-T3
1H1-TB
1H1
1H2-T3
1H2-TB
1H2
1H3-T3
1H3-TB
1H3
1H4-T3
1H4-TB
1H4
1H5-T3
1H5-TB
1H5
1H6-T3
1H6-TB
1H6
1H7-T3
1H7-TB
1H7
1H8-T3
1H8-TB
1H8
1.
2.
3.
套餐类型
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如， 1H1 - TB- LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
1H1 – 1H8
4 4
2006韩元鼎好电子
WTE
功率半导体
1H1 – 1H8
1.0A微型高效率整流
特点
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
A
B
A
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量： 0.181克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
D
R-1
暗淡
民
最大
A
20.0
—
B
2.00
3.50
C
0.53
0.64
D
2.20
2.60
尺寸：mm
C
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@T
A
= 55°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
反向恢复时间（注2 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
1H1
1H2
1H3
1H4
1H5
1H6
1H7
1H8
单位
50
35
100
70
200
140
300
210
1.0
400
280
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
英镑
50
20
1.0
30
1.3
5.0
100
75
15
-65到+125
-65到+150
1.7
A
V
A
nS
pF
°C
°C
*玻璃钝化形式可根据要求提供
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米
2.测量与IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。参见图1 。
3.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
1H1 – 1H8
1第3
2002韩元鼎好电子
I
（AV）
，平均正向整流电流（A）
单相半波
负载电阻或电感
I
F
，正向电流（A）
1.00
10
T
j
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
0.75
1H1 - 1H4
1H5
1.0
0.50
0.1
1H6 - 1H8
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
30
脉冲宽度
8.3ms单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
100
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
20
C
j
，电容（pF ）
1H1 - 1H5
10
1H6 - 1H8
10
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3峰值正向浪涌电流
100
1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型结电容
t
rr
+0.5A
50
NI （无感）
10
NI
100
设备
下
TEST
(-)
脉冲
发电机
（注2 ）
0A
(+)
50V DC
约
-0.25A
(-)
1.0
NI
示波器
（注1 ）
(+)
注意事项：
1.上升时间= 7.0ns最大。输入阻抗= 1.0M
， 22pF的。
2.上升时间= 10ns的最大值。输入阻抗= 50
.
-1.0A
5 / 10ns的/厘米设定时基
图。 5反向恢复时间特性和测试电路
1H1
–
1H8
2 3
2002
韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
1H1-T3
1H1-TB
1H1
1H2-T3
1H2-TB
1H2
1H3-T3
1H3-TB
1H3
1H4-T3
1H4-TB
1H4
1H5-T3
1H5-TB
1H5
1H6-T3
1H6-TB
1H6
1H7-T3
1H7-TB
1H7
1H8-T3
1H8-TB
1H8
套餐类型
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
R-1
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
1H1 – 1H8
3 3
QQ：2881677436 复制
