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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第616页 > 1EZ140D5
齐纳二极管
1W
产品型号
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
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1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
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1N4755A
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1N4759A
1N4760A
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1N4762A
1N4763A
1N4764A
-
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参考
额定齐纳电压最大。齐纳最大。膝关节阻抗最大。反向电流
阻抗
@ I
@I
ZK
@ V
R
ZT
@l
ZT
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
56.0
62.0
68.0
75.0
82.0
91.0
100.0
I
ZT
(MA )
76.0
69.0
64.0
58.0
53.0
49.0
45.0
41.0
37.0
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17.0
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3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
Z
ZT
()
10.0
10.0
9.0
9.0
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7.0
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110.0
125.0
150.0
175.0
200.0
250.0
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Z
ZK
()
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
I
ZK
(MA )
I
R
(A)
100.0
100.0
50.0
10.0
10.0
V
R
(V)
马克斯。
浪涌
当前
I
S
(MA )
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
114
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
马克斯。注册。
当前
@T
A
=50C
I
ZM
(MA )
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252
234
217
193
178
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100
91
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69
61
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50
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34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
工作温度: -55
o
C至150
o
C
概要
(最大英寸)
散装/卷
1.00
1.0
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1.00
1.00
1.00
1.00
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5.0
700
700
700
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750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
0.25
5.0
1.0
2.0
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4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
1000/5000
1W
产品型号
TZ100B
TZ110B
TZ115B
TZ120B
TZ130B
TZ135B
TZ140B
TZ150B
TZ160B
TZ170B
TZ180B
TZ190B
TZ200B
TZ240B
TZ270B
TZ300B
TZ330B
参考
齐纳
电压
@I
ZT
V
Z
(V)
马克斯。齐纳
阻抗
@l
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Z
ZT
()
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1100
1200
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2200
2500
3000
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TEST
当前
I
ZT
(MA )
膝关节
阻抗
@ l
ZK
Z
ZK
()
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8750
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9500
膝关节
当前
I
ZK
(MA )
马克斯。启示录
当前
@ V
R
I
R
(A)
反向
电压
V
R
(V)
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80
85
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100
105
110
120
130
140
150
160
180
200
220
240
马克斯。 FWD 。
电压
@ 25
o
3. C @ 1A
V
F
(V)
概要
(最大英寸)
散装/卷
Z100B
Z110B
Z115B
Z120B
Z130B
Z135B
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Z160B
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Z330B
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330
5.0
0.25
0.5
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1000/5000
1W
产品型号
1EZ110D5
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1EZ200D5
参考
额定齐纳
电压@升
ZT
V
Z
(V)
I
ZT
(MA )
2.3
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
马克斯。齐纳
阻抗
@l
ZT
Z
ZT
()
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马克斯。膝盖
阻抗@
ZK
l
Z
ZK
()
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8500
9000
9500
10000
I
ZK
(MA )
马克斯。齐纳
目前@
100
o
C
I
ZM
(MA )
8.3
8.0
6.9
6.5
5.7
5.4
5.2
4.9
4.7
4.6
马克斯。浪涌温度。 COEFF 。
齐纳二极管
当前
电压
I
S
(A)
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.10
0.10
0.10
0.10
αvz (% /℃)
概要
(最大英寸)
散装/卷
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
+0.095
1000/5000
0.25
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.100
由于上市(含"5"后缀) , 5 %的容差为V
Z
; 1 %的容差,使用"1"后缀,例如, "1EZ110D1" , 2 %的容差,使用"2"后缀,例如, "1EZ110D2" , 10 %的容差,使用"10"后缀,例如:
"1EZ110D10" ; 20 %的容差,不使用后缀,例如, "1EZ110D"
72
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
电话: ( 800 ) TAITRON ( 800 ) 247-2232 ( 661 ) 257-6060传真: ( 800 )大吉-FAX ( 661 ) 257-6415
齐纳二极管
1W
产品型号
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
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1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4755A
1N4756A
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1N4764A
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
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参考
额定齐纳电压最大。齐纳最大。膝关节阻抗最大。反向电流
阻抗
@ I
@I
ZK
@ V
R
ZT
@l
ZT
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
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51.0
56.0
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82.0
91.0
100.0
I
ZT
(MA )
76.0
69.0
64.0
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53.0
49.0
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41.0
37.0
34.0
31.0
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21.0
19.0
17.0
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
Z
ZT
()
10.0
10.0
9.0
9.0
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5.0
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4.0
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10.0
14.0
16.0
20.0
22.0
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110.0
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150.0
175.0
200.0
250.0
350.0
Z
ZK
()
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
I
ZK
(MA )
I
R
(A)
100.0
100.0
50.0
10.0
10.0
V
R
(V)
马克斯。
浪涌
当前
I
S
(MA )
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1260
1190
1070
970
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810
730
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605
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500
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414
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344
304
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205
190
170
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114
110
95
90
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70
65
60
55
50
45
马克斯。注册。
当前
@T
A
=50C
I
ZM
(MA )
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
25
23
22
19
18
16
14
13
12
11
10
9
工作温度: -55
o
C至150
o
C
概要
(最大英寸)
散装/卷
1.00
1.0
700
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
10.0
10.0
10.0
10.0
5.0
5.0
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
0.25
5.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
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9.1
9.9
11.4
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13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
1000/5000
1W
产品型号
TZ100B
TZ110B
TZ115B
TZ120B
TZ130B
TZ135B
TZ140B
TZ150B
TZ160B
TZ170B
TZ180B
TZ190B
TZ200B
TZ240B
TZ270B
TZ300B
TZ330B
参考
齐纳
电压
@I
ZT
V
Z
(V)
马克斯。齐纳
阻抗
@l
ZT
Z
ZT
()
350
450
500
550
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800
1000
1100
1200
1300
1500
1700
2200
2500
3000
4000
TEST
当前
I
ZT
(MA )
膝关节
阻抗
@ l
ZK
Z
ZK
()
3000
4000
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5000
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6500
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8000
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9500
膝关节
当前
I
ZK
(MA )
马克斯。启示录
当前
@ V
R
I
R
(A)
反向
电压
V
R
(V)
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150
160
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200
220
240
马克斯。 FWD 。
电压
@ 25
o
3. C @ 1A
V
F
(V)
概要
(最大英寸)
散装/卷
Z100B
Z110B
Z115B
Z120B
Z130B
Z135B
Z140B
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Z160B
Z170B
Z180B
Z190B
Z200B
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Z270B
Z300B
Z330B
100
110
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150
160
170
180
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300
330
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1W
产品型号
1EZ110D5
1EZ120D5
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1EZ170D5
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1EZ200D5
参考
额定齐纳
电压@升
ZT
V
Z
(V)
I
ZT
(MA )
2.3
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
马克斯。齐纳
阻抗
@l
ZT
Z
ZT
()
570
710
910
1100
1300
1400
1450
1500
1700
1900
马克斯。膝盖
阻抗@
ZK
l
Z
ZK
()
5200
5800
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
I
ZK
(MA )
马克斯。齐纳
目前@
100
o
C
I
ZM
(MA )
8.3
8.0
6.9
6.5
5.7
5.4
5.2
4.9
4.7
4.6
马克斯。浪涌温度。 COEFF 。
齐纳二极管
当前
电压
I
S
(A)
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.10
0.10
0.10
0.10
αvz (% /℃)
概要
(最大英寸)
散装/卷
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
+0.095
1000/5000
0.25
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.100
由于上市(含"5"后缀) , 5 %的容差为V
Z
; 1 %的容差,使用"1"后缀,例如, "1EZ110D1" , 2 %的容差,使用"2"后缀,例如, "1EZ110D2" , 10 %的容差,使用"10"后缀,例如:
"1EZ110D10" ; 20 %的容差,不使用后缀,例如, "1EZ110D"
72
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
电话: ( 800 ) TAITRON ( 800 ) 247-2232 ( 661 ) 257-6060传真: ( 800 )大吉-FAX ( 661 ) 257-6415
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
1EZ110D5
THRU
1EZ200D5
为1.0W硅
齐纳二极管
100200伏特
DO-41
齐纳电压100V到200V
硅平面功率齐纳二极管
低廓包
玻璃钝化结
机械数据
案例:模压塑料, DO- 41
极性:颜色频带端为负极
重量: 0.012盎司, 0.3克
最大额定值
符号
峰值脉冲功率
耗散对T
A
=50
o
C
(1)
减免上述50
o
C
结温
存储温度范围
P
D
T
J
T
英镑
价值
1.0
6.67
150
-55到150
单位
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
D
A
阴极
标志
B
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
峰值正向浪涌电流
最大正向电压
@ I
F
=200mA
(2)
符号
IFSM
V
F
价值
10
1.2
单位
A
V
C
注意:
( 1 )安装在5.0平方毫米( 0.013毫米厚)土地面积。
( 2 )测量在8.0ms ,单一正弦半波或同等学历
方波,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
尺寸
英寸
暗淡
A
B
C
D
0.160
0.080
0.028
1.000
最大
0.205
0.107
0.034
-----
4.10
2.00
0.71
25.40
最大
5.20
2.70
0.86
-----
直径
直径
MM
www.mccsemi.com
1EZ110D5通1EZ200D5
MCC
最大齐纳阻抗
(3)
Z
ZT
450
550
700
900
1000
1100
1150
1200
1350
1500
Z
ZK
4000
4500
5000
5500
6000
6500
6800
7000
7500
8000
I
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
ìA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
R
V
83.6
91.2
98.8
106.4
114.0
121.6
129.2
136.8
144.4
152.0
典型
温度。
系数
%/
o
C
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.100
MCC部分
1EZ110D5
1EZ120D5
1EZ130D5
1EZ140D5
1EZ150D5
1EZ160D5
1EZ170D5
1EZ180D5
1EZ190D5
1EZ200D5
齐纳电压
@TEST CURRENT
(1,2)
V
Z
V
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
I
ZT
mA
2.3
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
注意:
( 1 )可用特价商品包括:
答:显示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压
公差。
B:匹配套。
(2)齐纳电压(V
Z
)测量。当以90秒为单位计算,同时保持Guarantess齐纳电压
引线温度(T
L
) 30
o
C +或 - 1
o
C,自二极管体。
( 3 )齐纳阻抗(Z
Z
)推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压获得,这导致当交流
当前具有的RMS值等于该直流稳压电流的10% (我
ZT
还是我
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
P
D
最大功率耗散
(瓦特)
1.25
1.0
0.75
0.50
0.25
0
0
L = LEAD TO LENTGH
散热器
20
40
80 100 120 140 160 180 200
TL ,焊接温度
图。 1 ,功耗温度降额曲线
www.mccsemi.com
1EZ110D5通1EZ200D5
MCC
英镑KVZ ,
温度
系数(毫伏/ W)的
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
10
范围
V
Z
@ I
ZT
20
30
70
VZ ,齐纳电压(伏)
图。 2 ,温度系数
1000
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
500
200
100
50
20
10
5.0
TJ = 25
J
I
Z
(毫秒) = 0.1I
Z
(DC)的
F = 60Hz的
47V
27V
0.8V
2.0
1.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IZ ,齐纳电流(毫安)
图。齐纳3 -EFFECT齐纳电流的
阻抗
www.mccsemi.com
1EZ110D5通1EZ200D5 , E3
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
描述
该1EZ110D5通1EZ200D5系列轴向引线1.0瓦特齐纳二极管
提供电压调节选项,用5%的容差,从110到200
伏在DO- 41塑料封装尺寸。等齐纳电压容差
也可通过改变后缀号的容限,期望如
1和2为更严格的公差或10更宽的公差。这些塑料
封装的齐纳二极管具有1级分类的水分,没有干燥包
需要,并且还以各种军事等效筛分水平可
通过添加前缀标识符作为在功能部分也有描述。他们
可在高最大直流电流或全额定功率与操作
足够的散热。 Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品,满足更高和更低的功率应用。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO- 41或
DO-204AL
(塑胶)
特点
110至200 V的电压更高的扩展JEDEC
注册直通1N4664A 1N4728 ( 3.3 100V)
标准电压容差的正/负5 %以
一个“5”的后缀,10%为“ 10 ”后缀标识
在加或减2%或1%的可用的紧密度容限
分别为“2”或“1”的后缀
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN , JANTX , JANTXV和JANS是
可通过加入MQ ,MX, MV,或MSP前缀
分别零件编号
表面贴装可作为包当量
SMBJ1EZ110D5到SMBJ1EZ200D5在流行
DO- 214AA封装,或SMBG1EZ110D5到
SMBG1EZ200D5在DO- 215AA封装
可通过添加“ E3 ”后缀符合RoHS设备
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围。
齐纳电压选择为110 200V。
灵活的轴向引线安装端子。
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
浪涌承受压力。
高规定的最大电流(I
ZM
)时,
充分热沉没。
最大额定值
25功耗
o
C: 1.0瓦特(另见
降额于图1) 。
操作和储存温度: -65
o
C到
+150
o
C.
热电阻: 45
o
C / W交界处领导在3/8
( 10毫米)的车身引线长度,或105
o
C / W结
安装在FR4印刷电路板时,环境温度( 1盎司
铜)与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米,
长度为25毫米。
稳定状态功率: 1.0瓦特在T
L
<105
o
3/8英寸
( 10mm)的自体,或1.0瓦特在T
A
<45
o
C下
安装FR4 PC上描述的热
电阻(也参见图1) 。
正向电压@ 200毫安: 1.2伏特(最大值) 。
焊接温度: 260
o
下进行10秒(最大) 。
机械及包装
案例:无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0
表面处理:锡铅或符合RoHS退火
每MIL -STD -750雾锡镀焊,
方法2026
极性:负极指示的带在哪里
二极管是要与带状端操作
相对于相对的端部正
标记:部件号
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
重量: 0.4克
请参阅最后一页的封装尺寸
1EZ110D5 - 1EZ200D5 , E3
版权
2006
二〇〇六年六月二十○日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1EZ110D5通1EZ200D5 , E3
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性@ 25℃
Microsemi的
部分
(注1和5)
公称
齐纳
电压
(注2 )
最大齐纳阻抗
(注3)
最大
反向
当前
最大
齐纳
当前
@ 100C
典型
温度。
COEFF 。
OF
齐纳
电压
最大
浪涌
当前
(注4 )
V
Z
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
@
I
ZT
mA
2.3
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
Z
ZT
@ I
ZT
570
710
910
1100
1300
1400
1450
1500
1700
1900
Z
ZK
5200
5800
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
@
I
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
μA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
@
V
R
83.6
91.2
98.8
106.4
114
121.6
130.4
136.8
144.8
152
I
ZM
mA
8.3
8.0
6.9
6.5
5.7
5.4
5.2
4.9
4.7
4.6
α
V( BR )
o
%/
C
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.095
+0.100
I
ZSM
安培
0.15
0.14
0.13
0.12
0.12
0.11
0.10
0.10
0.10
0.10
1EZ110D5
1EZ120D5
1EZ130D5
1EZ140D5
1EZ150D5
1EZ160D5
1EZ170D5
1EZ180D5
1EZ190D5
1EZ200D5
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
后缀表示5 = / - 5 %的容差。后缀10表示为+/- 10 % ,无后缀表示+/- 20 %。还后缀1表示为+/- 1 %和后缀2
表示对V +/- 2 %
Z
耐受性。
o
o
电压测量应用直流电流,在90秒后要执行的
T
A
25
C
(+8, -2
C
) 。测试电流(I
ZT
)已
o
选择这样的功耗为0.25瓦,额定电压。这导致在10典型的结温升高
C
.
齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压导致具有有效值等于直流的10%的交流电流时,来自
齐纳电流(I
ZT
还是我
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
最大浪涌电流I
ZSM
是一种非经常性的最大峰值反向浪涌以8.3毫秒的脉冲宽度。
玻璃器件可通过与G.更换鄂中系列型号订购
例如: 1GZ110D5
1EZ
110
D
5
%容差
1瓦
模压
齐纳
二极管
公称
齐纳
电压
设备
1EZ110D5 - 1EZ200D5 , E3
版权
2006
二〇〇六年六月二十○日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
1EZ110D5通1EZ200D5 , E3
硅1瓦齐纳二极管
斯科茨代尔区划
概况与电路
P
d
,最大额定功率耗散(瓦)
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T
L
包装尺寸
T
A
在FR4 PC板
T
L
铅温度( ℃) 3/8“从身体
或T
A
在FR4 PC板
o
图1
功率降额曲线
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二〇〇六年六月二十○日REV C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1EZ140D5
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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