SENSITRON
半导体
技术参数
数据表930 , REV 。
1C5806
超快恢复
硅整流DIE
最大额定值:
特征
峰值反向电压
阻断电压DC
击穿电压
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
模具尺寸
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
V
R
V
BR
I
F( AV )
I
FSM
-
T
J
T
英镑
条件
-
@ 55°C
8.3毫秒,正弦脉冲
(1)
-
-
-
马克斯。
150
1.0
35
40
-55到+175
-55到+175
单位
V
A
A
米尔
°C
°C
电气特性:
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
V
F2
V
F3
I
R1
I
R2
t
rr
C
T
条件
如图1A所示,脉冲,T
J
= 25
°C
2.5A ,脉冲,T
J
= 25
°C
如图1A所示,脉冲,T
J
= 100
°C
V
R
= V
RWM
,脉冲,T
J
= 25
°C
V
R
= V
RWM
,脉冲,T
J
= 100
°C
I
F
= I
R
= 0.5A ,我
RM
= 0.05A
V
R
= 10V ,T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz时,
V
SIG
= 50mV的( π-π )
马克斯。
0.875
0.975
0.800
1.0
50
25
25
单位
V
V
V
A
A
ns
pF
马克斯。反向电流
反向恢复时间
马克斯。结电容
221西工业苑
鹿园,NY 11729-4681
( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
1C5806
SENSITRON
技术参数
数据表930 , REV 。
外形尺寸:英寸(mm )
底侧的金属化:钛/镍/银 - 30 KA最低。
顶面金属化:艾尔 - 25 KA最低
阳极
0.024
±
0.003
(0.610
±
0.076)
0.040
±
0.003
(1.016
±
0.076)
底侧是阴极,顶侧是阳极。
阳极
0.009 ± 0.001 (0.229 ± 0.025)
阴极
免责声明:
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数据表( S) 。
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设备和安全设备) ,安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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半导体。
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