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@vic
MMBT3904LT1
SOT- 23塑封装晶体管
MMBT3904LT1
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.2
W（环境温度Tamb = 25℃）
0. 95
1. 0
2. 4
1. 3
集电极电流
0.2
A
I
厘米：
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
H
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
2. 9
1. 9
0. 95
单位：mm
除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
TEST
条件
民
60
40
6
0.1
0.1
0.1
100
60
0.3
0.95
250
35
35
200
50
V
V
兆赫
nS
nS
nS
nS
300
最大
单位
V
V
V
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1 mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CE
= 40V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 50毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安
0. 4
A
A
A
f
T
td
tr
ts
tf
f=
100MHz
V
CC
= 3.0VDC ，V
BE
=-0.5Vdc
I
C
= 10mAdc ，我
B1
=1.0mAdc
V
CC
= 3.0VDC ，我
C
=10mAdc
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc
器件标识
MMBT3904LT1=1AM
版权所有@vic电子股份有限公司
网站http://www.avictek.com
@vic
MMBT3904LT1
SOT- 23塑封装晶体管
MMBT3904LT1
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.2
W（环境温度Tamb = 25℃）
0. 95
1. 0
2. 4
1. 3
集电极电流
0.2
A
I
厘米：
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
H
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
2. 9
1. 9
0. 95
单位：mm
除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
TEST
条件
民
60
40
6
0.1
0.1
0.1
100
60
0.3
0.95
250
35
35
200
50
V
V
兆赫
nS
nS
nS
nS
300
最大
单位
V
V
V
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1 mA时，我
B
=0
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E
= 100
A，I
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=0
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= 60V ，我
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=0
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= 40V ，我
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=0
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= 5V ，我
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=0
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= 10V ，我
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= 1毫安
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CE
= 1V ，我
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= 50毫安
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= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安
0. 4
A
A
A
f
T
td
tr
ts
tf
f=
100MHz
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CC
= 3.0VDC ，V
BE
=-0.5Vdc
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C
= 10mAdc ，我
B1
=1.0mAdc
V
CC
= 3.0VDC ，我
C
=10mAdc
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc
器件标识
MMBT3904LT1=1AM
版权所有@vic电子股份有限公司
网站http://www.avictek.com
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封装
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    1AM
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    -
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