195D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
特点
8毫米12毫米磁带包装EIA- 481-1
符合IEC 286-3缫丝。 7 “ （178 mm）标准13
＆ QUOT ;
（330 MM）提供
美国和欧洲的外壳尺寸
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（ + 125 ℃，电压降额）
注意：
请参阅文档40088
电容范围：
0.1 μF至330 μF
电容容差：
±10％ ， ± 20％的标准
额定电压：
2 WVDC至50 WVDC
订购信息
195D
TYPE
106
电容
这被表示在
皮法。前两个
数字是显著
数字。第三是
零到数
随之而来。
X0
电容
公差
X0 =
±
20 %
X9 = ± 10 %
X5 = ± 5 %
（特殊订货）
004
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是通过一个“R ”表示的
（ 6R3 = 6.3 V） 。
S
CASE CODE
见评级
与案例
码表
2
终止
T
包装
T =卷带式
风格2
7" [ 178毫米]卷轴
标准
标准
2 = 100 ％的锡
2"分之1卷最低
4 =镀金
13" [ 330 ]卷
8 =焊接
可排除
镀（60/40）
在“R”的情况下，对
特别订做
请求。
看到磁带和卷轴
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
特定连接的阳离子。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容电容容差在同权
外壳尺寸。电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
钽丝
笔尖标识
阳极（+）
终奌站
W
L
马克斯。
D
REF 。
A
B
J
马克斯。
J
马克斯。
H
例
CODE
C
R
S
V
X
Y
Z
EIA
SIZE
不适用
7257
3518
3527
7227
7227
7227
L（ MAX 。 ）
0.087
[2.21]
0.283
[7.2]
0.143
[3.63]
0.143
[3.63]
0.285
[7.24]
0.285
[7.24]
0.285
[7.24]
W
0.045 ± 0.010 [1.14 ± 0.25]
0.235 + 0.012/- 0.024
[6.0 + 0.3/- 0.6]
0.072 ± 0.008 [1.83 ± 0.20]
0.104 ± 0.010 [2.65 ± 0.25]
0.104 ± 0.010 [2.65 ± 0.25]
0.104 ± 0.010 [2.65 ± 0.25]
0.104 ± 0.010 [2.65 ± 0.25]
H
0.045 ± 0.010
[1.14 ± 0.25]
0.136 ± 0.012
[3.5 ± 0.3]
0.048 ± 0.008
[1.22 ± 0.20]
0.051 ± 0.010
[1.30 ± 0.25]
0.051 ± 0.010
[1.30 ± 0.25]
0.069 ± 0.010
[1.75 ± 0.25]
0.104 ± 0.010
[2.65 ± 0.25]
A
0.016 ± 0.008
[0.40 ± 0.20]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
0.023 ± 0.010
[0.58 ± 0.25]
0.023 ± 0.010
[0.58 ± 0.25]
0.040 ± 0.020
[1.00 ± 0.50]
0.040 ± 0.020
[1.00 ± 0.50]
0.040 ± 0.020
[1.00 ± 0.50]
B
0.042 ± 0.010
[1.07 ± 0.25]
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
0.085 ± 0.015
[2.16 ± 0.37]
0.085 ± 0.015
[2.16 ± 0.37]
0.200 ± 0.027
[5.08 ± 0.69]
0.200 ± 0.027
[5.08 ± 0.69]
0.200 ± 0.023
[5.08 ± 0.59]
D（ REF ）。
0.063
[1.60]
0.243
[6.20]
0.115
[2.90]
0.115
[2.90]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
J（下MAX 。 ）
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
注意：
阳极终端（D小于B）将是最小的0.010 （ 0.25 ） ，C壳= 0.005 （ 0.131 ）最低
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
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195D
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
日前，Vishay斯普拉格
额定值和外形编码
F
0.10
0.15
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
R
R
S
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y / Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
Y
Z
Z
Z
R
R
4V
6.3 V
10 V
16 V
20 V
25 V
35 V
50 V
C
C
C / S
S
V
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
产品型号
(1)
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
1.3
1.9
2.7
4.0
4.8
6.0
7.2
8.8
13.2
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5 V 。 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
(1)
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
195D335X_004C2T
195D475X_004S2T
195D685X_004S2T
195D106X_004S2T
195D156X_004V2T
195D226X_004X2T
195D336X_004X2T
195D476X_004Y2T
195D686X_004Y2T
195D107X_004Z2T
195D127X_004R2T
195D157X_004R2T
195D187X_004R2T
195D227X_004R2T
195D337X_004R2T
注意：
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
产品型号
(1)
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V 。 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
1
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
22
33
47
68
C
195D225X_6R3C2T
0.5
S
195D335X_6R3S2T
0.5
S
195D475X_6R3S2T
0.5
S
195D685X_6R3S2T
0.5
V
195D106X_6R3V2T
0.6
X
195D156X_6R3X2T
0.9
X
195D226X_6R3X2T
1.3
Y
195D336X_6R3Y2T
2.0
Y
195D476X_6R3Y2T
2.8
Z
195D686X_6R3Z2T
4.1
Z
195D107X_6R3Z2T
6.0
R
195D127X_6R3R2T
7.2
R
195D157X_6R3R2T
9.0
R
195D187X_6R3R2T
10.8
R
195D227X_6R3R2T
13.2
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13V 。 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 9 V
S
195D105X_010S2T
0.4
C
195D155X_010C2T
0.5
S
195D225X_010S2T
0.5
S
195D335X_010S2T
0.5
S
195D475X_010S2T
0.5
V
195D685X_010V2T
0.7
X
195D106X_010X2T
1.0
X
195D156X_010X2T
1.5
Y
195D226X_010Y2T
2.2
Z
195D336X_010Z2T
3.0
Z
195D476X_010Z2T
4.7
R
195D686X_010R2T
6.8
R
195D107X_010R2T
10
R
195D127X_010R2T
12
R
195D157X_010R2T
15
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
195D105X_016C2T
195D155X_016S2T
195D225X_016S2T
195D335X_016S2T
195D475X_016V2T
195D685X_016X2T
195D106X_016X2T
195D156X_016Y2T
195D226X_016Y2T
195D226X_016Z2T
195D336X_016Z2T
195D476X_016R2T
195D686X_016R2T
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
1.0
1.5
2.3
3.2
3.3
5.0
7.1
10.2
注意：
(1)
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
20 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 26 V 。 。 。 13直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 16 V
C
195D684X_020C2T
0.5
S
195D105X_020S2T
0.5
S
195D155X_020S2T
0.5
S
195D225X_020S2T
0.5
V
195D335X_020V2T
0.7
X
195D475X_020X2T
0.9
X
195D685X_020X2T
1.4
Y
195D106X_020Y2T
2.0
Z
195D156X_020Z2T
3.0
Z
195D226X_020Z2T
4.4
R
195D336X_020R2T
6.6
R
195D476X_020R2T
9.4
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V 。 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
C
195D474X_025C2T
0.5
S
195D684X_025S2T
0.5
S
195D105X_025S2T
0.5
S
195D155X_025S2T
0.5
V
195D225X_025V2T
0.6
X
195D335X_025X2T
0.8
X
195D475X_025X2T
1.2
Y
195D685X_025Y2T
1.7
Y
195D106X_025Y2T
2.5
Z
195D156X_025Z2T
3.8
R
195D226X_025R2T
5.5
R
195D336X_025R2T
8.3
35 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 46 V 。 。 。 23直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 28 V
C
195D334X_035C2T
0.5
S
195D474X_035S2T
0.5
S
195D684X_035S2T
0.5
S
195D105X_035S2T
0.5
V
195D155X_035V2T
0.5
X
195D225X_035X2T
0.8
Y
195D335X_035Y2T
1.2
Z
195D475X_035Z2T
1.6
Z
195D685X_035Z2T
2.4
Z
195D106X_035Z2T
3.5
R
195D156X_035R2T
5.3
R
195D226X_035R2T
7.7
50 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 65 V 。 。 。 33直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 38 V
C
195D104X_050C2T
0.5
C
195D154X_050C2T
0.5
C
195D224X_050C2T
0.5
S
195D224X_050S2T
0.4
S
195D334X_050S2T
0.5
V
195D474X_050V2T
0.5
V
195D684X_050V2T
0.5
X
195D105X_050X2T
0.5
X
195D155X_050X2T
0.8
Y
195D225X_050Y2T
1.1
Z
195D335X_050Z2T
1.7
Z
195D475X_050Z2T
2.4
R
195D685X_050R2T
3.4
R
195D106X_050R2T
5.0
CASE CODE
产品型号
(1)
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
4
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
日前，Vishay斯普拉格
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
0.1
0.15
0.22
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
注意：
(1)
为
10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
www.vishay.com
113
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日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
“S”案
“V”案
阻抗
ESR
100
100
10
Ω
Ω
10
0.47 μF - 50 VDC
1
1
15 μF - 4 VDC
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
在赫兹的频率
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
在赫兹的频率
“X”案
1000
阻抗
ESR
10
10
100
“Y”案
阻抗
ESR
100
Ω
6.8 μF - 20 VDC
1
Ω
22 F - 10 VDC
1
0.1
10 F - 16 VDC
0.01
100
1K
10K
100K
1M
10M
在赫兹的频率
0.1
47 μF - 6.3 VDC
0.01
100
1K
10K
100K
在赫兹的频率
1M
10M
“Z”案
100
阻抗
ESR
10
4.7 μF - 50 VDC
Ω
1
0.1
100 μF - 6.3 VDC
0.01
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在赫兹的频率
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