195D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
特点
8毫米12毫米磁带包装EIA- 481-1
符合IEC 286-3缫丝。 7 “ （178 mm）标准13
＆ QUOT ;
（330 MM）提供
美国和欧洲的外壳尺寸
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（ + 125 ℃，电压降额）
注意：
请参阅文档40088
电容范围：
0.1 μF至330 μF
电容容差：
±10％ ， ± 20％的标准
额定电压：
2 WVDC至50 WVDC
订购信息
195D
TYPE
106
电容
这被表示在
皮法。前两个
数字是显著
数字。第三是
零到数
随之而来。
X0
电容
公差
X0 =
±
20 %
X9 = ± 10 %
004
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是由一个"R"表示
（ 6R3 = 6.3伏特） 。
S
CASE CODE
见评级
与案例
码表
2
终止
T
包装
T =卷带式
风格2
7" [ 178毫米]卷轴
标准
标准
2 = 100 ％的锡
2"分之1卷最低
4 =镀金
13" [ 330 ]卷
8 =焊接
可排除
镀（60/40）
该"R"情况下，上
特别订做
请求。
看到磁带和卷轴
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
特定连接的阳离子。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容电容容差在同权
外壳尺寸。电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
W
钽丝笔尖
标识阳极
（ + ）端子
L
D
A
B
J
J
H
例
CODE
C
EIA
SIZE
不适用
L（ MAX 。 ）
W
H
A
B
D（ REF ）。
0.063
[1.60]
0.243
[6.20]
0.115
[2.90]
0.115
[2.90]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
J（下MAX 。 ）
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.087
0.045 ± 0.010
0.045 ± 0.010
0.016 ± 0.008
0.042 ± 0.010
[2.21]
[1.14 ± 0.25]
[1.14 ± 0.25]
[0.40 ± 0.20]
[1.07 ± 0.25]
0.283
0.235 ± 0.012
0.136 ± 0.012
0.051 ± 0.012
0.180 ± 0.025
R
7257
[7.2]
[6.0 ± 0.3]
[3.5 ± 0.3]
[1.3 ± 0.3]
[4.6 ± 0.6]
0.143
0.072 ± 0.008
0.048 ± 0.008
0.023 ± 0.010
0.085 ± 0.015
S
3518
[3.63]
[1.83 ± 0.20]
[1.22 ± 0.20]
[0.58 ± 0.25]
[2.16 ± 0.37]
0.143
0.104 ± 0.010
0.051 ± 0.010
0.023 ± 0.010
0.085 ± 0.015
V
3527
[3.63]
[2.65 ± 0.25]
[1.30 ± 0.25]
[0.58 ± 0.25]
[2.16 ± 0.37]
0.285
0.104 ± 0.010
0.051 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.027
X
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[1.30 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.69]
0.285
0.104 ± 0.010
0.069 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.027
Y
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[1.75 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.69]
0.285
0.104 ± 0.010
0.104 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.023
Z
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[2.65 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.59]
注意：
阳极终端（D小于B）将是最小的0.010 （ 0.25 ） ，C壳= 0.005 （ 0.131 ）最低
*含有铅端子，也不符合RoHS标准，可申请豁免
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1
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
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修订： 16月-06
195D
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
额定值和外形编码
F
0.10
0.15
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
Y
Z
Z
Z
R
R
4V
6.3 V
10 V
16 V
20 V
25 V
35 V
50 V
C
C
C
S
V
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
日前，Vishay斯普拉格
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
1.3
1.9
2.7
4.0
4.8
6.0
7.2
8.8
13.2
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5 V 。 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
195D335X_004C2T
195D475X_004S2T
195D685X_004S2T
195D106X_004S2T
195D156X_004V2T
195D226X_004X2T
195D336X_004X2T
195D476X_004Y2T
195D686X_004Y2T
195D107X_004Z2T
195D127X_004R2T
195D157X_004R2T
195D187X_004R2T
195D227X_004R2T
195D337X_004R2T
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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2
195D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
1.3
2.0
2.8
4.1
6.0
7.2
9.0
10.8
13.2
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
1.0
1.5
2.2
3.0
4.7
6.8
10
12
15
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
1.0
1.5
2.3
3.3
5.0
7.1
10.2
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V 。 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
195D225X_6R3C2T
195D335X_6R3S2T
195D475X_6R3S2T
195D685X_6R3S2T
195D106X_6R3V2T
195D156X_6R3X2T
195D226X_6R3X2T
195D336X_6R3Y2T
195D476X_6R3Y2T
195D686X_6R3Z2T
195D107X_6R3Z2T
195D127X_6R3R2T
195D157X_6R3R2T
195D187X_6R3R2T
195D227X_6R3R2T
195D155X_010C2T
195D225X_010S2T
195D335X_010S2T
195D475X_010S2T
195D685X_010V2T
195D106X_010X2T
195D156X_010X2T
195D226X_010Y2T
195D336X_010Z2T
195D476X_010Z2T
195D686X_010R2T
195D107X_010R2T
195D127X_010R2T
195D157X_010R2T
195D105X_016C2T
195D155X_016S2T
195D225X_016S2T
195D335X_016S2T
195D475X_016V2T
195D685X_016X2T
195D106X_016X2T
195D156X_016Y2T
195D226X_016Z2T
195D336X_016Z2T
195D476X_016R2T
195D686X_016R2T
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13V 。 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 9 V
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
0.9
1.4
2.0
3.0
4.4
6.6
9.4
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.8
1.2
1.7
2.5
3.8
5.5
8.3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.8
1.2
1.6
2.4
3.5
5.3
7.7
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
日前，Vishay斯普拉格
20 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 26 V 。 。 。 13直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 16 V
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
Y
Z
Z
Z
R
R
195D684X_020C2T
195D105X_020S2T
195D155X_020S2T
195D225X_020S2T
195D335X_020V2T
195D475X_020X2T
195D685X_020X2T
195D106X_020Y2T
195D156X_020Z2T
195D226X_020Z2T
195D336X_020R2T
195D476X_020R2T
195D474X_025C2T
195D684X_025S2T
195D105X_025S2T
195D155X_025S2T
195D225X_025V2T
195D335X_025X2T
195D475X_025X2T
195D685X_025Y2T
195D106X_025Y2T
195D156X_025Z2T
195D226X_025R2T
195D336X_025R2T
195D334X_035C2T
195D474X_035S2T
195D684X_035S2T
195D105X_035S2T
195D155X_035V2T
195D225X_035X2T
195D335X_035Y2T
195D475X_035Z2T
195D685X_035Z2T
195D106X_035Z2T
195D156X_035R2T
195D226X_035R2T
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V 。 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
35 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 46 V 。 。 。 23直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 28 V
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.8
1.1
1.7
2.4
3.4
5.0
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
4
4
4
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
50 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 65 V 。 。 。 33直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 38 V
0.1
0.15
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
C
C
C
S
V
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
195D104X_050C2T
195D154X_050C2T
195D224X_050C2T
195D334X_050S2T
195D474X_050V2T
195D684X_050V2T
195D105X_050X2T
195D155X_050X2T
195D225X_050Y2T
195D335X_050Z2T
195D475X_050Z2T
195D685X_050R2T
195D106X_050R2T
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
"S"案例
100
阻抗
ESR
100
"V"案例
阻抗
ESR
欧
10
1 μF - 35 VDC
欧
10
.47
μF
- 50 VDC
1
4.7 μF - 10 VDC
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
频率，单位为赫兹
1
15
μF
- 4 VDC
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
频率，单位为赫兹
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修订： 16月-06
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固体钽芯片电容器
T
ANTAMOUNT
保形涂层
特点
8毫米12毫米磁带包装EIA- 481-1
符合IEC 286-3缫丝。 7 “ （178 mm）标准13
＆ QUOT ;
（330 MM）提供
美国和欧洲的外壳尺寸
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（ + 125 ℃，电压降额）
注意：
请参阅文档40088
电容范围：
0.1 μF至330 μF
电容容差：
±10％ ， ± 20％的标准
额定电压：
2 WVDC至50 WVDC
订购信息
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TYPE
106
电容
这被表示在
皮法。前两个
数字是显著
数字。第三是
零到数
随之而来。
X0
电容
公差
X0 =
±
20 %
X9 = ± 10 %
004
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是由一个"R"表示
（ 6R3 = 6.3伏特） 。
S
CASE CODE
见评级
与案例
码表
2
终止
T
包装
T =卷带式
风格2
7" [ 178毫米]卷轴
标准
标准
2 = 100 ％的锡
2"分之1卷最低
4 =镀金
13" [ 330 ]卷
8 =焊接
可排除
镀（60/40）
该"R"情况下，上
特别订做
请求。
看到磁带和卷轴
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
特定连接的阳离子。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容电容容差在同权
外壳尺寸。电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
W
钽丝笔尖
标识阳极
（ + ）端子
L
D
A
B
J
J
H
例
CODE
C
EIA
SIZE
不适用
L（ MAX 。 ）
W
H
A
B
D（ REF ）。
0.063
[1.60]
0.243
[6.20]
0.115
[2.90]
0.115
[2.90]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
0.243
[6.20]
J（下MAX 。 ）
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.004
[0.10]
0.087
0.045 ± 0.010
0.045 ± 0.010
0.016 ± 0.008
0.042 ± 0.010
[2.21]
[1.14 ± 0.25]
[1.14 ± 0.25]
[0.40 ± 0.20]
[1.07 ± 0.25]
0.283
0.235 ± 0.012
0.136 ± 0.012
0.051 ± 0.012
0.180 ± 0.025
R
7257
[7.2]
[6.0 ± 0.3]
[3.5 ± 0.3]
[1.3 ± 0.3]
[4.6 ± 0.6]
0.143
0.072 ± 0.008
0.048 ± 0.008
0.023 ± 0.010
0.085 ± 0.015
S
3518
[3.63]
[1.83 ± 0.20]
[1.22 ± 0.20]
[0.58 ± 0.25]
[2.16 ± 0.37]
0.143
0.104 ± 0.010
0.051 ± 0.010
0.023 ± 0.010
0.085 ± 0.015
V
3527
[3.63]
[2.65 ± 0.25]
[1.30 ± 0.25]
[0.58 ± 0.25]
[2.16 ± 0.37]
0.285
0.104 ± 0.010
0.051 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.027
X
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[1.30 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.69]
0.285
0.104 ± 0.010
0.069 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.027
Y
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[1.75 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.69]
0.285
0.104 ± 0.010
0.104 ± 0.010
0.040 ± 0.020
0.200 ± 0.023
Z
7227
[7.24]
[2.65 ± 0.25]
[2.65 ± 0.25]
[1.00 ± 0.50]
[5.08 ± 0.59]
注意：
阳极终端（D小于B）将是最小的0.010 （ 0.25 ） ，C壳= 0.005 （ 0.131 ）最低
*含有铅端子，也不符合RoHS标准，可申请豁免
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
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195D
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
额定值和外形编码
F
0.10
0.15
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
Y
Z
Z
Z
R
R
4V
6.3 V
10 V
16 V
20 V
25 V
35 V
50 V
C
C
C
S
V
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
日前，Vishay斯普拉格
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
1.3
1.9
2.7
4.0
4.8
6.0
7.2
8.8
13.2
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5 V 。 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
330
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
R
R
R
195D335X_004C2T
195D475X_004S2T
195D685X_004S2T
195D106X_004S2T
195D156X_004V2T
195D226X_004X2T
195D336X_004X2T
195D476X_004Y2T
195D686X_004Y2T
195D107X_004Z2T
195D127X_004R2T
195D157X_004R2T
195D187X_004R2T
195D227X_004R2T
195D337X_004R2T
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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2
195D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
1.3
2.0
2.8
4.1
6.0
7.2
9.0
10.8
13.2
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
1.0
1.5
2.2
3.0
4.7
6.8
10
12
15
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
1.0
1.5
2.3
3.3
5.0
7.1
10.2
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
8
8
8
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V 。 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
180
220
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
100
120
150
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
68
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
195D225X_6R3C2T
195D335X_6R3S2T
195D475X_6R3S2T
195D685X_6R3S2T
195D106X_6R3V2T
195D156X_6R3X2T
195D226X_6R3X2T
195D336X_6R3Y2T
195D476X_6R3Y2T
195D686X_6R3Z2T
195D107X_6R3Z2T
195D127X_6R3R2T
195D157X_6R3R2T
195D187X_6R3R2T
195D227X_6R3R2T
195D155X_010C2T
195D225X_010S2T
195D335X_010S2T
195D475X_010S2T
195D685X_010V2T
195D106X_010X2T
195D156X_010X2T
195D226X_010Y2T
195D336X_010Z2T
195D476X_010Z2T
195D686X_010R2T
195D107X_010R2T
195D127X_010R2T
195D157X_010R2T
195D105X_016C2T
195D155X_016S2T
195D225X_016S2T
195D335X_016S2T
195D475X_016V2T
195D685X_016X2T
195D106X_016X2T
195D156X_016Y2T
195D226X_016Z2T
195D336X_016Z2T
195D476X_016R2T
195D686X_016R2T
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13V 。 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 9 V
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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195D
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.7
0.9
1.4
2.0
3.0
4.4
6.6
9.4
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.8
1.2
1.7
2.5
3.8
5.5
8.3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.8
1.2
1.6
2.4
3.5
5.3
7.7
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
6
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
6
6
日前，Vishay斯普拉格
20 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 26 V 。 。 。 13直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 16 V
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
47
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
33
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
15
22
C
S
S
S
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
X
Y
Y
Z
R
R
C
S
S
S
V
X
Y
Z
Z
Z
R
R
195D684X_020C2T
195D105X_020S2T
195D155X_020S2T
195D225X_020S2T
195D335X_020V2T
195D475X_020X2T
195D685X_020X2T
195D106X_020Y2T
195D156X_020Z2T
195D226X_020Z2T
195D336X_020R2T
195D476X_020R2T
195D474X_025C2T
195D684X_025S2T
195D105X_025S2T
195D155X_025S2T
195D225X_025V2T
195D335X_025X2T
195D475X_025X2T
195D685X_025Y2T
195D106X_025Y2T
195D156X_025Z2T
195D226X_025R2T
195D336X_025R2T
195D334X_035C2T
195D474X_035S2T
195D684X_035S2T
195D105X_035S2T
195D155X_035V2T
195D225X_035X2T
195D335X_035Y2T
195D475X_035Z2T
195D685X_035Z2T
195D106X_035Z2T
195D156X_035R2T
195D226X_035R2T
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V 。 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
35 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 46 V 。 。 。 23直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 28 V
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
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日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
无异
保形涂层
标准级别
电容（ μF ）
CASE CODE
零件号*
马克斯。 DCL
AT + 25°C
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.8
1.1
1.7
2.4
3.4
5.0
马克斯。 DF
AT + 25°C
120赫兹（％）
4
4
4
4
4
4
4
6
6
6
6
6
6
50 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 65 V 。 。 。 33直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 38 V
0.1
0.15
0.22
0.33
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
C
C
C
S
V
V
X
X
Y
Z
Z
R
R
195D104X_050C2T
195D154X_050C2T
195D224X_050C2T
195D334X_050S2T
195D474X_050V2T
195D684X_050V2T
195D105X_050X2T
195D155X_050X2T
195D225X_050Y2T
195D335X_050Z2T
195D475X_050Z2T
195D685X_050R2T
195D106X_050R2T
对于10 ％的容差，指定“ 9” ： 20 ％的容差，更改为“ 0 ” 。
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
"S"案例
100
阻抗
ESR
100
"V"案例
阻抗
ESR
欧
10
1 μF - 35 VDC
欧
10
.47
μF
- 50 VDC
1
4.7 μF - 10 VDC
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
频率，单位为赫兹
1
15
μF
- 4 VDC
0.1
1K
10K
100K
1M
10M
100M
频率，单位为赫兹
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