UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
18N60
600V N沟道功率
MOSFET
描述
在UTC
18N60
UTC采用先进的专有的，平面的
条纹， DMOS技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低门
充电和操作具有低栅极电压。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
1
TO-247
特点
* R
DS （ ON）
≤
400mΩ @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型50NC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型23pF ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
18N60L-T47-T
18N60G-T47-T
包
TO-247
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
www.unisonic.com.tw
1第3
QW-R502-221.D
2010 Unisonic技术有限公司
18N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流
I
D
18
A
漏电流脉冲
I
DM
45
A
雪崩电流
I
AR
18
A
单脉冲
E
AS
1000
mJ
雪崩能量
30
重复
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
10
V / ns的
功耗
P
D
360
W
结温
T
J
150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到外壳
符号
θ
JC
评级
0.35
单位
°С/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=V
DSS
, V
GS
=0V
门体漏电流
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A（注）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
开启上升时间
t
R
I
D
= 18A ，R
G
= 5Ω （外部）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
门源电荷
Q
GS
I
D
=9A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
F
=I
S
,V
GS
= 0V （注）
最大连续漏源
I
S
V
GS
=0V
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
重复
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s,
I
S
= 18A ，V
R
=100V
反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
民
600
25
±100
3.0
5.0
400
2500
280
23
21
22
62
22
50
15
18
1.5
18
54
200
0.8
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R502-221.D
18N60
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
12
10
8
6
4
2
0
0
800
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
200
400
600
1000
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10V,
I
D
=9.0A
功率MOSFET
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
0
1
2
3
漏源极电压，V
DS
(V)
漏极电流与漏源
击穿电压
4
漏极电流与栅极阈值电压
300
50
250
漏电流，我
D
（MA ）
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
漏电流，我
D
(A)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
栅极阈值电压，V
TH
(V)
200
1000
600
800
400
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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3 3
QW-R502-221.D
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
18N60
初步
功率MOSFET
POLARHV HIPERFET电源
MOSFET
描述
在UTC
18N60
UTC采用先进的专有的，平面的
条纹， DMOS技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低门
充电和操作具有低栅极电压。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
1
TO-247
特点
* R
DS （ ON）
≤
400mΩ @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型50NC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型23pF ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
无铅：
18N60L
无卤： 18N60G
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
正常
18N60-T47-T
订购数量
无铅
18N60L-T47-T
无卤
18N60G-T47-T
包
TO-247
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
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1第3
QW-R502-221.Aa
2008 Unisonic技术有限公司
18N60
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
初步
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
评级
单位
V
DSS
600
V
V
GSS
±30
V
I
D
18
A
I
DM
45
A
I
AR
18
A
单脉冲
E
AS
1000
mJ
雪崩能量
30
重复
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
10
V / ns的
功耗
P
D
360
W
结温
T
J
150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到外壳
符号
θ
JC
民
典型值
最大
0.35
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=V
DSS
, V
GS
=0V
门体漏电流
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5I
D25
（注1 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
I
D
=I
D25
, R
G
= 5Ω （外部）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
门源电荷
Q
GS
I
D
=0.5I
D25
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
F
=I
S
,V
GS
= 0V （注1）
最大连续漏源
I
S
V
GS
=0V
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
重复
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V的di / dt = 100A / S，
I
S
= 18A ，V
R
=100V
反向恢复电荷
Q
RR
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300秒，占空比
≤
2%.
民
600
25
±100
2.0
4.0
400
2500
280
23
21
22
62
22
50
15
18
1.5
18
54
200
0.8
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R502-221.Aa
18N60
初步
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
18N60
18A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
18N60
UTC采用先进的专有的，平面的
条纹， DMOS技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低门
充电和操作具有低栅极电压。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
1
TO-247
特点
* R
DS （ ON）
≤
0.5 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型50NC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型23pF ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
18N60L-T47-T
18N60G-T47-T
包
TO-247
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-221.F
18N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流
I
D
18
A
漏电流脉冲
I
DM
45
A
雪崩电流
I
AR
18
A
1000（注2）
单脉冲
E
AS
mJ
雪崩能量
重复
E
AR
30
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
10
V / ns的
功耗
P
D
360
W
结温
T
J
150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2， L = 6.18mH ，我
AS
= 18A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°С
热数据
参数
结到外壳
符号
θ
JC
评级
0.35
单位
°С/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=600V, V
GS
=0V
门体漏电流
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A（注）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
I
D
= 18A ，R
G
= 5Ω （外部）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
=0.5V
DSS
,
门源电荷
Q
GS
I
D
=9A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
F
=I
S
,V
GS
= 0V （注）
最大连续漏源
I
S
V
GS
=0V
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
重复
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s,
I
S
= 18A ，V
R
=100V
反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
民
600
25
±100
2.0
0.36
2500
280
23
21
22
62
22
50
15
18
1.5
18
54
200
0.8
4.0
0.5
典型值
最大单位
V
A
nA
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
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2 3
QW-R502-221.F
18N60
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
12
10
8
6
4
2
0
0
800
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
200
400
600
1000
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10V,
I
D
=9.0A
功率MOSFET
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
0
1
2
3
漏源极电压，V
DS
(V)
漏极电流与漏源
击穿电压
4
漏极电流与栅极阈值电压
300
50
250
漏电流，我
D
（MA ）
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
漏电流，我
D
(A)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
栅极阈值电压，V
TH
(V)
200
1000
600
800
400
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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