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首字符1的型号第530页
> 180T2C
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
NPN硅晶体管, DIFFUSED MESA
LF大信号功率放大
大电流快速开关
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
评级
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 181T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
价值
60
90
140
60
100
200
10
6
3
单位
V
V
V
A
A
瓦
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
87.5
200
-65到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结到外壳
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
价值
2
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压( * )
测试条件(S )
BDY23 , 180T2
最小典型单位的Mx
60
90
140
60
100
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
mA
V
V
V
CEO ( BR )
I
C
= 50 mA时,我
B
=0
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿
电压(*)
集电极 - 发射极截止
当前
BDY23 , 180T2
I
C
-3毫安
V
CE
=60 V
V
CE
=90 V
V
CE
=140 V
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23
BDY24
BDY25
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
I
首席执行官
-
-
-
-
I
EBO
发射基截止电流
V
EB
=10 V
V
CE
=60 V
V
BE
=0 V
1.0
mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.0
1.0
1
0.6
0.6
mA
I
CES
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=100 V
V
BE
=0 V
V
CE
=180 V
V
BE
=0 V
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压(*)
I
C
= 2.0 A,I
B
=0.25 A
V
半导体COMSET
2/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
符号
V
BE ( SAT )
评级
基射极电压( * )
测试条件(S )
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
A
B
C
A
B
C
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
I
C
= 2.0 A,I
B
=0.25 A
-
-
-
55
65
90
20
45
82
-
2.0
1.2
1.2
-
-
-
45
90
100
-
V
V
CE
= 4 V,I
C
=1 A
h
21E
静态正向电流
传输比( * )
V
CE
= 4 V,I
C
=2 A
15
30
75
10
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= 15 V,I
C
=0.5 A,
F = 10MHz的
兆赫
t
d
+ t
r
开启时间
I
C
=5 A,
I
B
=1 A
I
C
=5 A,
I
B1
=1 A,
I
B2
=-0.5 A
-
0.3
0.5
s
t
s
+ t
f
打开-O FF时间
-
1.5
2.0
s
( * )脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
半导体COMSET
3/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
毫米英寸
25,45
1
38,8
1,52
30,09 1,184
17,11
0,67
9,78
0,38
11,09
0,43
8,33
0,32
1,62
0,06
19,43
0,76
1
0,04
4,08
0,16
BASE
辐射源
集热器
半导体COMSET
4/4
查看更多
180T2C
PDF信息
推荐型号
180SX4P16K502ZP
180SX4Q25F102SP
180SX4Q25F102ZP
180SX4Q25F103SP
180SX4Q25F103ZP
180SX4Q25F502SP
180SX4Q25F502ZP
180T2
180T2A
180T2B
180USC1000M25X40
180USC1000M30X30
180USC1200M25X45
180USC1200M30X35
180USC1200M35X30
180USC1500M30X40
180USC1500M35X35
180USC1800M30X45
180USC1800M35X35
180USC2200M35X40
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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QQ:
QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
180T2C
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-
-
-
终端采购配单精选
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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QQ:2881677436
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QQ:2881620402
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
180T2C
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-
-
-
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
180T2C
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