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BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
NPN硅晶体管, DIFFUSED MESA
LF大信号功率放大
大电流快速开关
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
评级
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 181T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
价值
60
90
140
60
100
200
10
6
3
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
87.5
200
-65到+200
°C
半导体COMSET
1/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结到外壳
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
价值
2
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极
击穿电压( * )
测试条件(S )
BDY23 , 180T2
最小典型单位的Mx
60
90
140
60
100
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
mA
V
V
V
CEO ( BR )
I
C
= 50 mA时,我
B
=0
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿
电压(*)
集电极 - 发射极截止
当前
BDY23 , 180T2
I
C
-3毫安
V
CE
=60 V
V
CE
=90 V
V
CE
=140 V
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23
BDY24
BDY25
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
I
首席执行官
-
-
-
-
I
EBO
发射基截止电流
V
EB
=10 V
V
CE
=60 V
V
BE
=0 V
1.0
mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.0
1.0
1
0.6
0.6
mA
I
CES
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=100 V
V
BE
=0 V
V
CE
=180 V
V
BE
=0 V
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压(*)
I
C
= 2.0 A,I
B
=0.25 A
V
半导体COMSET
2/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
符号
V
BE ( SAT )
评级
基射极电压( * )
测试条件(S )
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
A
B
C
A
B
C
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
BDY23 , 180T2
BDY24 , 181T2
BDY25 , 182T2
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
I
C
= 2.0 A,I
B
=0.25 A
-
-
-
55
65
90
20
45
82
-
2.0
1.2
1.2
-
-
-
45
90
100
-
V
V
CE
= 4 V,I
C
=1 A
h
21E
静态正向电流
传输比( * )
V
CE
= 4 V,I
C
=2 A
15
30
75
10
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= 15 V,I
C
=0.5 A,
F = 10MHz的
兆赫
t
d
+ t
r
开启时间
I
C
=5 A,
I
B
=1 A
I
C
=5 A,
I
B1
=1 A,
I
B2
=-0.5 A
-
0.3
0.5
s
t
s
+ t
f
打开-O FF时间
-
1.5
2.0
s
( * )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
半导体COMSET
3/4
BDY23 , 180 T2
BDY24 , 181 T2
BDY25 , 182 T2
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
毫米英寸
25,45
1
38,8
1,52
30,09 1,184
17,11
0,67
9,78
0,38
11,09
0,43
8,33
0,32
1,62
0,06
19,43
0,76
1
0,04
4,08
0,16
BASE
辐射源
集热器
半导体COMSET
4/4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    180T2C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
180T2C
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