黄
1.
2.
2.1
2.2
产品编号： 170220
本规范适用于砷化镓/间隙LED芯片
结构
台面结构
电极
p侧（阳极）
n侧（阴极）
Au合金
Au合金
3.
纲要（以微米尺寸）
对电极
对扩散
265
120
270
正外延砷化镓
正外延砷化镓
正的GaP衬底
265
n电极
引线键合的接触也可以是圆形或方形
4.
电气和光学特性（T = 25℃）
参数
正向电压
反向电流
发光强度*
符号
V
F
I
R
I
V
条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 20毫安
民
典型值
2,20
最大
2,50
10
单位
V
A
MCD
nm
3,5
6,0
DOM 。波长
λ
D
I
F
= 20毫安
590
*根据要求，晶片会根据发光强度交付班
在OSA金板亮度测量
5.
填料
骰子上的胶膜，顶部1 ）引线键合方
2 ）在上面背接触
6.
标签
TYPE
LOT号
I
V
典型值
民
最大
QUANTITY
2004
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