16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
描述/功能
2
阳极
该16TTS..S高压系列硅控
整流器是专为中等功率设计
切换和相位控制的应用程序。玻璃
采用钝化技术具有运行可靠高达
125 ° C的结温。
典型的应用是在输入整流（软启动）和
这些产品被设计为与Vishay HPP使用
输入二极管，开关和输出整流器它们是
可在相同的封装外形。
该产品的设计和合格的工业
的水平。
D
2
PAK
1
阴极
3
门
产品概述
V
T
在10 A
I
TSM
V
RRM
< 1.4 V
200 A
800/1200 V
输出电流在典型应用
应用
NEMA的FR-4或G10玻璃织物为基础的环氧
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
2.5
6.3
14.0
三相桥
3.5
9.5
18.5
A
单位
主要额定值及特点
参数
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
10 A，T
J
= 25 °C
测试条件
正弦波形
值
10
16
800/1200
200
1.4
500
150
- 40 125
单位
A
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
电压额定值
产品型号
V
RRM
，最大峰值
反向电压
V
800
1200
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
1200
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
10
16TTS08S
16TTS12S
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
√t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
保持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
符号
I
T（ AV ）
I
RMS
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
T = 0.1 10毫秒，无电压重新申请
10 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
C
= 98℃ ，180°导通，半正弦波
值
典型值。马克斯。
10
16
170
200
144
200
2000
1.4
24.0
1.1
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
-
200
500
150
V / μs的
A / μs的
0.5
10
100
mA
A
2
s
A
2
√s
V
mΩ
V
A
单位
阳极电源= 6 V ，阻性负载，最初我
T
= 1 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
最大所需的直流门
电压触发
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
V
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
V
GD
I
GD
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
90
60
35
3.0
2.0
1.0
0.25
2.0
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.9
4
110
s
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
16TTS..S高电压系列
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
热和机械规格
参数
最高结温和存储
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境
大约重量
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
印刷电路板安装
(1)
测试条件
值
- 40 125
240
1.3
° C / W
40
2
0.07
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
16TTS08S
16TTS12S
g
盎司
单位
°C
日前，Vishay高功率产品
打标设备
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（ 140微米）铜40 ° C / W 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
马克斯imum通态平均功耗（ W）
125
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
110
105
100
95
90
0
2
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
25
DC
180°
120°
90°
60°
30°
20
导通角
15
RMS限制
10
导通时间
30°
60°
90°
120°
180°
4
6
8
10
12
5
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
峰值半正弦波通态电流（A ）
125
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
导通时间
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
180
160
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
110
105
100
95
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
通态平均电流（A）
30°
140
120
60°
90°
120°
180 °直流
100
16TTS..Series
80
1
10
100
等幅半 ycle电流脉冲数（N ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
马克斯imum通态平均功耗（ W）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
峰值半正弦波正向电流（ A）
18
200
180
160
140
120
100
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
导通角
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
16TTS ..系列
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
80
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
通态平均电流（A）
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
16TTS..S高电压系列
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
1000
16TTS ..系列
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
100
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0
1
2
3
4
5
瞬间在-ST吃电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
瞬态热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
10
稳态值
（直流操作）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
单脉冲
16TTS ..系列
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
100
瞬时栅极电压（V ）
矩形脉冲门
一）推荐负载线
额定的di / dt ： 10 V ， 20欧姆
TR = 0.5
微秒， TP > = 6微秒
对于b）建议负载线
＆ LT ; = 30 ％额定的di / dt ： 10 V ， 65欧姆
10
TR = 1微秒， TP > = 6微秒
（ 1 ） PGM = 40， TP = 1毫秒
（ 2 ） PGM = 20 W， TP = 2毫秒
（ 3 ） PGM = 8 W， TP = 5毫秒
（ 4 ） PGM = 4 W ， TP = 10毫秒
(a)
(b)
TJ = -10℃
TJ = 25 C
TJ = 125°C
1
VGD
IGD
0.1
0.001
0.01
(4)
(3)
(2)
(1)
16TTS ..系列
0.1
1
频率PG有限公司（ AV）
10
100
瞬时栅极电流（A ）
图。 9 - 门特点
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
5
VS- 16TTS..SPbF高压系列
威世半导体
表面贴装相位控制可控硅， 16 A
特点
2
阳极
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF
260℃最大峰值
符合RoHS指令2002/95 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
设计和工业级合格
D
2
PAK
1
阴极
3
门
应用
输入整流（软启动）
Vishay的输入二极管，开关和输出整流器哪些
在相同的封装外形可用
产品概述
V
T
在10 A
I
TSM
V
RRM
< 1.4 V
200 A
800 V/1200 V
描述
在VS- 16TTS..SPbF高压系列硅
整流器是专门为介质而设计
电源开关和相位控制的应用程序。玻璃
采用钝化技术具有运行可靠高达
125 ° C的结温。
输出电流在典型应用
应用
NEMA的FR-4或G- 10玻璃布型环氧
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
2.5
6.3
14.0
三相桥
3.5
9.5
18.5
A
单位
主要额定值及特点
符号
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
10 A，T
J
= 25 °C
特征
正弦波形
值
10
16
800/1200
200
1.4
500
150
- 40 125
单位
A
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
电压额定值
产品型号
VS-16TTS08SPbF
VS-16TTS12SPbF
V
RRM
，最大峰值
反向电压
V
800
1200
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
1200
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
10
文档编号： 94589
修订： 08 - 10年6月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- 16TTS..SPbF高压系列
威世半导体
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
√t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
保持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
符号
I
T（ AV ）
I
RMS
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
10 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
-
200
500
150
V / μs的
A / μs的
测试条件
T
C
= 98℃ ，180°导通，半正弦波
值
典型值。
马克斯。
10
16
170
200
144
200
2000
1.4
24.0
1.1
0.5
10
100
mA
A
2
s
A
2
√s
V
mΩ
V
A
单位
表面贴装
相位控制可控硅， 16 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载，最初我
T
= 1 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
最大所需的直流栅极电压来触发
V
GT
V
GD
I
GD
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
90
60
35
3.0
2.0
1.0
0.25
2.0
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.9
4
110
μs
单位
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94589
修订： 08 - 10年6月
VS- 16TTS..SPbF高压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 16 A
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境
大约重量
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
印刷电路板安装
(1)
威世半导体
测试条件
值
- 40 125
240
1.3
单位
°C
° C / W
40
2
0.07
16TTS08S
16TTS12S
g
盎司
打标设备
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（ 140微米）铜40 ° C / W 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
110
105
100
95
90
0
2
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
马克斯imum通态平均功耗（ W）
125
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
通态平均电流（A）
导通角
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
导通角
30°
60°
90°
120°
180°
4
6
8
10
12
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 3 - 通态功耗特性
马克斯imum通态平均功耗（ W）
125
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
导通时间
25
DC
180°
120°
90°
60°
30°
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
20
110
105
100
95
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
通态平均电流（A）
30°
15
RMS限制
10
导通时间
60°
90°
120°
180 °直流
5
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
通态平均电流（A）
图。 2 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
文档编号： 94589
修订： 08 - 10年6月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
VS- 16TTS..SPbF高压系列
威世半导体
表面贴装
相位控制可控硅， 16 A
峰值半正弦波正向电流（ A）
200
180
160
140
120
100
峰值半正弦波通态电流（A ）
180
160
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
140
120
100
16TTS..Series
80
1
10
100
等幅半 ycle电流脉冲数（N ）
16TTS ..系列
80
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
1000
16TTS ..系列
瞬时通态电流（A ）
100
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0
1
2
3
4
5
瞬间在-ST吃电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
瞬态热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
10
稳态值
（直流操作）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
单脉冲
16TTS ..系列
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94589
修订： 08 - 10年6月
VS- 16TTS..SPbF高压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 16 A
100
威世半导体
瞬时栅极电压（V ）
矩形脉冲门
一）推荐负载线
额定的di / dt ： 10 V ， 20欧姆
TR = 0.5
微秒， TP > = 6微秒
对于b）建议负载线
＆ LT ; = 30 ％额定的di / dt ： 10 V ， 65欧姆
10
TR = 1微秒， TP > = 6微秒
（ 1 ） PGM = 40， TP = 1毫秒
（ 2 ） PGM = 20 W， TP = 2毫秒
（ 3 ） PGM = 8 W， TP = 5毫秒
（ 4 ） PGM = 4 W ， TP = 10毫秒
(a)
(b)
TJ = -10℃
TJ = 25 C
TJ = 125°C
1
VGD
IGD
0.1
0.001
0.01
(4)
(3)
(2)
(1)
16TTS ..系列
0.1
1
频率PG有限公司（ AV）
10
100
瞬时栅极电流（A ）
图。 9 - 门特点
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
2
-
-
-
-
-
-
-
-
T
3
T
4
S
5
12
6
S
7
TRL的PbF
8
9
HPP产品后缀
额定电流
电路配置：
T =单晶闸管
包装：
T = TO- 220AC
硅类型：
S =标准恢复整流器
额定电压：电压代码×100 = V
RRM
S = TO-220
2
朴（ SMD - 220 ）版本
无=管
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
08 = 800 V
12 = 1200 V
9
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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www.vishay.com/doc?95046
www.vishay.com/doc?95054
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修订： 08 - 10年6月
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5
16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
描述/功能
2
阳极
该16TTS..S高压系列硅控
整流器是专为中等功率设计
切换和相位控制的应用程序。玻璃
采用钝化技术具有运行可靠高达
125 ° C的结温。
典型的应用是在输入整流（软启动）和
这些产品被设计为与Vishay HPP使用
输入二极管，开关和输出整流器它们是
可在相同的封装外形。
该产品的设计和合格的工业
的水平。
D
2
PAK
1
阴极
3
门
产品概述
V
T
在10 A
I
TSM
V
RRM
< 1.4 V
200 A
800/1200 V
输出电流在典型应用
应用
NEMA的FR-4或G10玻璃织物为基础的环氧
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
2.5
6.3
14.0
三相桥
3.5
9.5
18.5
A
单位
主要额定值及特点
参数
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
10 A，T
J
= 25 °C
测试条件
正弦波形
值
10
16
800/1200
200
1.4
500
150
- 40 125
单位
A
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
电压额定值
产品型号
V
RRM
，最大峰值
反向电压
V
800
1200
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
1200
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
10
16TTS08S
16TTS12S
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
√t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
保持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
符号
I
T（ AV ）
I
RMS
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
T = 0.1 10毫秒，无电压重新申请
10 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
C
= 98℃ ，180°导通，半正弦波
值
典型值。马克斯。
10
16
170
200
144
200
2000
1.4
24.0
1.1
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
-
200
500
150
V / μs的
A / μs的
0.5
10
100
mA
A
2
s
A
2
√s
V
mΩ
V
A
单位
阳极电源= 6 V ，阻性负载，最初我
T
= 1 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
最大所需的直流门
电压触发
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
V
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
V
GD
I
GD
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
90
60
35
3.0
2.0
1.0
0.25
2.0
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.9
4
110
s
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
16TTS..S高电压系列
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
热和机械规格
参数
最高结温和存储
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境
大约重量
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
印刷电路板安装
(1)
测试条件
值
- 40 125
240
1.3
° C / W
40
2
0.07
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
16TTS08S
16TTS12S
g
盎司
单位
°C
日前，Vishay高功率产品
打标设备
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（ 140微米）铜40 ° C / W 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
16TTS..S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
马克斯imum通态平均功耗（ W）
125
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
110
105
100
95
90
0
2
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
25
DC
180°
120°
90°
60°
30°
20
导通角
15
RMS限制
10
导通时间
30°
60°
90°
120°
180°
4
6
8
10
12
5
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
峰值半正弦波通态电流（A ）
125
最大允许外壳温度（ ℃）
120
115
导通时间
16TTS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 1.3 ° C / W
180
160
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
110
105
100
95
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
通态平均电流（A）
30°
140
120
60°
90°
120°
180 °直流
100
16TTS..Series
80
1
10
100
等幅半 ycle电流脉冲数（N ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
马克斯imum通态平均功耗（ W）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
峰值半正弦波正向电流（ A）
18
200
180
160
140
120
100
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
导通角
16TTS ..系列
T
J
= 125°C
16TTS ..系列
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
80
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
通态平均电流（A）
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
16TTS..S高电压系列
表面贴装阶段
控制可控硅， 16 A
1000
16TTS ..系列
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
100
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0
1
2
3
4
5
瞬间在-ST吃电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
瞬态热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
10
稳态值
（直流操作）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
单脉冲
16TTS ..系列
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
100
瞬时栅极电压（V ）
矩形脉冲门
一）推荐负载线
额定的di / dt ： 10 V ， 20欧姆
TR = 0.5
微秒， TP > = 6微秒
对于b）建议负载线
＆ LT ; = 30 ％额定的di / dt ： 10 V ， 65欧姆
10
TR = 1微秒， TP > = 6微秒
（ 1 ） PGM = 40， TP = 1毫秒
（ 2 ） PGM = 20 W， TP = 2毫秒
（ 3 ） PGM = 8 W， TP = 5毫秒
（ 4 ） PGM = 4 W ， TP = 10毫秒
(a)
(b)
TJ = -10℃
TJ = 25 C
TJ = 125°C
1
VGD
IGD
0.1
0.001
0.01
(4)
(3)
(2)
(1)
16TTS ..系列
0.1
1
频率PG有限公司（ AV）
10
100
瞬时栅极电流（A ）
图。 9 - 门特点
文档编号： 93698
修订： 04 -JUL- 08
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5
QQ：2880707522 复制
