订购数量： ENA1100
15GN01MA
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管
15GN01MA
特点
VHF到UHF频段高频开关，
高频通用扩增fi er应用
小的导通电阻[罗恩= 2Ω （ IB = 3毫安）。
小的输出电容[玉米棒= 1.1pF （ VCB = 10V ）。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
0.8mm)
2
条件
评级
15
8
3
50
400
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
输出导通电阻
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
罗恩
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 2V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IB = 3mA电流， F = 10kHz的
200
1.0
1.5
1.1
0.06
2.0
1.5
0.12
条件
评级
民
典型值
最大
0.5
0.5
400
GHz的
pF
V
Ω
单位
μA
μA
标记： ZA
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
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93009AB TK IM TC- 00002115号A1100-1 / 5
15GN01MA
的S参数（共发射极）
VCE = 5V ， IC = 5毫安， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
S
11
0.662
0.582
0.529
0.487
0.459
0.429
0.409
0.388
0.374
0.365
∠S
11
--25.65
--36.72
--47.21
--56.61
--65.82
--74.14
--82.44
--89.94
--96.79
--103.28
S
21
4.631
3.028
2.353
1.955
1.691
1.496
1.353
1.239
1.149
1.072
∠S
21
122.00
112.20
104.69
97.68
91.07
85.11
79.01
73.29
67.98
63.13
S
12
0.028
0.051
0.071
0.088
0.103
0.116
0.128
0.138
0.148
0.156
∠S
12
71.36
68.80
65.59
63.00
60.43
57.83
56.22
54.76
53.44
52.60
S
22
0.765
0.732
0.713
0.700
0.689
0.679
0.674
0.671
0.671
0.670
∠S
22
-
-10.50
-
-14.15
-
-17.91
-
-21.58
-
-25.23
-
-28.81
-
-32.38
-
-35.89
-
-39.34
-
-42.75
VCE = 5V ， IC = 10毫安， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
S11
0.587
0.502
0.444
0.405
0.381
0.356
0.342
0.329
0.319
0.315
∠S
11
--31.65
--46.40
--59.47
--70.80
--81.80
--91.29
--101.15
--109.42
-
-116.99
--124.06
S21
6.647
4.239
3.227
2.616
2.217
1.922
1.715
1.544
1.414
1.305
∠S
21
118.78
108.57
100.32
93.18
86.64
80.82
74.86
69.40
64.16
59.41
S12
0.026
0.046
0.064
0.079
0.093
0.105
0.115
0.125
0.135
0.144
∠S
12
71.86
68.22
65.90
63.91
62.30
60.39
59.29
58.34
57.86
57.47
S22
0.694
0.653
0.630
0.619
0.607
0.598
0.596
0.593
0.594
0.593
∠S
22
--11.96
-
-15.76
-
-19.10
-
-22.50
-
-25.83
-
-29.19
-
-32.72
-
-36.10
-
-39.48
-
-42.80
VCE = 5V ， IC = 20mA时， ZO = 50Ω
频率（MHz ）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
S11
0.505
0.417
0.369
0.341
0.328
0.316
0.311
0.306
0.304
0.306
∠S
11
--41.07
--60.49
--76.83
--90.31
--102.08
-
-112.57
--122.49
--130.50
--137.80
--144.30
S21
8.945
5.500
4.039
3.197
2.654
2.264
1.988
1.771
1.605
1.470
∠S
21
114.82
103.75
95.20
88.11
81.71
76.38
70.80
65.75
60.92
56.51
S12
0.023
0.042
0.056
0.070
0.082
0.094
0.104
0.115
0.125
0.135
∠S
12
71.42
69.03
67.39
66.22
65.43
64.49
64.03
63.95
64.09
64.16
S22
0.611
0.568
0.548
0.539
0.533
0.528
0.530
0.530
0.534
0.537
∠S
22
-
-13.64
-
-16.14
-
-18.89
-
-21.75
-
-24.77
-
-27.99
-
-31.32
-
-34.57
-
-37.93
-
-41.24
第A1100-4 / 5
15GN01MA
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