新产品
VS- 15AWL06FN -M3 ， VS- 15EWL06FN -M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
特点
超快恢复时间，极低的V
F
和
软恢复
175°C最高工作结温
对于DCM PFC操作
VS-15AWL06FN-M3
阴极基地
4, 2
VS-15EWL06FN-M3
2, 4
低漏电流
符合RoHS指令2002/95 / EC
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
1
阳极
3
阳极
1
N / C
3
阳极
说明/应用
最先进的技术，超低V
F
，软开关超快
整流器的连续优化（严重）模式（ DCM ）
功率因数校正（ PFC ） 。
的最小的导通损耗，优化存储的电荷
和低恢复电流最小化开关损耗和
降低了损耗在开关元件和
缓冲器。
该装置还打算用作续流二极管
在电源和其它电源开关应用。
D- PAK （ TO- 252AA ）
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
（典型值）。
T
J
马克斯。
二极管的变化
D- PAK （ TO- 252AA ）
15 A
600 V
1.05 V
60纳秒
175 °C
单芯片
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 148 °C
T
J
= 25 °C
T
C
= 148 ° C，F = 20 kHz时， D = 50 ％
测试条件
值
600
15
180
30
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.99
0.85
-
-
11
8
马克斯。
-
1.05
0.92
10
120
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 93568
修订： 15 -APR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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新产品
VS- 15AWL06FN -M3 ， VS- 15EWL06FN -M3
威世半导体
超低V
F
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 15 A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
60
190
220
290
21
25
2.6
4
马克斯。
120
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
μC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结每腿区分
热阻，
每个路口站到环境
大约重量
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
测试条件
分钟。
- 65
-
-
典型值。
-
1.4
-
0.3
0.01
机箱样式D- PAK （ TO- 252AA ）
15AWL06FN
15EWL06FN
马克斯。
175
1.8
° C / W
70
g
盎司
单位
°C
打标设备
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超低V
F
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
威世半导体
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
T
J
= 175 °C
I
R
- 反向电流（ μA ）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
93236_02
0
100
200
300
400
500
600
93236_01
V
F
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 典型正向压降特性
100
C
T
- 结电容（pF ）
10
1
0
93236_03
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
0.1
单身
脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
0.1
1
93236_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 93568
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威世半导体
超低V
F
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
180
170
350
160
150
140
130
120
0
93236_05
允许外壳温度（ ℃）
450
400
DC
300
I
F
= 15 A，T
J
= 125 °C
t
rr
（纳秒）
250
200
150
100
50
I
F
= 15 A，T
J
= 25 °C
方
波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
SEE
注（1）
5
10
15
20
25
0
100
93236_07
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
20
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
5000
4500
I
F
= 15 A，T
J
= 125 °C
平均功耗（ W）
15
RMS限制
4000
Q
rr
（ NC ）
3500
3000
2500
2000
1500
100
I
F
= 15 A，T
J
= 25 °C
10
5
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
0
0
93236_06
5
10
15
20
25
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
93236_08
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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F
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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