15ETH06PbF/15ETH06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
15 A FRED铂
TM
特点
15ETH06PbF
15ETH06FPPbF
超高速恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
单芯片中心抽头模块
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
BASE
阴极
2
全隔离封装（V
插件
= 2500 V
RMS
)
UL E78996批准
=铅（Pb ） - 免费
设计和工业级合格
1
阴极
3
阳极
1
阴极
3
阳极
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间，和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源，逆变器或随心所欲的AC- DC部分
二极管。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
TO-220AC
TO- 220全白
产品概述
t
rr
（典型值）
I
F（ AV ）
V
R
22纳秒
15 A
600 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
T
C
= 140 °C
T
C
= 80 ° C（ FULL - PAK ）
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 ° C（ FULL - PAK ）
测试条件
值
600
15
120
180
30
- 65 175
°C
A
单位
V
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 A
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.8
1.3
0.2
30
20
8.0
马克斯。
-
2.2
1.6
50
500
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
I
R
C
T
L
S
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94002
修订： 28 08年5月
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
15ETH06PbF/15ETH06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
超快整流器，
15 A FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 15 A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 800 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
22
28
29
75
3.5
7
57
300
51
20
580
马克斯。
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
反向恢复时间
峰值恢复电流
反向恢复电荷
nC
ns
A
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
每腿
（ FULL - PAK ）每腿
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
机箱样式TO- 220AC
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
典型值。
-
1.0
3.0
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
1.3
3.5
70
-
-
-
12
(10)
15ETH06
15ETH06FP
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
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2
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文档编号： 94002
修订： 28 08年5月
15ETH06PbF/15ETH06FPPbF
超快整流器，
15 A FRED铂
TM
100
1000
T
J
= 175 °C
日前，Vishay高功率产品
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
T
J
= 150 °C
10
1
0.1
0.01
0.001
0
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
.
10
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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15ETH06PbF/15ETH06FPPbF
日前，Vishay高功率产品
10
超快整流器，
15 A FRED铂
TM
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
180
180
允许外壳温度（ ℃）
允许外壳温度（ ℃）
170
160
150
140
130
120
110
0
5
10
15
20
25
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
r
应用的
DC
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
见注（ 1 ）
方
WAVE
(D = 0.50)
80
额定％
V
r
应用的
DC
见注（ 1 ）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
35
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
平均功耗（ W）
30
25
RMS限制
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D）的（参见图8） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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修订： 28 08年5月
15ETH06PbF/15ETH06FPPbF
超快整流器，
15 A FRED铂
TM
100
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
80
800
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
1000
V
R
= 390
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
日前，Vishay高功率产品
40
Q
rr
（ NC ）
V
R
= 390
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
t
rr
（纳秒）
60
600
400
20
200
0
100
0
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
V
R
= 200
V
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
下
曲线定义
by
t
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
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修订： 28 08年5月
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5
公告PD- 20886转。一个10/06
15ETH06PbF
15ETH06FPPbF
超快整流器
特点
Hyperfastfast恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C工作结温
单芯片中心抽头模块
UL E78996批准
无铅（ "PbF" ）
t
rr
= 22ns （典型值） 。
I
F（ AV ）
= 15Amp
V
R
= 600V
说明/应用
态的技术超高速恢复二极管的设计的正向压降的优化性能，
超快恢复时间和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制保证了最佳的整体性能，耐用性
和可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段在开关电源，逆变器，或作为续流的交流 - 直流部
二极管。
红外极其优化的存储电荷和低恢复电流减小开关损耗，并降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
绝对最大额定值
参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
反向重复峰值电压
平均正向电流整流@ T
C
= 140°C
@ T
C
= 80 ° C（ FULLPACK ）
非重复峰值浪涌电流@ T
J
= 25°C
（ FULLPACK ）
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
120
180
30
- 65 175
°C
最大
600
15
单位
V
A
表壳款式
15ETH06PbF
15ETH06FPPbF
BASE
阴极
2
1
1
3
3
阴极
阳极
阴极
阳极
TO-220AC
www.irf.com
的TO-220 FULLPACK
1
15ETH06PbF ， 15ETH06FPPbF
公告PD- 20886转。一个10/06
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
BR
, V
r
V
F
击穿电压，
阻断电压
正向电压
最小值典型值最大值单位测试条件
600
-
-
-
1.8
1.3
0.2
30
20
8.0
-
2.2
1.6
50
500
-
-
V
V
V
μA
μA
pF
nH
I
R
= 100μA
I
F
= 15A ，T
J
= 25°C
I
F
= 15A ，T
J
= 150°C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150℃ ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600V
测铅铅从封装体5毫米
I
R
反向漏电流
-
-
C
T
L
S
结电容
串联电感
-
-
动态恢复特性@ T
C
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
t
rr
反向恢复时间
最小值典型值最大值单位测试条件
-
-
22
28
29
-
75
3.5
7
57
300
51
20
580
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
A
nC
T
J
= 125°C
nC
A
-
ns
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 15A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 15A
di
F
/ DT = 800A / μs的
V
R
= 390V
I
F
= 15A
di
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 390V
I
RRM
峰值恢复电流
-
-
Q
rr
反向恢复电荷
-
-
t
rr
I
RRM
Q
rr
反向恢复时间
峰值恢复电流
反向恢复电荷
-
-
-
热 - 机械特性
参数
T
J
T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热电阻，案件散热器
重量
安装力矩
每腿
每腿
（ Fullpack ）每腿
民
-
- 65
-
-
-
-
-
-
6.0
5.0
典型值
-
-
1.0
3.0
-
0.5
2.0
0.07
-
-
最大
175
175
1.3
3.5
70
-
-
-
12
10
单位
°C
° C / W
g
（盎司）
公斤 - 厘米
lbf.in
典型的插座安装
安装表面平整，光滑和脂润滑
2
www.irf.com
15ETH06PbF ， 15ETH06FPPbF
公告PD- 20886转。一个10/06
100
反向电流 - I
R
(μA)
1000
100
10
1
0.1
25C
T
J
= 175C
150C
125C
100C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.01
0.001
T = 175℃
J
0
0
100
200
300
400
500
600
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
10
T = 150℃
J
中T = 25℃
J
1000
结电容 - C
T
（PF ）
T J = 25°C
100
1
0.5
10
1
1.5
2
2.5
3
0
100
200
300
400
500
600
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
1
0.1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
注意事项：
P
DM
t1
t2
单脉冲
（热电阻）
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特征
1
10
www.irf.com
3
15ETH06PbF ， 15ETH06FPPbF
公告PD- 20886转。一个10/06
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
P
DM
t1
t2
0.1
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 5 - 最大。热抗Z
thJC
特性（ FULLPACK ）
180
允许外壳温度（ ℃）
允许外壳温度（ ℃）
180
160
140
120
100
80
60
方波（ D = 0.50 ）
40
80 ％额定Vr的应用
20
见说明（ 3 ）
0
0
4
8
12
16
20
24
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
DC
170
160
DC
150
140
130
80 ％额定Vr的应用
120
见说明（ 3 ）
110
0
5
10
15
20
25
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 马克斯。允许外壳温度
与平均正向电流
方波（ D = 0.50 ）
图。 7 - 马克斯。允许外壳温度
与平均正向电流（ FULLPACK ）
35
平均功耗（瓦）
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
(3)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗=
I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D)
（参照图8 ）;
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
(1 - D);
I
R
@ V
R1
=额定V
R
RMS限制
图。 8 - 正向功率损耗特性
4
www.irf.com
15ETH06PbF ， 15ETH06FPPbF
公告PD- 20886转。一个10/06
100
IF = 30 A
IF = 15 A
1000
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
80
800
IF = 30 A
IF = 15 A
40
QRR （ NC ）
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
60
TRR （ NS ）
600
400
20
200
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
反向恢复电路
V
R
= 200V
0.01
Ω
L = 70μH
D.U.T.
DIF / DT
调整
di
F
/ DT
D
G
IRFP250
S
图。 11-反向恢复参数测试电路
www.irf.com
5
VS- 15ETH06PbF ， VS- 15ETH06FPPbF
威世半导体
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
特点
超高速恢复时间
低正向压降
175 ° C的工作结温
TO-220AC
BASE
阴极
2
TO- 220全白
低漏电流
单芯片中心抽头模块
全隔离封装（V
插件
= 2500 V
RMS
)
UL E78996待定
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
1
阴极
3
阳极
1
阴极
3
阳极
VS-15ETH06PbF
VS-15ETH06FPPbF
说明/应用
设计与艺术超快恢复二极管的状态
的正向压降的优化性能，超快
恢复时间，和软恢复。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制
保证最佳的整体性能，耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于在PFC升压阶段，在
开关电源，逆变器，或作为续流的交流/直流部
二极管。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
TO- 220AC ， TO- 220FP
15 A
600 V
2.2 V
22纳秒
175 °C
单芯片
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
T
C
= 140 °C
T
C
= 80 ° C（ FULL - PAK ）
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 ° C（ FULL - PAK ）
测试条件
值
600
15
120
180
30
- 65 175
°C
A
单位
V
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，阻断电压
正向电压
符号
V
BR
, V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 15 A
I
F
= 15 A，T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ，V
R
= V
R
评级
V
R
= 600 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.8
1.3
0.2
30
20
8.0
马克斯。
-
2.2
1.6
50
500
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号： 94002
修订： 28 -APR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 15ETH06PbF ， VS- 15ETH06FPPbF
威世半导体
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 15 A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的，V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 800 A / μs的
V
R
= 390 V
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 390 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
22
28
29
75
3.5
7
57
300
51
20
580
马克斯。
30
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
反向恢复时间
峰值恢复电流
反向恢复电荷
nC
ns
A
nC
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
热阻，
结到外壳
热阻，
每个路口站到环境
热阻，
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式TO- 220AC
机箱样式TO- 220 FULL- PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
典型的插座安装
安装面，平整，光滑
与润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
1.0
3.0
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
1.3
3.5
70
-
-
-
12
(10)
15ETH06
15ETH06FP
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
° C / W
单位
°C
（ FULL - PAK ）
100
1000
T
J
= 175 °C
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
T
J
= 150 °C
10
1
0.1
0.01
0.001
0
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
100
200
300
400
500
600
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订： 28 -APR- 11
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www.vishay.com
2
VS- 15ETH06PbF ， VS- 15ETH06FPPbF
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
威世半导体
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
100
200
300
400
500
600
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
.
10
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
0.01
0.1
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
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威世半导体
180
超快整流器， 15 A弗雷德·铂
35
允许外壳温度（ ℃）
160
150
140
130
120
110
0
5
10
平均功耗（ W）
170
DC
30
25
RMS限制
20
15
10
5
0
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
r
应用的
见注（ 1 ）
15
20
25
0
5
10
15
20
25
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
180
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
允许外壳温度（ ℃）
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
24
见注（ 1 ）
0
100
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
r
应用的
80
DC
t
rr
（纳秒）
60
40
20
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
1000
V
R
= 390 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
800
Q
rr
（ NC ）
600
400
200
0
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 10 - 典型的存储电荷主场迎战的dI
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D）的（参见图8） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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威世半导体
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 11 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 12 - 反向恢复波形和定义
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