订购数量： ENN7508
15C01SS
NPN外延平面硅晶体管
15C01SS
低频
通用运算放大器应用
应用
包装尺寸
单位：mm
2159A
[15C01SS]
顶视图
1.4
SIDE VIEW
低频放大器，噪声抑制电路。
特点
0.3
大电流电容。
低集电极 - 发射极间的饱和电压（电阻） 。
RCE （SAT）典型值= 0.58Ω [ IC = 0.7A ， IB = 35毫安。
超小型，超薄扁平引脚封装
(1.4mm!0.8mm!0.6mm).
小的导通电阻（ RON） 。
0.3
0.25
0.1
3
0.8
1.4
底部视图
1
0.45
0.2
2
0.07
SIDE VIEW
3
0.6
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： SSFP
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ！ 30 ！ 1.6毫米）
条件
评级
20
15
5
600
1.2
200
150
--55到150
0.07
2
1
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = 15V ， IE = 0
VEB = 4V ， IC = 0
VCE = 2V ， IC = 10毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC =的200mA， IB = 10毫安
300
330
3.2
150
0.9
300
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
800
兆赫
pF
mV
V
单位
A
A
标记： YP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O3003 TS IM TA- 100251 No.7508-1 / 4
15C01SS
从接下页。
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IC = 10μA ， IE = 0
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
条件
评级
民
20
15
5
30
77
40
典型值
最大
单位
V
V
V
ns
ns
ns
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50
+
220F
VBE = --5V
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
+
470F
VCC=5V
RB
RL
200
IC - VCE
mA
0.9
0.8m
A
800
IC - VBE
VCE=2V
180
0.7mA
700
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
160
0.6mA
1.0mA
140
120
100
80
0.5mA
600
500
400
300
200
100
0.4mA
0.3mA
0.2mA
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1mA
IB=0
1.8
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05491
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
IT05490
1000
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
VCE （SAT） - IC
VCE=2V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - 毫伏
7
5
3
2
25°C
直流电流增益， hFE参数
Ta=75
°
C
3
2
--25
°C
100
7
5
3
2
100
7
5
3
1.0
C
5
°
C
=7
5
°
Ta
--2
25
°
C
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
IT05492
10
1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
TA
7
IC / IB = 20
2
3
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
5 7 1000
IT05493
No.7508-2/4
15C01SS
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
本产品目录提供的信息截至10月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7508-4 / 4
订购数量： EN7508A
15C01SS
三洋半导体
数据表
15C01SS
应用
NPN外延平面硅晶体管
低频
通用扩增fi er应用
低频放大器呃，静音电路
特点
电流容量大
低集电极 - 发射极饱和电压（电阻） ： RCE （SAT）典型值= 0.58
Ω
[ IC = 0.7A ， IB = 35毫安]
超小型，超薄扁平的引线封装（ 1.4毫米× 0.8毫米× 0.6毫米）
小的导通电阻（ RON）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ×30× 1.6毫米）
条件
评级
20
15
5
600
1.2
200
150
-
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7029A-002
1.4
0.3
0.25
3
0至0.02
0.1
产品&包装信息
包
：自由进动
JEITA ， JEDEC
： SC- 81
最小包装数量： 8000个/卷。
15C01SS-TL-E
包装类型： TL
记号
1.4
0.8
LOT号
LOT号
0.3
1
2
YP
0.45
0.6
0.2
TL
电气连接
1
2
0.07
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： SSFP
3
1
0.07
3
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
71812 TKIM / O3003 TSIM TA- 100251 No.7508-1 / 6
15C01SS
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
VCB = 15V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 10毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
20
15
5
30
77
40
300
330
3.2
150
0.9
300
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
800
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
220μF
VBE = --5V
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
+
470μF
VCC=5V
RB
RL
订购信息
设备
15C01SS-TL-E
包
自由进动
航运
8,000pcs./reel
备忘录
无铅
200
IC - VCE
mA
0.9
0.8m
A
0.7mA
0.6mA
800
700
IC - VBE
VCE=2V
180
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
160
1.0mA
140
120
100
80
0.5mA
600
500
400
300
200
100
0.4mA
0.3mA
0.2mA
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1mA
IB=0
1.8
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05491
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT05490
基极发射极电压VBE - V
TA
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
No.7508-2/6
订购数量： EN7508A
15C01SS
双极晶体管
15V ， 0.6A ，低VCE （ sat）的NPN单SSFP
应用
http://onsemi.com
低频放大器呃，静音电路
特点
电流容量大
低集电极 - 发射极饱和电压（电阻） ： RCE （SAT）典型值= 0.58
Ω
[ IC = 0.7A ， IB = 35毫安]
超小型，超薄扁平的引线封装（ 1.4毫米× 0.8毫米× 0.6毫米）
小的导通电阻（ RON）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ×30× 1.6毫米）
条件
评级
20
15
5
600
1.2
200
150
-
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7029A-002
1.4
0.3
0.25
3
0至0.02
0.1
产品&包装信息
包
：自由进动
JEITA ， JEDEC
： SC- 81
最小包装数量： 8000个/卷。
15C01SS-TL-E
包装类型： TL
记号
1.4
0.8
LOT号
LOT号
0.3
1
2
YP
0.45
0.6
0.2
TL
电气连接
1
2
0.07
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
自由进动
3
1
0.07
3
2
半导体元件工业有限责任公司， 2013
八月， 2013
71812 TKIM / O3003 TSIM TA- 100251 No.7508-1 / 6
15C01SS
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
VCB = 15V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 10毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
20
15
5
30
77
40
300
330
3.2
150
0.9
300
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
800
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
220μF
VBE = --5V
IC = 20IB1 = --20IB2 = 500毫安
+
470μF
VCC=5V
RB
RL
订购信息
设备
15C01SS-TL-E
包
自由进动
航运
8,000pcs./reel
备忘录
无铅
200
IC - VCE
mA
0.9
0.8m
A
0.7mA
0.6mA
800
700
IC - VBE
VCE=2V
180
集电极电流， IC - 毫安
集电极电流， IC - 毫安
160
1.0mA
140
120
100
80
0.5mA
600
500
400
300
200
100
0.4mA
0.3mA
0.2mA
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1mA
IB=0
1.8
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05491
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT05490
基极发射极电压VBE - V
TA
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
No.7508-2/6
QQ：2880707522 复制
