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中国广东省东莞市H芳族
ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
TO- 92塑封装晶体管
www.harom.cn
3DD13001
晶体管（ NPN ）
TO-92
特点
电源开关应用
1.基地
2.收集
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
600
400
7
0.2
0.75
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
3.辐射源
1 2 3
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
f
t
S
TEST
条件
民
600
400
7
100
200
100
10
5
0.5
1.2
8
0.3
1.5
V
V
兆赫
μs
μs
40
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
CE
= 400V ，我
B
=0
V
EB
=
7V ，我
C
=0
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA下
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.25毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 10毫安
V
CE
= 20V ，我
C
=20mA
F = 1MHz的
V
CC
= 45V ，我
C
=50mA
I
B1
= -I
B2
=5mA
分类h及
FE(1)
范围
10-13
13-16
16-19
19-22
22-25
25-28
28-31
31-34
34-37
37-40
典型特征
3DD13001
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
MJE系列晶体管
特点
应用：
高电压能力
日光灯
高速开关
电子镇流器
范围的SOA
MJE13001
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
TC=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
价值
500
400
9
0.3
7
150
-65-150
TO-92
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电子特性
特征
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极饱和电压
Tc=25°C
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
VCES
测试条件
V
CB
=500V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
= 0.05A ，我
B
=0.01A
I
C
=0.1A,I
B
=0.02A
I
C
=0.3A,I
B
=0.1A
I
C
=0.1A,I
B
=0.02A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
8
10
8
2.0
0.8
S
40
V
CE
=5V,I
C
=20mA
V
CE
=5V,I
C
=200mA
V
CC
=250V,
I
C
=5I
B
I
B1
= -I
B2
=0.04A
400
9
0.5
1.0
3.0
1.5
V
V
民
最大
100
250
单位
A
A
V
V
基射极饱和电压
直流电流增益
V
BES
h
FE
t
S
t
f
贮存时间
下降时间
硅半导体
2004.10
1
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
MJE系列晶体管
SOA （DC）的
120
100
MJE13001
%
1
IC （ A）
Pc
Tj
0.1
80
I
S / B
60
P合计
0.01
40
20
0.001
1
的hFE
10
100
的Vce （V）的
0
1000
0
50
100
150
TJ （
)
200
h
FE
- 集成电路
100
100
的hFE
h
FE
- 集成电路
Tj=125
Tj=25
Tj=125
Tj=25
10
TJ ？
40
10
TJ ？
40
Vce=1.5V
Vce=5V
1
0.001
0.01
0.1
IC （ A）
1
1
0.001
0.01
0.1
IC （ A）
1
10
VCES （ V）
h
FE
=5
VCES - IC
1.4
Tj=125
Vbes （ v）的
h
FE
=5
Vbes - IC
TJ ？
40
Tj=25
1.2
1
0.8
0.6
1
Tj=125
TJ ？
40
Tj=25
0.1
0.4
0.2
0.01
0.01
0.1
IC （ A）
1
0
0.01
IC （ A）
0.1
1
硅半导体
2004.10
2
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
TO- 92机械数据
单位
符号
A
b
c
D
D
d
E
e
e1
L
L1
12.7
2.0
民
4.3
0.3
0.3
4.3
1.0
3.2
2.54
1.27
5.2
1.7
4.2
喃
最大
5.3
mm
硅半导体
2004.10
3
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1300061706
1300061713
130-009
130-010
1300100315
1300101118
1300130235
1300131001
130017-0004
1300170011
1300170012
1300170015
130017-0023
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    13001
    -
    -
    -
    -
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13001
JXND/嘉兴南电
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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国产
2019
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TO-92
原装正品 钻石品质 假一赔十
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