公告PD- 21089转。一个05/06
12CWQ06FNPbF
肖特基整流器器
12 AMP
I
F（ AV ）
= 12Amp
V
R
= 60V
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5
μs
正弦
V
F
T
J
@ 6 APK ，T
J
= 125°C
（每站）
范围
描述/功能
单位
A
V
A
V
该12CWQ06FNPbF表面贴装，中心抽头，肖特基
整流器系列已被设计用于要求低的应用
正向压降和PC板的小脚印。典型应用
系统蒸发散在磁盘驱动器，开关电源，转换器，自由
续流二极管，电池充电和反向电池保护。
流行的D- PAK大纲
中心抽头配置
小脚印，表面贴装
低正向压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期可靠性
无铅（ "PbF"后缀）
值
12
60
320
0.57
- 55 150
°C
表壳款式
BASE
常见
阴极
4
2
常见
1阴极
3
阳极
阳极
D- PAK （ TO- 252AA ）
www.irf.com
1
12CWQ06FNPbF
公告PD- 21089转。一
05/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
12CWQ06FNPbF
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
Max.AverageForward （每腿）
电流*见图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
（每设备）
Max.PeakOneCycleNon重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非Repet.Avalan 。能源（ PerLeg ）
重复性雪崩电流
（每站）
12CWQ单位...
6
12
320
105
7
0.8
A
mJ
A
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 131 ° C，矩形波的形式
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.2安培， L = 10毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
（每腿） *见图。 1
(1)
12CWQ单位...
0.61
0.79
0.57
0.72
3
35
0.36
24.14
360
5.0
V
V
V
V
mA
mA
V
mΩ
条件
@ 6A
@ 12A
@ 6A
@ 12A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
马克斯。反向漏电流
（每腿） *见图。 2
(1)
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
典型值。结电容（每腿）
典型的串联电感（每腿）
pF
nH
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
12CWQ单位...
- 55 150
- 55 150
3.0
1.5
0.3 (0.01)
克（盎司）。
°C
°C
条件
R
thJC
马克斯。热阻（每腿）
结到外壳
wt
大约重量
机箱样式
打标设备
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
° C / W DC操作
*请参阅图。 4
（每设备）
D- PAK
12CWQ06FN
类似TO- 252AA
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
VS-12CWQ06FNPbF
威世半导体
肖特基整流器， 2× 6的
BASE
常见
阴极
4
特点
??流行的D- PAK大纲
??中心抽头配置
??小脚印，表面贴装
低正向压降
D- PAK （ TO- 252AA ）
2
常见
阴极
1
3
阳极
阳极
??高频工作
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （ TO- 252AA ）
2x6A
60 V
0.57 V
35毫安在125℃下
150 °C
共阴极
7兆焦耳
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
描述
在VS- 12CWQ06FNPbF表面贴装，中心抽头，
肖特基整流器系列已被设计为应用
要求低正向压降和小脚印在PC上
板。典型的应用是在磁盘驱动器，开关
电源，转换器，续流二极管，电池
充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
6 APK ，T
J
= 125°C （每站）
范围
特征
方波
值
12
60
320
0.57
- 55 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-12CWQ06FNPbF
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
每腿非重复性雪崩能量
每腿重复雪崩电流
每腿
I
F（ AV ）
每个器件
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
50％的占空比在T
C
= 131 ℃，矩形波形
12
320
A
105
7
0.8
mJ
A
符号
测试条件
值
6
A
单位
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.2 A，L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
文档编号： 94134
修订： 14 -JAN- 11
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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1
VS-12CWQ06FNPbF
威世半导体
电气规格
参数
最大正向
每脚的电压降
参见图。 1
最大反向
每腿漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
每腿典型结电容
每腿典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
符号
6A
V
调频（1）
12 A
6A
12 A
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围为100kHz至1MHz ），25 ℃下
测量导致引线5毫米封装体
35
0.36
24.14
360
5.0
V
m
pF
nH
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
值
0.61
0.79
0.57
0.72
3
mA
V
单位
肖特基整流器， 2× 6的
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到外壳
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
每腿
每个器件
R
thJC
测试条件
值
- 55 150
单位
°C
° C / W
g
盎司
直流操作
见图。 4
3.0
1.5
0.3
0.01
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
12CWQ06FN
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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2
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VS-12CWQ06FNPbF
肖特基整流器， 2× 6的
威世半导体
100
100
T
J
= 150 °C
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（mA ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
T
J
= 75 °C
0.1
T
J
= 50 °C
0.01
T
J
= 25 °C
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
0.001
0
10
20
30
40
50
60
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
P
DM
t
1
t
2
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
.
1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
VS-12CWQ06FNPbF
威世半导体
155
肖特基整流器， 2× 6的
6
5
4
3
2
DC
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
允许外壳温度（ ℃）
150
145
140
135
130
125
120
115
110
见注（ 1 ）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
DC
平均功耗（ W）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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VS-12CWQ06FNPbF
肖特基整流器， 2× 6的
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
12
2
C
3
W
4
Q
5
06
6
FN
7
TRL的PbF
8
9
威世半导体产品
额定电流（ 12 A）
中心抽头配置 -
包装标识：
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
电压额定值（ 06 = 60 V）
FN = TO- 252AA
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
9
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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