订购数量： ENN7484
12A02S
PNP外延平面硅晶体管
12A02S
低频
通用运算放大器应用
应用
包装尺寸
单位：mm
2106A
[12A02S]
低频放大器，高速开关，
小型电机驱动，静音电路。
特点
0.5 0.5
1.6
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： SMCP
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ！ 30 ！ 1.6毫米）
条件
评级
--15
--12
--5
--0.8
--1.6
200
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = --12V ， IE = 0
VEB = --4V ， IC = 0
VCE = --2V ， IC = --10mA
VCE = --2V ， IC = --50mA
300
450
条件
评级
民
典型值
最大
--100
--100
700
兆赫
单位
nA
nA
标记： XK
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O2203 TS IM TA- 100607 No.7484-1 / 4
0.1max
大电流电容。
低集电极 - 发射极间的饱和电压（电阻） 。
RCE （SAT）典型值= 285mΩ [ IC = 1A ， IB = 50毫安] 。
超小型封装有利于小型化到底
产品。
小的导通电阻（ RON） 。
0.3
0.75
0.6
0.4 0.8 0.4
1.6
3
0-0.1
1
2
0.2
0.1
接下页。
12A02S
从接下页。
参数
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = --10V ， F = 1MHz的
IC = --400mA ， IB = --20mA
IC = --400mA ， IB = --20mA
IC = --10μA ， IE = 0
IC = --1mA ， RBE = ∞
IE = -
-10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--15
--12
--5
30
75
15
评级
民
典型值
6
--120
--0.9
--240
--1.2
最大
单位
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
开关时间测试电路
IB1
产量
IB2
VR
50
RB
PW=20s
D.C.≤1%
输入
RL
+
470F
VCC = --5V
+
220F
VBE=5V
IC = 20IB1 = --20IB2 = --400mA
--1000
IC - VCE
mA
--20
m
--30
--1200
IC - VBE
VCE = --2V
A
--900
A
10m
5m
--
--1
A
--7mA
--1000
集电极电流， IC - 毫安
--5mA
--3mA
--2mA
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
0
集电极电流， IC - 毫安
--800
--800
--1mA
--0.5mA
--200
IB=0
--100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT05095
集电极 - 发射极电压VCE - 毫伏
1000
IT05094
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
--1.0
2
3
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
VCE （SAT） - IC
--25
°
C
--400
TA
75
°
C
2
5
°
C
--600
VCE = --2V
Ta=75
°C
25
°C
IC / IB = 20
7
5
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - 毫伏
直流电流增益， hFE参数
--25°C
3
2
5
°
C
TA
°
C
75
5
°
C
--2
2
100
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
集电极电流， IC - 毫安
5 7--1000
IT05096
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
集电极电流， IC - 毫安
5 7--1000
IT05097
No.7484-2/4
12A02S
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
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更改，恕不另行通知。
PS No.7484-4 / 4
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