低功耗四核
运算放大器连接器
124
逻辑图
F
EATURES
:
R
AD
-P
AK
技术，强化对自然空间辐射
ATION
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
- SELTH LET = > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
封装： -14针抗辐射PAK扁平封装
为单位增益内部频率补偿
大DC电压增益
宽的带宽（单位增益） ： 1兆赫
大输出电压摆幅0V至V + -1.5V
输入共 - 模电压范围包括地面
宽电源电压范围：
- 单电源3V至32V
- 双电源± 1.5V至± 16V
极低的电流消耗（主要是独立供应
电压） ： 700微安
低输入偏置电流： 45 nA的
低输入失调电压和电流： 2mV的，消耗5nA
差分输入电压范围等于电源
电压
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术的124独立的，高增益，内部
频率补偿的运算放大器具有一
大于100拉德（ Si）的总剂量耐受性，这取决于
在太空任务。利用麦克斯韦抗辐射
RAD- PAK包装技术， 124的设计specifi-
美云从单个电源在很宽的范围内工作
的电压。 124还采用了从分裂电源操作
用品，和低电源电流消耗是indepen-
凹痕的电源电压的幅度。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
内存
02年2月4日第5版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
2002麦克斯韦技术
版权所有。
低功耗四路运算放大器
T
ABLE
1. P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
1, 7, 8, 14
2, 6, 9, 13
3, 5, 10, 12
4
11
S
YMBOL
输出1 - 4
INPUT 1 - 4-
INPUT 1 + - 4+
V+
GND
D
ESCRIPTION
OUPUT
INPUT （ - ）
INPUT （ + ）
电源
地
124
T
ABLE
2. 124 A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
差分输入电压
输入电压
输入电流（V
IN
< -0.3V ）
1
输出短路到地（一个放大器）
V + < 15V ， TA = 25℃
2
存储温度范围
工作温度范围
ESD容差
3
T
S
T
A
-65
-55
150
125
250
-0.3
S
YMBOL
V+
M
IN
M
AX
32
32
+32
50
U
NIT
V
V
V
mA
连续
°C
°C
V
内存
1.当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将仅存在。这是由于这样的集电极 - 基极
输入PNP晶体管的结成为正向偏置，从而作为输入二极管钳位。除此之外
二极管动作，也有在IC芯片上侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致输出
所述运算放大器的电压去V +电压电平（或对地大的过驱动）的持续时间，一个输入是
负电。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，
再次返回到一个值大于-0.3V （在25℃ ） 。
从输出到V + 2，短路可能引起过热和最终销毁。当考虑短路到
地，最大输出电流是V +的大小约为40毫安独立。在电源电压的值
超过+ 15V ，连续短路可能超过功耗额定值，导致最终销毁。
破坏性的功耗可能会导致从所有放大器同时短裤。
3.人体模型，有1.5
串联100pF的。
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC
V
ARIATION
± 10％的规定值的表4中
02年2月4日第5版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
2
2002麦克斯韦技术
版权所有。
低功耗四路运算放大器
T
ABLE
4. 124 E
LECTRICAL
C
极特
（V + = 5.0V ，T
A
= -55
TO
+125°C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电流
S
YMBOL
I
CC
T
美东时间
C
ONDITIONS
在整个温度范围
RL =
∞
在所有的运算放大器
V+ = 30V
V+ = 5V
DC ，V
CM
= 0V至V + -1.5V ，
T
A
= 25°C
V + = 5V至30V
T
A
= 25°C
F = 1千赫至20千赫，T
A
= 25°C
（输入参考）
I
OS
V
IO
R
S
= 0
I
OS
LIB
I
IN
(+)-I
IN
(-), V
CM
= 0V
R
S
= 0
I
IN
（ + ）或I
IN
(-)
V+ = +30V
A
VS
V+ = +15V
(V
O
摆动= 1V至11V ）
RL> 2 KΩ
V + = 30V ，R
L
= 2 k
R
L
= 10 k
V + = 5V ，R
L
= 10 k
VO = 2V ，V
IN +
= +1V
V
IN-
= 0V
V
+
= 15V
V
IN +
= +1V
V
IN-
= 0V
V
+
= 15V
1, 2, 3
1, 2, 3
V + = 15V ， TA = 25℃
S
UB
G
ROUPS
1, 2, 3
1.5
0.7
1
1
1
1
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
---
---
---
0
25
7
--
10
40
100
--
300
70
65
85
100
-120
40
7
3
1.2
M
IN
T
YP
M
AX
124
U
尼特
mA
共模抑制比
电源抑制比
放大器对放大器耦合
1
对地短路
2
输入失调电压
3
输入失调电压漂移
输入失调电流
输入失调电流漂移
输入偏置电流
输入共模电压
范围
4
大信号电压增益
CMRR
PSRR
dB
dB
dB
mA
mV
μV/°C
nA
PA / ℃，
nA
V
V / MV
内存
V+ -2
输出电压摆幅
V
OH
1, 2, 3
26
27
V
28
5
20
20
mV
mA
V
OL
输出电流
来源
SINK
1, 2, 3
15
1.由于外部元件的附近，保证接头不通过这些外部元件之间的寄生电容的起源。这通常可
被检测为这种类型的电容增大，在更高的频率。
2.从输出到V +短路可能会引起过大的加热和最终破坏。当考虑短路到地，最大
输出电流与V +的大小约为40毫安独立。在电源电压超过+ 15V的值的，连续的短路
可以超过功耗额定值，导致最终销毁。破坏性消耗可以导致所有amplifi-同时短裤
ERS 。
3. VO@1.4V ， RS = 0Ω从5V到30V V + ;而在整个输入共模范围（ 0V至V + -1.5V ） 。
4.任一输入信号电压的输入共模电压不应该被允许去负超过0.3V （在25℃ ） 。的上端
共模电压范围为V + -1.5V （在25℃ ），但其中一个或两个输入都可以去到+ 32V而不损坏独立的幅度
V+.
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R
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-P
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技术，强化对自然空间辐射
ATION
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
- SELTH LET = > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
封装： -14针抗辐射PAK扁平封装
为单位增益内部频率补偿
大DC电压增益
宽的带宽（单位增益） ： 1兆赫
大输出电压摆幅0V至V + -1.5V
输入共 - 模电压范围包括地面
宽电源电压范围：
- 单电源3V至32V
- 双电源± 1.5V至± 16V
极低的电流消耗（主要是独立供应
电压） ： 700微安
低输入偏置电流： 45 nA的
低输入失调电压和电流： 2mV的，消耗5nA
差分输入电压范围等于电源
电压
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术的124独立的，高增益，内部
频率补偿的运算放大器具有一
大于100拉德（ Si）的总剂量耐受性，这取决于
在太空任务。利用麦克斯韦抗辐射
RAD- PAK包装技术， 124的设计specifi-
美云从单个电源在很宽的范围内工作
的电压。 124还采用了从分裂电源操作
用品，和低电源电流消耗是indepen-
凹痕的电源电压的幅度。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
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提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
内存
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P
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1, 7, 8, 14
2, 6, 9, 13
3, 5, 10, 12
4
11
S
YMBOL
输出1 - 4
INPUT 1 - 4-
INPUT 1 + - 4+
V+
GND
D
ESCRIPTION
OUPUT
INPUT （ - ）
INPUT （ + ）
电源
地
124
T
ABLE
2. 124 A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
差分输入电压
输入电压
输入电流（V
IN
< -0.3V ）
1
输出短路到地（一个放大器）
V + < 15V ， TA = 25℃
2
存储温度范围
工作温度范围
ESD容差
3
T
S
T
A
-65
-55
150
125
250
-0.3
S
YMBOL
V+
M
IN
M
AX
32
32
+32
50
U
NIT
V
V
V
mA
连续
°C
°C
V
内存
1.当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将仅存在。这是由于这样的集电极 - 基极
输入PNP晶体管的结成为正向偏置，从而作为输入二极管钳位。除此之外
二极管动作，也有在IC芯片上侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致输出
所述运算放大器的电压去V +电压电平（或对地大的过驱动）的持续时间，一个输入是
负电。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，
再次返回到一个值大于-0.3V （在25℃ ） 。
从输出到V + 2，短路可能引起过热和最终销毁。当考虑短路到
地，最大输出电流是V +的大小约为40毫安独立。在电源电压的值
超过+ 15V ，连续短路可能超过功耗额定值，导致最终销毁。
破坏性的功耗可能会导致从所有放大器同时短裤。
3.人体模型，有1.5
串联100pF的。
T
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3. D
ELTA
L
IMITS
P
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I
CC
V
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± 10％的规定值的表4中
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极特
（V + = 5.0V ，T
A
= -55
TO
+125°C,
除非另有说明
)
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电源电流
S
YMBOL
I
CC
T
美东时间
C
ONDITIONS
在整个温度范围
RL =
∞
在所有的运算放大器
V+ = 30V
V+ = 5V
DC ，V
CM
= 0V至V + -1.5V ，
T
A
= 25°C
V + = 5V至30V
T
A
= 25°C
F = 1千赫至20千赫，T
A
= 25°C
（输入参考）
I
OS
V
IO
R
S
= 0
I
OS
LIB
I
IN
(+)-I
IN
(-), V
CM
= 0V
R
S
= 0
I
IN
（ + ）或I
IN
(-)
V+ = +30V
A
VS
V+ = +15V
(V
O
摆动= 1V至11V ）
RL> 2 KΩ
V + = 30V ，R
L
= 2 k
R
L
= 10 k
V + = 5V ，R
L
= 10 k
VO = 2V ，V
IN +
= +1V
V
IN-
= 0V
V
+
= 15V
V
IN +
= +1V
V
IN-
= 0V
V
+
= 15V
1, 2, 3
1, 2, 3
V + = 15V ， TA = 25℃
S
UB
G
ROUPS
1, 2, 3
1.5
0.7
1
1
1
1
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
---
---
---
0
25
7
--
10
40
100
--
300
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M
AX
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U
尼特
mA
共模抑制比
电源抑制比
放大器对放大器耦合
1
对地短路
2
输入失调电压
3
输入失调电压漂移
输入失调电流
输入失调电流漂移
输入偏置电流
输入共模电压
范围
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大信号电压增益
CMRR
PSRR
dB
dB
dB
mA
mV
μV/°C
nA
PA / ℃，
nA
V
V / MV
内存
V+ -2
输出电压摆幅
V
OH
1, 2, 3
26
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V
28
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20
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mA
V
OL
输出电流
来源
SINK
1, 2, 3
15
1.由于外部元件的附近，保证接头不通过这些外部元件之间的寄生电容的起源。这通常可
被检测为这种类型的电容增大，在更高的频率。
2.从输出到V +短路可能会引起过大的加热和最终破坏。当考虑短路到地，最大
输出电流与V +的大小约为40毫安独立。在电源电压超过+ 15V的值的，连续的短路
可以超过功耗额定值，导致最终销毁。破坏性消耗可以导致所有amplifi-同时短裤
ERS 。
3. VO@1.4V ， RS = 0Ω从5V到30V V + ;而在整个输入共模范围（ 0V至V + -1.5V ） 。
4.任一输入信号电压的输入共模电压不应该被允许去负超过0.3V （在25℃ ） 。的上端
共模电压范围为V + -1.5V （在25℃ ），但其中一个或两个输入都可以去到+ 32V而不损坏独立的幅度
V+.
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