11AA010/11LC010

11AA020/11LC020

11AA040/11LC040

11AA080/11LC080

11AA160/11LC160

1K - 16K UNI / O

串行EEPROM系列数据手册

产品特点：

单I / O， UNI / O

串行接口总线

低功耗CMOS技术

- 1毫安典型工作电流

- 1 μA待机电流（最大值） （工业级温度）

128× 8到2048 ×8位结构

施密特触发器输入以抑制噪声

输出斜率控制以消除接地反弹

100 kbps的最大值。比特率 - 相当于100千赫

时钟频率

自定时写周期（包括自动擦除）

多达16个字节页写缓存

状态寄存器加控制：

- 写使能锁存位

- 写在进步位

块写保护

- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列

内置写保护

- 电源开/关数据保护电路

- 写使能锁存器

高可靠性

- 耐力：100万次擦/写

- 数据保存： > 200年

- ESD保护： > 4,000V

3引脚SOT- 23封装

8引脚PDIP ， SOIC ， MSOP和TDFN封装

无铅并符合RoHS标准

使用温度范围：

- 工业级（I ） ：

-40 ° C至+ 85°C

- 汽车（ E） ：

-40°C至+ 125°C

描述：

Microchip Technology Inc.的11AAXXX / 11LCXXX

(11XX

*

）器件到16千家庭1千位的

串行电可擦除PROM中。该装置是

以8位的存储和块支持

专利**的单I / O UNI / O

串行总线。通过使用

曼彻斯特编码技术，时钟和数据

被组合成一个单一的，串行比特流（ SCIO ）

其中，时钟信号由接收器来提取

正确地解码每个比特的定时和值。

低电压设计允许工作电压低至1.8V （用于

11AAXXX装置），以备和有源电流

只有1微安和1 mA ，分别。

该11XX系列是标准的封装

包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进

包装包括3引脚SOT- 23 ， 8引脚TDFN封装，

和8引脚MSOP封装。

封装类型（不按比例）

MSOP

（女士）

NC

NC

NC

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

NC

NC

国务院新闻办公室

PDIP / SOIC

（P ， SN ）

NC

NC

NC

1

2

3

8

7

6

5

V

CC

NC

NC

V

SS

4

国务院新闻办公室

TDFN

（ MN ）

NC 1

NC 2

NC 3

8

7

6

5

SOT23

(TT)

V

CC

NC

NC

2

V

SS

3

V

CC

国务院新闻办公室1

V

SS

4

国务院新闻办公室

引脚功能表

名字

国务院新闻办公室

V

SS

V

CC

功能

串行时钟，数据输入/输出

地

电源电压

* 11XX使用此文件作为11系列器件的通用部件编号。

** Microchip的UNI / O

公交公司的产品受美国发出下列专利： 7376020 。

2008 Microchip的技术公司

初步

DS22067E第1页

11AAXXX/11LCXXX

器件选型表

产品型号

11LC010

11AA010

11LC020

11AA020

11LC040

11AA040

11LC080

11AA080

11LC160

11AA160

密度

（比特）

1K

1K

2K

2K

4K

4K

8K

8K

16K

16K

组织V

CC

范围

128 x 8

128 x 8

256 x 8

256 x 8

512 x 8

512 x 8

1,024 x 8

1,024 x 8

2,048 x 8

2,048 x 8

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

PAGE SIZE

（字节）

16

16

16

16

16

16

16

16

16

16

温度。

范围

I，E

I

I，E

I

I，E

I

I，E

I

I，E

I

套餐

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

P， SN ， MS ， MN ， TT

DS22067E第2页

初步

2008 Microchip的技术公司

11AAXXX/11LCXXX

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

V

CC

.............................................................................................................................................................................6.5V

国务院新闻办公室w.r.t. V

SS

.....................................................................................................................................-0.6V到V

CC

+1.0V

储存温度................................................................................................................................. -65 ℃150 ℃的

在环境温度bias............................................................................................................... -40 ° C至125°C

所有的ESD保护pins.......................................................................................................................................... 4千伏

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的

在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。

表1-1：

DC特性

电气特性：

工业级（I ） ：

V

CC

= 2.5V至5.5V

V

CC

= 1.8V至2.5V

汽车（ E） ：

V

CC

= 2.5V至5.5V

分钟。

0.7*V

CC

-0.3

-0.3

0.05*Vcc

V

CC

-0.5

V

CC

-0.5

—

—

—

—

—

—

马克斯。

V

CC

+1

0.3*V

CC

0.2*V

CC

—

—

—

0.4

0.4

±4

±3

±1

7

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

mA

mA

μA

pF

V

CC

≥

2.5V

V

CC

＆ LT ; 2.5V

V

CC

≥

2.5V

（注1 ）

I

OH

= -300

μA,

V

CC

= 5.5V

I

OH

= -200

μA,

VCC = 2.5V

I

O

I = 300

μA,

V

CC

= 5.5V

I

O

I = 200

μA,

VCC = 2.5V

V

CC

= 5.5V

（注1 ）

VCC = 2.5V

（注1 ）

V

IN

= V

SS

或V

CC

T

A

= 25 ° C，F

CLK

= 1 MHz时，

V

CC

= 5.0V

（注1 ）

V

CC

= 5.5V ; F

公共汽车

= 100千赫，C

B

= 100 pF的

V

CC

= 2.5V ; F

公共汽车

= 100千赫，C

B

= 100 pF的

V

CC

= 5.5V

V

CC

= 2.5V

V

CC

= 5.5V

T

A

= 125°C

V

CC

= 5.5V

T

A

= 85°C

V

CC

= 5.5V

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

T

A

- -20 ° C至+ 85°C

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

测试条件

DC特性

参数。

号

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D8

符号。

V

IH

V

IL

V

HYS

V

OH

V

OL

I

O

I

LI

C

INT

特征

高级别输入

电压

低电平输入

电压

施密特迟滞

触发器输入（国务院新闻办公室）

高电平的输出

电压

低电平输出

电压

输出电流限制

（注2 ）

输入漏电流

（国务院新闻办公室）

内部电容

（所有输入和

输出）

D9

D10

D11

I

CC

阅读读操作

当前

I

CC

写写操作

当前

ICCS

待机电流

—

—

—

—

—

—

3

1

5

3

5

1

50

mA

mA

mA

mA

μA

μA

μA

D12

注1 ：

2:

I

CCI

待机模式下电流

—

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

国务院新闻办公室的输出驱动器阻抗会发生变化，以确保我

O

不超标。

2008 Microchip的技术公司

初步

DS22067E第3页

11AAXXX/11LCXXX

表1-2：

AC特性

电气特性：

工业级（I ） ：

V

CC

= 2.5V至5.5V

V

CC

= 1.8V至2.5V

汽车（ E） ：

V

CC

= 2.5V至5.5V

分钟。

10

10

—

—

—

—

—

—

600

10

5

—

—

—

1M

马克斯。

100

100

±0.08

±0.75

±5

±0.25

100

100

—

—

—

50

5

10

—

单位

千赫

s

UI

—

—

（注3）

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

T

A

- -20 ° C至+ 85°C

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

测试条件

AC特性

参数。

号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

符号。

F

公共汽车

T

E

T

IJIT

特征

串行总线频率

位周期

输入边沿抖动容限

F

漂移

串行总线频率漂移

率公差

F

开发

T

OJIT

T

R

T

F

串行总线频率漂移

极限

输出边沿抖动

国新办输入上升时间

（注1 ）

国新办输入下降时间

（注1 ）

起始头建立时间

开始的头低脉冲

时间

输入滤波器穗

抑制（国务院新闻办公室）

写周期时间

（字节或者页面）

耐力（每页）

％，每字节 -

每个％

命令

UI

ns

ns

s

s

s

ns

ms

ms

周期

—

（注3）

—

—

—

—

—

（注1 ）

写， WRSR命令

ERAL ， SETAL命令

25 ° C，V

CC

= 5.5V

（注2 ）

T

STBY

待机脉冲时间

T

SS

T

HDR

T

SP

T

WC

—

注1 ：

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

2:

该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用

应用程序，请查阅Total Endurance

可在Microchip网站上获得的模型：

www.microchip.com 。

3:

甲单位间隔（UI ）等于1比特的周期（T

E

）在当前的总线频率。

表1-3：

AC波形：

V

LO

= 0.2V

AC测试条件

V

HI

= V

CC

- 0.2V

C

L

= 100 pF的

定时测量参考电平

输入

产量

0.5 V

CC

0.5 V

CC

DS22067E第4页

初步

2008 Microchip的技术公司

11AAXXX/11LCXXX

图1-1：

10

总线时序 - 起始头

11

2

国务院新闻办公室

数据“0”

数据“1”的

数据“0”

数据“1”的

数据“0”

数据“1”的

数据“0”

数据“1” MAK位以及NoSAK位

图1-2：

总线时序 - 数据

2

7

12

8

国务院新闻办公室

数据“0”

数据“1”的

数据“1”的

数据“0”

图1-3：

总线时序 - 待机脉冲

9

国务院新闻办公室

待机

模式

图1-4：

总线时序 - 抖动

2

3

2

3

6

6

6

6

理想的边缘

从主

理想的边缘

从主

理想的边缘

从机

理想的边缘

从机

2008 Microchip的技术公司

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