11AA010/11LC010
11AA020/11LC020
11AA040/11LC040
11AA080/11LC080
11AA160/11LC160
11AA161/11LC161
1K - 16K UNI / O
串行EEPROM系列数据手册
产品特点：
单I / O， UNI / O
串行接口总线
低功耗CMOS技术：
- 1毫安典型工作电流
- 1 μA待机电流（最大值） （工业级温度）
128× 8到2048 ×8位结构
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kbps的最大值。比特率 - 相当于100千赫
时钟频率
自定时写周期（包括自动擦除）
多达16个字节页写缓存
状态寄存器加控制：
- 写使能锁存位
- 写在进步位
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
高可靠性：
- 耐力：100万次擦/写
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4,000V
3引脚SOT- 23和TO- 92封装
4引脚芯片级封装
8引脚PDIP ， SOIC ， MSOP和TDFN封装
无铅并符合RoHS标准
使用温度范围：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
描述：
Microchip Technology Inc.的11AAXXX / 11LCXXX
(11XX
*
）器件到16千家庭1千位的
串行电可擦除PROM中。该装置是
以8位的存储和块支持
专利**的单I / O UNI / O
串行总线。通过使用
曼彻斯特编码技术，时钟和数据
被组合成一个单一的，串行比特流（ SCIO ）
其中，时钟信号由接收器来提取
正确地解码每个比特的定时和值。
低电压设计允许工作电压低至1.8V （用于
11AAXXX装置），以备和有源电流
只有1微安和1 mA ，分别。
该11XX系列是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进的封装
老龄化包括3引脚SOT- 23 ， 3引脚TO -92 ， 4引脚
芯片级封装， 8引脚TDFN和8引脚MSOP封装。
封装类型（不按比例）
MSOP
（女士）
NC
NC
NC
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
PDIP / SOIC
（P ， SN ）
V
CC
NC
NC
国务院新闻办公室
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
V
CC
NC
6
NC
5
国务院新闻办公室
8
7
TDFN
（ MN ）
NC
1
NC
2
NC
3
V
SS
4
8
7
6
5
SOT23
(TT)
V
CC
NC
NC
国务院新闻办公室
V
SS
3
国务院新闻办公室1
2
V
CC
引脚功能表
名字
国务院新闻办公室
V
SS
V
CC
地
电源电压
功能
串行时钟，数据输入/输出
TO-92
（TO）
政务司司长（芯片级）
(1)
V
CC
1
2 V
SS
国务院新闻办公室3
VSS
国务院新闻办公室
注1 ：
VCC
4 NC
（俯视图，
球不可见
)
可在工业级温度， “AA ”而已。
* 11XX使用此文件作为11系列器件的通用部件编号。
** Microchip的UNI / O
公交公司的产品受美国发出下列专利： 7376020 。
2010 Microchip的技术公司
初步
DS22067H第1页
11AAXXX/11LCXXX
器件选型表
产品型号
11LC010
11AA010
11LC020
11AA020
11LC040
11AA040
11LC080
11AA080
11LC160
11AA160
11LC161
11AA161
密度
组织V
CC
范围
（比特）
1K
1K
2K
2K
4K
4K
8K
8K
16K
16K
16K
16K
128 x 8
128 x 8
256 x 8
256 x 8
512 x 8
512 x 8
1,024 x 8
1,024 x 8
2,048 x 8
2,048 x 8
2,048 x 8
2,048 x 8
2.5-5.5V
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
2.5-5.5V
1.8-5.5V
PAGE SIZE
（字节）
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
温度。
范围
I，E
I
I，E
I
I，E
I
I，E
I
I，E
I
I，E
I
设备
地址
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA0
0xA1
0xA1
套餐
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
P， SN ， MS ， MN ，TO TT
P， SN ， MS ， MN ， TO ， TT ， CS
DS22067H第2页
初步
2010 Microchip的技术公司
11AAXXX/11LCXXX
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
国务院新闻办公室w.r.t. V
SS
.....................................................................................................................................-0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度................................................................................................................................. -65 ℃150 ℃的
在环境温度bias............................................................................................................... -40 ° C至125°C
所有的ESD保护pins.......................................................................................................................................... 4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
汽车（ E） ：
V
CC
= 2.5V至5.5V
分钟。
0.7*V
CC
-0.3
-0.3
0.05*Vcc
V
CC
-0.5
V
CC
-0.5
—
—
—
—
—
—
马克斯。
V
CC
+1
0.3*V
CC
0.2*V
CC
—
—
—
0.4
0.4
±4
±3
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
A
pF
V
CC
2.5V
V
CC
＆ LT ; 2.5V
V
CC
2.5V
（注1 ）
I
OH
= -300
A,
V
CC
= 5.5V
I
OH
= -200
A,
VCC = 2.5V
I
O
I = 300
A,
V
CC
= 5.5V
I
O
I = 200
A,
VCC = 2.5V
V
CC
= 5.5V
（注1 ）
VCC = 2.5V
（注1 ）
V
IN
= V
SS
或V
CC
T
A
= 25 ° C，F
CLK
= 1 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注1 ）
V
CC
= 5.5V ; F
公共汽车
= 100千赫，C
B
= 100 pF的
V
CC
= 2.5V ; F
公共汽车
= 100千赫，C
B
= 100 pF的
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 5.5V
T
A
= 125°C
V
CC
= 5.5V
T
A
= 85°C
V
CC
= 5.5V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
- -20 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
测试条件
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
符号。
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OH
V
OL
I
O
I
LI
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
施密特迟滞
触发器输入（国务院新闻办公室）
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
输出电流限制
（注2 ）
输入漏电流
（国务院新闻办公室）
内部电容
（所有输入和
输出）
D9
D10
D11
I
CC
阅读读操作
当前
I
CC
写写操作
当前
ICCS
待机电流
—
—
—
—
—
—
3
1
5
3
5
1
50
mA
mA
mA
mA
A
A
A
D12
注1 ：
2:
I
CCI
待机模式下电流
—
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
国务院新闻办公室的输出驱动器阻抗会发生变化，以确保我
O
不超标。
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初步
DS22067H第3页
11AAXXX/11LCXXX
表1-2：
AC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
汽车（ E） ：
V
CC
= 2.5V至5.5V
分钟。
10
10
—
—
—
—
—
—
600
10
5
—
—
—
1M
马克斯。
100
100
±0.08
±0.75
±5
±0.25
100
100
—
—
—
50
5
10
—
单位
千赫
s
UI
—
—
（注3）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
- -20 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
测试条件
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号。
F
公共汽车
T
E
T
IJIT
特征
串行总线频率
位周期
输入边沿抖动容限
F
漂移
串行总线频率漂移
率公差
F
开发
T
OJIT
T
R
T
F
串行总线频率漂移
极限
输出边沿抖动
国新办输入上升时间
（注1 ）
国新办输入下降时间
（注1 ）
起始头建立时间
开始的头低脉冲
时间
输入滤波器穗
抑制（国务院新闻办公室）
写周期时间
（字节或者页面）
耐力（每页）
％，每字节 -
每个％
命令
UI
ns
ns
s
s
s
ns
ms
ms
周期
—
（注3）
—
—
—
—
—
（注1 ）
写， WRSR命令
ERAL ， SETAL命令
25 ° C，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
T
STBY
待机脉冲时间
T
SS
T
HDR
T
SP
T
WC
—
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请查阅Total Endurance
可在Microchip网站上获得的模型：
www.microchip.com 。
3:
甲单位间隔（UI ）等于1比特的周期（T
E
）在当前的总线频率。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
V
HI
= V
CC
- 0.2V
C
L
= 100 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
0.5 V
CC
0.5 V
CC
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