VS-10WQ045FNPbF
威世半导体
肖特基整流器， 10 A
BASE
阴极
4, 2
特点
??流行的D- PAK大纲
??小脚印，表面贴装
低正向压降
D- PAK （ TO- 252AA ）
1
阳极
3
阳极
??高频工作
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （ TO- 252AA ）
10 A
45 V
0.53 V
为15 mA 125°C
175 °C
单芯片
20兆焦耳
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
描述
在VS- 10WQ045FN表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
小脚印在PC板。典型的应用是
在磁盘驱动器，开关电源，转换器，
续流二极管，电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
10 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
10
45
400
0.53
- 40 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-10WQ045FNPbF
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 157 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 4.4 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
10
400
A
75
20
3.0
mJ
A
单位
A
文档编号： 94122
修订： 14 -JAN- 11
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www.vishay.com
1
VS-10WQ045FNPbF
威世半导体
肖特基整流器， 10 A
电气规格
参数
符号
10 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
20 A
10 A
20 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.63
0.80
0.53
0.71
1
15
0.255
22
760
5.0
mA
V
m
pF
nH
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到外壳
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40 175
2.0
单位
°C
° C / W
50
0.3
0.01
g
盎司
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
10WQ045FN
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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VS-10WQ045FNPbF
肖特基整流器， 10 A
威世半导体
100
1000
100
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
10
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
I
F
- 正向
电流（A ）
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
2.0
反向电流（mA ）
0.0001
0
10
20
30
40
50
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
10 000
C
T
- 结电容（pF ）
1000
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
（热电阻）
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
.
10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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3
VS-10WQ045FNPbF
威世半导体
180
肖特基整流器， 10 A
允许外壳温度（ ℃）
10
平均功耗（ W）
8
170
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
6
160
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
150
4
DC
2
见注（ 1 ）
140
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
0
3
6
9
12
15
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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VS-10WQ045FNPbF
肖特基整流器， 10 A
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
10
2
W
3
Q
4
045
5
FN
6
TRL的PbF
7
8
威世半导体产品
额定电流（ 10 A ）
包装标识：
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
额定电压（ 045 = 45 V）
FN = TO- 252AA （ D- PAK ）
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
8
-
PBF =铅（Pb ） - 免费
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www.vishay.com/doc?95059
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5
10WQ045FNPbF
公告PD- 21086转。 B 08/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
10WQ045FNPbF
45
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非Repet 。
浪涌电流*请参阅图。 7
非RepetitiveAvalancheEnergy
重复性雪崩电流
400
75
20
3.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
10WQ...
10
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 157 ° C，矩形波的形式
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3.0安培， L = 4.40 mH的
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
10WQ...
0.630
0.800
0.530
0.710
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
mΩ
条件
@ 10A
@ 20A
@ 10A
@ 20A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
1
15
0.255
22
760
5.0
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
pF
nH
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温。范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
10WQ...
- 40 175
- 40 175
2.0
50
0.3 (0.01)
- PAK
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
克（盎司）。
直流操作
条件
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
wt
大约重量
机箱样式
打标设备
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
*请参阅图。 4
类似TO- 252AA
10WQ045FN
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
10WQ045FNPbF
公告PD- 21086转。 B 08/06
100
1000
T = 175℃
100
反向电流（mA ）
J
150C
125C
100C
10
1
75C
0.1
0.01
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.001
0.0001
0
10
T
J
= 175C
T
J
= 125C
结电容 - C
T
（PF ）
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
10000
T
J
= 25C
T
J
= 25C
1000
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
2
100
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
图。 1 - 最大正向压降特性
10
热阻抗 - z
thJC
（ ° C / W）
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.1
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
