VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
www.vishay.com
威世半导体
高性能5.0代肖特基整流器， 10 A
特点
175℃高性能肖特基二极管
极低的正向电压降
极低的反向漏
我朴（ TO- 251AA ）
BASE
阴极
4
D- PAK （ TO- 252AA ）
BASE
阴极
4
优化的V
F
与我
R
权衡高效率
增加了耐用性的反向雪崩
能力
RBSOA可用
开关损耗极小
亚微米沟槽技术
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据JEDEC - JESD47设计和合格
3
1
阳极
阳极
2
阴极
2
1阴极3
阳极
阳极
VS-10UT10
VS-10WT10FN
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
Ⅰ- PAK （TO- 251AA ） ，
D- PAK （ TO- 252AA ）
10 A
100 V
0.66 V
在125℃下4毫安
175 °C
单芯片
54兆焦耳
应用
高效率开关电源
高频开关
输出整流
反向电池保护
续流
DC / DC系统
提高功率密度系统
主要额定值及特点
符号
V
RRM
V
F
T
J
10 APK ，T
J
= 125°C （典型值）
范围
特征
值
100
0.615
- 55 175
单位
V
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
符号
V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
VS-10UT10
VS-10WT10FN
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
记
(1)
测量连接2阳极销
修订： 02 - NOV- 11
文档编号： 94647
1
您所在区域内的技术问题：
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 12毫亨
通过操作和时间脉冲持续时间频率限制
所以那件T
J
＆ LT ;吨
J
马克斯。我
AS
在T
J
最大。随着时间的脉冲的一个功能
（参见图8）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 159℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
(1)
值
10
610
A
110
54
I
AS
at
T
J
马克斯。
mJ
A
单位
A
VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
www.vishay.com
威世半导体
电气规格
参数
符号
5A
10 A
正向电压降
V
调频（1）（ 2）
20 A
5A
10 A
20 A
反向漏电流
结电容
串联电感
变化最大电压率
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
典型值。
0.630
0.735
0.840
0.530
0.615
0.730
-
-
400
8.0
-
马克斯。
-
0.810
0.890
-
0.660
0.770
50
4
-
-
10 000
μA
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
笔记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
(2)
只有1阳极管脚连接
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
案例式的I- PAK
机箱样式D- PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
测试条件
值
- 55 175
2
° C / W
0.3
0.3
0.01
10UT10
10WT10FN
g
盎司
单位
°C
打标设备
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
175 °C
10
150 °C
1
0.1
75 °C
0.01
0.001
0.0001
50 °C
25 °C
125 °C
100 °C
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
修订： 02 - NOV- 11
文档编号： 94647
2
您所在区域内的技术问题：
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VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
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1000
威世半导体
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
允许外壳温度（ ℃）
180
10
平均功耗（ W）
175
170
DC
165
160
155
150
见注（ 1 ）
145
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F（ AV ）
平均正向电流（ A）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
8
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
6
4
DC
2
0
0
3
6
9
12
15
I
F（ AV ）
-
平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 6 - 正向功率损耗特性
修订： 02 - NOV- 11
文档编号： 94647
3
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VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
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I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
威世半导体
100
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
100
雪崩电流（ A）
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 8 - 反向偏置安全工作区（雪崩电流与矩形脉冲宽度）
100
雪崩能量（兆焦耳）
10
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 9 - 反向偏置安全工作区（雪崩能量与矩形脉冲宽度）
修订： 02 - NOV- 11
文档编号： 94647
4
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VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
-
-
-
10
2
U
3
T
4
10
5
FN
6
TRL
7
威世半导体产品
额定电流（ 10 A ）
包装：
U = I- PAK
W = D- PAK
4
5
6
7
-
-
-
-
T =海沟
电压代码（ 100 V）
TO- 252AA （ D-白）
D- PAK ， I- PAK ：
无=管（ 75件）
D- PAK只：
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
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尺寸
我朴（ TO- 251AA ）
D- PAK （ TO- 252AA ）
我朴（ TO- 251AA ）
D- PAK （ TO- 252AA ）
www.vishay.com/doc?95024
www.vishay.com/doc?95448
www.vishay.com/doc?95025
www.vishay.com/doc?95059
www.vishay.com/doc?95033
www.vishay.com/doc?95026
最热资讯
包装信息
SPICE模型
修订： 02 - NOV- 11
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威世半导体
高性能5.0代肖特基整流器， 10 A
特点
175℃高性能肖特基二极管
极低的正向电压降
极低的反向漏
我朴（ TO- 251AA ）
BASE
阴极
4
D- PAK （ TO- 252AA ）
BASE
阴极
4
优化的V
F
与我
R
权衡高效率
增加了耐用性的反向雪崩
能力
RBSOA可用
开关损耗极小
亚微米沟槽技术
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据JEDEC - JESD47设计和合格
3
1
阳极
阳极
2
阴极
2
1阴极3
阳极
阳极
VS-10UT10
VS-10WT10FN
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
Ⅰ- PAK （TO- 251AA ） ，
D- PAK （ TO- 252AA ）
10 A
100 V
0.66 V
在125℃下4毫安
175 °C
单芯片
54兆焦耳
应用
高效率开关电源
高频开关
输出整流
反向电池保护
续流
DC / DC系统
提高功率密度系统
主要额定值及特点
符号
V
RRM
V
F
T
J
10 APK ，T
J
= 125°C （典型值）
范围
特征
值
100
0.615
- 55 175
单位
V
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
符号
V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
VS-10UT10
VS-10WT10FN
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
记
(1)
测量连接2阳极销
修订： 10 - 8 - 11
文档编号： 94647
1
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符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 12毫亨
通过操作和时间脉冲持续时间频率限制
所以那件T
J
＆ LT ;吨
J
马克斯。我
AS
在T
J
最大。随着时间的脉冲的一个功能
（参见图8）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 159℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
(1)
值
10
610
A
110
54
I
AS
at
T
J
马克斯。
mJ
A
单位
A
VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
www.vishay.com
威世半导体
电气规格
参数
符号
5A
10 A
正向电压降
V
调频（1）（ 2）
20 A
5A
10 A
20 A
反向漏电流
结电容
串联电感
变化最大电压率
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
典型值。
0.630
0.735
0.840
0.530
0.615
0.730
-
-
400
8.0
-
马克斯。
-
0.810
0.890
-
0.660
0.770
50
4
-
-
10 000
μA
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
笔记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
(2)
只有1阳极管脚连接
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
案例式的I- PAK
机箱样式D- PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
测试条件
值
- 55 175
2
° C / W
0.3
0.3
0.01
10UT10
10WT10FN
g
盎司
单位
°C
打标设备
I
F
- 正向电流（A ）
100
100
I
R
- 反向电流（mA ）
175 °C
10
150 °C
1
0.1
75 °C
0.01
0.001
0.0001
50 °C
25 °C
125 °C
100 °C
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
修订： 10 - 8 - 11
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2
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VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
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1000
威世半导体
C
T
- 结电容（pF ）
100
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
单脉冲
（热电阻）
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
允许外壳温度（ ℃）
180
10
平均功耗（ W）
175
170
DC
165
160
155
150
见注（ 1 ）
145
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F（ AV ）
平均正向电流（ A）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
8
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
6
4
DC
2
0
0
3
6
9
12
15
I
F（ AV ）
-
平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 6 - 正向功率损耗特性
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I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
威世半导体
100
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
100
雪崩电流（ A）
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 8 - 反向偏置安全工作区（雪崩电流与矩形脉冲宽度）
100
雪崩能量（兆焦耳）
10
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 9 - 反向偏置安全工作区（雪崩能量与矩形脉冲宽度）
修订： 10 - 8 - 11
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VS- 10UT10 ， VS- 10WT10FN
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
-
-
-
10
2
U
3
T
4
10
5
FN
6
TRL
7
威世半导体产品
额定电流（ 10 A ）
包装：
U = I- PAK
W = D- PAK
4
5
6
7
-
-
-
-
T =海沟
电压代码（ 100 V）
TO- 252AA （ D-白）
D- PAK ， I- PAK ：
无=管（ 75件）
D- PAK只：
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
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