10TTS08S
安全
IR
系列
初步数据表I2145 12/97
触发
参数
P
GM
马克斯。峰值功率门
10TTS08S单位
8.0
2.0
1.5
10
20
15
10
A
V
mA
W
条件
P
G（ AV ）
马克斯。平均功耗门
+ I
GM
马克斯。 PAEK正栅极电流
- V
GM
马克斯。 PAEK负栅极电压
I
GT
马克斯。所需的直流栅极电流
触发
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= - 65°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 25°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 125°C
V
GT
马克斯。所需的直流电压门
触发
1.2
1
0.7
V
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= - 65°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 25°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 125°C
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
V
GD
I
GD
马克斯。直流栅极电压不触发
马克斯。直流栅极电流不触发
0.2
0.1
mA
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
开关
参数
t
gt
t
rr
t
q
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
10TTS08S
0.8
3
100
单位
s
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
条件
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
焊接温度
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
典型值。热阻结
到环境（ PCB安装） **
wt
T
大约重量
机箱样式
2 (0.07)
克（盎司）。
D
2
PAK （ SMD -220 ）
10TTS08S单位
- 40 125
- 40 125
240
1.5
40
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
条件
10秒（ 1.6毫米从案例）
DCoperation
**当安装在1 ＆ QUOT ;方（ 650毫米
2
FR-4或G- 10材料4盎司（为140μm ）的铜）的PCB 40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
3
10TTS08S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
描述/功能
2
(A)
该10TTS08S高压系列硅控
整流器是专为中等功率设计
切换和相位控制的应用程序。玻璃
采用钝化技术具有运行可靠高达
125 ° C的结温。
典型的应用是在输入整流（软启动）和
这些产品被设计为与Vishay HPP使用
输入二极管，开关和输出整流器它们是
可在相同的封装外形。
该产品的设计和合格的工业
的水平。
D
2
PAK
1（ K）， （G）的3
产品概述
V
T
在6.5
I
TSM
V
RRM
< ：1.15 V
140 A
800 V
输出电流在典型应用
应用
NEMA的FR-4或G- 10玻璃布型环氧
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
2.5
6.3
14.0
三相桥
3.5
9.5
18.5
A
单位
主要额定值及特点
参数
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
范围
6.5 A，T
J
= 25 °C
测试条件
正弦波形
值
6.5
A
10
800
140
1.15
150
100
- 40 125
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
单位
电压额定值
产品型号
10TTS08S
V
RRM
最大
峰值反向电压
V
800
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
1.0
文档编号： 93691
修订： 19军08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
10TTS08S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
√t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
典型的维持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
测试条件
T
C
= 112 ℃，180度通电半正弦波
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
T = 0.1 10毫秒，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
6.5 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
值
6.5
10
120
140
72
100
1000
1.15
17.3
0.85
0.05
1.0
30
50
150
100
V / μs的
A / μs的
mA
A
2
s
A
2
√s
V
mΩ
V
A
单位
阳极电源= 6 V ，阻性负载，最初我
T
= 1 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载
T
J
= 25 °C
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+I
GM
-V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 65 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 65 °C
最大所需的直流门
电压触发
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
V
GT
V
GD
I
GD
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
20
15
10
1.2
1
0.7
0.2
0.1
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.8
3
100
s
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93691
修订： 19军08
10TTS08S高电压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
热和机械规格
参数
最高结温和存储
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境（印刷电路板安装）
大约重量
打标设备
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA （1）
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
测试条件
值
- 40 125
240
1.5
° C / W
40
2
0.07
10TTS08S
g
盎司
单位
°C
日前，Vishay高功率产品
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（140微米）铜40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
文档编号： 93691
修订： 19军08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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3
10TTS08S高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
最大通态平均功耗（ W）
12
10
8
6
RMS限制
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
导通时间
最大允许外壳温度（ ℃）
125
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
120
导通角
DC
180°
120°
90°
60°
30°
115
30°
60°
110
90°
120°
180°
105
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
峰值半正弦波通态电流（A ）
125
130
120
110
100
90
80
70
60
1
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
120
导通时间
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
115
30°
60°
110
90°
120°
180 °直流
105
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
10TTS08
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
峰值半正弦波通态电流（A ）
最大通态平均功耗（ W）
8
7
6
5
4
3
导通角
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。控制
传导可能不保。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
10TTS08
50
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93691
修订： 19军08
10TTS08S高电压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
1000
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
10TTS08
100
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
瞬时通态电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
10
瞬态热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
稳态值
（直流操作）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
单脉冲
10TTS08
0.01
0.0001
0.1
0.001
0. 01
方波脉冲持续时间（ S）
0.1
1
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
文档编号： 93691
修订： 19军08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
5
10TTS08S
安全
IR
系列
初步数据表I2145 12/97
触发
参数
P
GM
马克斯。峰值功率门
10TTS08S单位
8.0
2.0
1.5
10
20
15
10
A
V
mA
W
条件
P
G（ AV ）
马克斯。平均功耗门
+ I
GM
马克斯。 PAEK正栅极电流
- V
GM
马克斯。 PAEK负栅极电压
I
GT
马克斯。所需的直流栅极电流
触发
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= - 65°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 25°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 125°C
V
GT
马克斯。所需的直流电压门
触发
1.2
1
0.7
V
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= - 65°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 25°C
阳极电源= 6V ，电阻性负载，T
J
= 125°C
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
V
GD
I
GD
马克斯。直流栅极电压不触发
马克斯。直流栅极电流不触发
0.2
0.1
mA
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
开关
参数
t
gt
t
rr
t
q
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
10TTS08S
0.8
3
100
单位
s
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
条件
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
焊接温度
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
典型值。热阻结
到环境（ PCB安装） **
wt
T
大约重量
机箱样式
2 (0.07)
克（盎司）。
D
2
PAK （ SMD -220 ）
10TTS08S单位
- 40 125
- 40 125
240
1.5
40
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
条件
10秒（ 1.6毫米从案例）
DCoperation
**当安装在1 ＆ QUOT ;方（ 650毫米
2
FR-4或G- 10材料4盎司（为140μm ）的铜）的PCB 40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
3
10TTS08SPbF高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
描述/功能
2
(A)
D
2
PAK
1（ K）， （G）的3
该10TTS08SPbF高压系列硅
可控整流器是特别设计
中等功率开关和相位控制
RoHS指令
柔顺
应用程序。玻璃钝化技术
使用具有运行可靠高达125° C的结
温度。
典型的应用是在输入整流（软启动）和
这些产品被设计为与Vishay HPP使用
输入二极管，开关和输出整流器它们是
可在相同的封装外形。
该产品的设计和合格的工业
水平，铅（Pb ） - 免费。
产品概述
V
T
在6.5
I
TSM
V
RRM
< ：1.15 V
140 A
800 V
输出电流在典型应用
应用
NEMA的FR-4或G- 10玻璃布型环氧
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
2.5
6.3
14.0
三相桥
3.5
9.5
18.5
A
单位
主要额定值及特点
参数
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
范围
6.5 A，T
J
= 25 °C
测试条件
正弦波形
值
6.5
A
10
800
140
1.15
150
100
- 40 125
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
单位
电压额定值
产品型号
10TTS08SPbF
V
RRM
最大
峰值反向电压
V
800
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
1.0
文档编号： 94562
修订： 24 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
10TTS08SPbF高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
√t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
典型的维持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
测试条件
T
C
= 112 ℃，180度通电半正弦波
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用，T
J
= 125 °C
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
T = 0.1 10毫秒，无电压重新申请，T
J
= 125 °C
6.5 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
值
6.5
10
120
140
72
100
1000
1.15
17.3
0.85
0.05
1.0
30
50
150
100
V / μs的
A / μs的
mA
A
2
s
A
2
√s
V
mΩ
V
A
单位
阳极电源= 6 V ，阻性负载，最初我
T
= 1 A
阳极电源= 6 V ，阻性负载
T
J
= 25 °C
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+I
GM
-V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 65 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 65 °C
最大所需的直流门
电压触发
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
V
GT
V
GD
I
GD
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
20
15
10
1.2
1
0.7
0.2
0.1
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.8
3
100
s
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94562
修订： 24 -APR- 08
10TTS08SPbF高电压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境（印刷电路板安装）
大约重量
打标设备
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA （1）
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
测试条件
值
- 40 125
240
1.5
° C / W
40
2
0.07
10TTS08S
g
盎司
单位
°C
日前，Vishay高功率产品
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（140微米）铜40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
文档编号： 94562
修订： 24 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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10TTS08SPbF高电压系列
日前，Vishay高功率产品
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
最大通态平均功耗（ W）
12
10
8
6
RMS限制
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
导通时间
最大允许外壳温度（ ℃）
125
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
120
导通角
DC
180°
120°
90°
60°
30°
115
30°
60°
110
90°
120°
180°
105
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
10TTS08
R
thJC
（DC） = 1.5 K / W
峰值半正弦波通态电流（A ）
125
130
120
110
100
90
80
70
60
1
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
120
导通时间
初始的T
J
= 125°C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
115
30°
60°
110
90°
120°
180 °直流
105
0
2
4
6
8
10
12
通态平均电流（A）
10TTS08
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
峰值半正弦波通态电流（A ）
最大通态平均功耗（ W）
8
7
6
5
4
3
导通角
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。控制
传导可能不保。
初始的T
J
= 125°C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
通态平均电流（A）
10TTS08
T
J
= 125°C
10TTS08
50
0.01
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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修订： 24 -APR- 08
10TTS08SPbF高电压系列
表面贴装
相位控制可控硅， 10 A
1000
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
10TTS08
100
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
瞬时通态电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
10
瞬态热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
稳态值
（直流操作）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
单脉冲
10TTS08
0.01
0.0001
0.1
0.001
0. 01
方波脉冲持续时间（ S）
0.1
1
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
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