8700 E.托马斯路。
亚利桑那州斯科茨代尔85252
PH ： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
10EZ3.9
THRU
10EZ100
特点
齐纳电压3.9 100V
电压容差; + 5 ％ ， + 10 ％ （见注1 ）
低调成本效益TO-220封装
最大额定值
结存储温度： - 65 ° C至+ 175℃
DC功耗： 10瓦
功率降额： 200毫瓦/°C， 100°C以上温度的基础（见图2 ）
正向电压@ 2.0A ： 1.5伏特
C
硅
10 WATT
齐纳二极管
A
F
B
G
D
E
机械特性
H
案例：
表面处理：
重量：
安装位置：
热阻：
极性：
工业标准TO- 220
所有的外部表面耐腐蚀和
终端焊。
2.3克
任何
5 ℃/ W（典型值）交界处基地。
标准极性阳极基地（引脚2 ）
与引脚1和3是阴极。
反极性（阴极基地）也
可使用R后缀。
1
2
3
P
J
K1
K
M
L
N
暗淡
英寸
民
最大
民
横行
最大
笔记
12
额定耗散功率（瓦特）
A
.390
.045
.180
.245
.590
.139
.100
___
.540
.190
.090
.021
.080
.028
.045
.415
.055
.190
.260
.605
.147
.120
.250
.570
.210
.110
.025
.115
.038
.055
9.91
1.14
4.57
6.22
14.99
3.53
2.54
10.54
1.40
4.83
6.60
15.37
3.73
3.05
6.35
DIA 。
10
B
8
C
D
6
E
F
4
G
H
d
2
J
13.72
4.83
2.29
5.33
2.03
.710
1.14
14.48
5.33
2.79
6.40
2.92
.970
1.40
0
0
25
50
75
100
O
C)
K
125
150
175
K1
标签温度（
L
M
N
P
图2
功率降额曲线
t
数据表＃ MSC0324A日期： 99年4月30日
Microsemi的
部分
数
公称
齐纳
电压V
Z
@ I
ZT
伏
（注2 ）
齐纳二极管测试
当前
(I
ZT
)
mA
马克斯。动态
阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ 1毫安（我
ZK
)
OCHMS
欧
10EZ3.9
10EZ4.3
10EZ4.7
10EZ5.1
10EZ5.6
10EZ6.2
10EZ6.8
10EZ7.5
10EZ8.2
10EZ9.1
10EZ10
10EZ11
10EZ12
10EZ13
10EZ14
10EZ15
10EZ16
10EZ17
10EZ18
10EZ19
10EZ20
10EZ22
10EZ24
10EZ25
10EZ27
10EZ30
10EZ33
10EZ36
10EZ39
10EZ43
10EZ45
10EZ47
10EZ50
10EZ51
10EZ52
10EZ56
10EZ62
10EZ68
10EZ75
10EZ82
10EZ91
10EZ100
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
30
33
36
39
43
45
47
50
51
52
56
62
68
75
82
91
100
640
580
530
490
445
405
370
335
305
275
250
230
210
190
180
170
155
145
140
130
125
115
105
100
95
85
75
70
65
60
55
55
50
50
50
45
40
37
33
30
28
25
2.0
1.5
1.2
1.1
1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
2.0
3
3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
15
15
16
17
18
22
25
35
40
400
400
500
550
600
750
500
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
300
300
300
300
400
400
400
500
500
500
500
600
600
600
700
800
900
最大DC
齐纳
当前
(I
ZM
) @ 75°C
基础温度。
（注4 ）
mA
2380
2130
1940
1780
1620
1460
1320
1180
1040
960
860
780
720
660
600
560
530
500
460
440
420
380
350
310
300
280
260
230
210
195
185
175
165
160
160
150
130
120
110
100
85
80
典型
温度
系数
α
VZ
%/°C
**最大漏
当前
I
R
@ V
R
A
伏
.046
.033
.015
±.010
+.030
+.049
.040
.045
.048
.051
.055
.060
.065
.065
.070
.070
.070
.075
.075
.075
.075
.080
.080
.080
.085
.085
.085
.085
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
.090
100
100
80
10
10
10
150
100
50
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
5.2
5.7
5.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.5
11.4
12.2
13.0
13.7
14.0
15.2
16.7
18.2
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
33.0
35.8
36.0
38.8
39.0
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
注1. 10EZ3.9 - 10EZ100A系列：后缀A表示
±
5 ％的容差，无后缀表示
±
10 ％的容差。如果
更严格的公差要求，向厂家咨询。
注2.电气特性允许器件90秒以稳定后测量
30℃基准温度。电压变化与另一电流值在Micronote 202中有描述。
注3.齐纳阻抗（Z
ZT
）从60赫兹的交流电压，这会导致当一交流电流衍生
具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。动态
阻抗的变化与其它电流值在Micronote 202中有描述。
注4：我这些值
ZM
可以超过在个体二极管的情况下。所示的值是
计算的量是在其容差范围内的高电压端的最坏情况（对于
±
5％）。免税额
此外，还为上升的齐纳电压高于Vzt ，这是由于齐纳阻抗和增加的
结温度为功耗接近10瓦特。
数据表＃ MSC0324A日期： 99年4月30日
QQ：2881677436 复制
