10ETS12PbF
安全
IR
系列
公告I2191 12/04
电压额定值
V
RRM
最大
产品型号
峰值反向电压
V
1200
V
RSM
最大非重复性
峰值反向电压
V
1300
I
RRM
150°C
mA
0.5
10ETS12PbF
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
I
2
t
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
马克斯。我
2
吨融合
值
10
170
200
130
145
单位
A
A
A
2
s
A
2
√s
条件
@ T
C
= 105 ℃，180度通电半正弦波
10ms的正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10ms的正弦脉冲，无电压重新申请
10ms的正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10ms的正弦脉冲，无电压重新申请
T = 0.1 10ms时，没有电压重新申请
I
2
√t
马克斯。我
2
√t
对于融合
1450
电气规格
参数
V
FM
r
t
I
RM
马克斯。正向电压降
正向斜率电阻
值
1.1
20
0.82
0.05
0.50
单位
V
m
V
mA
条件
@ 10A ，T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
V
F（ TO）
阈值电压
马克斯。反向漏电流
V
R
=额定V
RRM
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
值
- 40150
- 40150
2.5
62
240
2 (0.07)
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
克（盎司）。
条件
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境（ PCB安装） *
T
s
wt
焊接温度
大约重量
机箱样式
器件标识
直流操作
TO-220AC
10ETS12
*当安装在1"广场（ 650毫米
2
FR-4或G- 10材料4盎司（为140μm ）的铜）的PCB 40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
www.irf.com
10ETS ..， 10ETS..S
安全
IR
系列
公告I2121牧师。 12/01
电压额定值
V
RRM
最大
产品型号
峰值反向电压
V
800
1200
V
RSM
最大非重复性
峰值反向电压
V
900
1300
I
RRM
150°C
mA
0.5
10ETS08 ， 10ETS08S
10ETS12 ， 10ETS12S
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
I
2
t
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
马克斯。我
2
吨融合
10ETS..
10
170
200
130
145
单位
A
A
A
2
s
A
2
√s
条件
@ T
C
= 105 ℃，180度通电半正弦波
10ms的正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10ms的正弦脉冲，无电压重新申请
10ms的正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10ms的正弦脉冲，无电压重新申请
T = 0.1 10ms时，没有电压重新申请
I
2
√t
马克斯。我
2
√t
对于融合
1450
电气规格
参数
V
FM
r
t
马克斯。正向电压降
正向斜率电阻
10ETS..
1.1
20
0.82
0.05
0.50
单位
V
m
V
mA
条件
@ 10A ，T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
V
F（ TO）
阈值电压
I
RM
马克斯。反向漏电流
V
R
=额定V
RRM
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
10ETS..
- 40150
- 40150
2.5
62
240
2 (0.07)
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
克（盎司）。
条件
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境（ PCB安装） *
T
s
wt
焊接温度
大约重量
机箱样式
直流操作
TO- 220AC ，D
2
PAK （ SMD -220 ）
*当安装在1"广场（ 650毫米
2
FR-4或G- 10材料4盎司（为140μm ）的铜）的PCB 40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
2
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10ETS ..， 10ETS..S
安全
IR
系列
公告I2121牧师。 12/01
米XIM UM允许AB勒℃的本身牛逼EM佩拉TURE （ C）
M的Axim庵一LLO WAB文件 ASE特MP ERAT URE （ C）
150
140
130
0：N ductio 角
150
140
130
OND uctio 牙周
10ET S.，硒RIE s
R
thJC
（ D C ） = 2.5℃ / W
10ETS ..系列时
R
thJC
（ D C ） = 2.5℃ / W
120
110
100
90
80
0
2
4
6
8
10
12
一个已经抹布佛RW一个道中光凭目前（ A）
30
60
90
120
110
100
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
AVERA GE FORW一个道中urre NT （A ）
30
60
90
120
180
DC
120
180
图。 1 - 额定电流特性
M的Axim嗯一套Vera GE佛RW ARD战俘é 损耗（ W）
16
14
12
10
RM S廉它
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
一个verag 佛RW一个道中urren T（A ）
C 0次ü多人回放角
图。 2 - 额定电流特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个verag ê佛RW ARD urren T（A ）
RM S廉它
C 0次uctio氮，磷， ERIO
180
120
90
60
30
M IM AX UM一个已经RA GE佛RW ARD P嗷嗷儿罗SS （ W）
DC
180
120
90
60
30
10ET S.，硒里斯
T
J
= 150 C
10E TS ..系列时
T
J
= 150 C
图。 3 - 正向功率损耗特性
P EA 小时的LF冼东西一个已经佛RW一个道中urre NT （A ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
1
10
100
嗯B呃华氏度式UAL litude半 ycle电流脉冲MP （N ）
图。 4 - 正向功率损耗特性
240
220
豌豆 H A LF冼东西一个已经FORW一个道中urren T（A ）
一个T A N Y镭德罗一维C O 4 N DITION钕当变送器
ated V
RRM
一名P P谎言佛LLO瓦特荷兰国际集团外科杂志如
在钨协L T
J
= 150 C
@ 60 H 0.0083 s
@ 50 H 0.0100 s
M于 P A XIM UM etitive S URG式C urre N t个
V ê RSU s普茶LSE D中ü RA化。
在钨协L T
J
= 150 C
200
无V LTAG e重新AP PLIE
镭泰德V
RR米
粒P谎言
180
160
140
120
100
80
60
40
0.01
10ETS ..硒RIE s
10E TS ..硒RIE s
0 .1
普茶LSE D中ü RA化（S ）
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
www.irf.com
3
10ETS ..， 10ETS..S
安全
IR
系列
公告I2121牧师。 12/01
100
斯塔ntan eous FORW ARD光凭目前 （A ）
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
10
10ETS ..系列时
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Instan TA EO我们FORW一个RD V olta克E（ V）
图。 8 - 正向压降特性
陈德良过性的RM人林PE达数控é
thJC
（ C / W ）
10
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0.50
0.33
0.25
0.17
0.08
斯特德状态值
（ D C系统操作）
1
单脉冲
10ETS ..系列时
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
广场W AVE脉冲 uration （S ）
图。 9 - 热抗Z
thJC
特征
4
www.irf.com
10ETS..
安全
IR
系列
公告I2120牧师。一个07/97
最大允许外壳温度（ ℃）
150
140
130
导通角
最大允许案例Temperat .. [温度茜（ ° C）
150
140
130
导通时间
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
120
110
100
90
80
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流（ A）
30°
60°
90°
120
110
100
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
平均正向电流（ A）
30°
60°
90°
120°
180°
DC
120°
180°
图。 1 - 额定电流特性
最大正向平均功耗（ W）
16
14
12
10
RMS限制
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
平均正向电流（ A）
导通角
图。 2 - 额定电流特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
平均正向电流（ A）
RMS限制
导通时间
180°
120°
90°
60°
30°
最大正向平均功耗（ W）
DC
180°
120°
90°
60°
30°
10ETS ..系列
T
J
= 150°C
10ETS ..系列
T = 150℃
J
图。 3 - 正向功率损耗特性
峰值半正弦波正向电流（ A）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
1
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
图。 4 - 正向功率损耗特性
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
0.01
10ETS ..系列
峰值半正弦波正向电流（ A）
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 150°C
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 150 °C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
没有再通电
为V
RRM
重新申请
10ETS ..系列
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
3
10ETS08PbF ， 10ETS12PbF高电压系列
威世半导体
输入整流二极管， 10 A
特点
BASE
阴极
2
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
应用
1
阴极
3
阳极
TO-220AC
输入整改
威世半导体开关和输出整流器
这是在相同的封装外形可用
产品概述
V
F
在10 A
I
FSM
V
RRM
＆ LT ; 1.1 V
200 A
800 V/1200 V
描述
该10ETS..PbF整流器系列进行了优化非常
低正向压降，具有中等的泄漏。
所用的玻璃钝化技术具有可靠
运行在高达150℃的结温。
输出电流在典型应用
应用
电容输入滤波器牛逼
A
= 55 ° C，T
J
= 125 °C
1℃/ W的共同的散热器
单相桥
12.0
三相桥
16.0
单位
A
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
10 A，T
J
= 25 °C
特征
正弦波形
值
10
800/1200
200
1.1
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
产品型号
10ETS08PbF
10ETS12PbF
V
RRM
，最大峰值
反向电压
V
800
1200
V
RSM
，最大不重复
峰值反向电压
V
900
1300
I
RRM
在150 C
mA
0.5
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
t
对于融合
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
I
2
t
测试条件
T
C
= 105 ℃，180度通电半正弦波
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
值
10
170
200
130
145
1450
A
2
s
A
2
s
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94337
修订： 22 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
10ETS08PbF ， 10ETS12PbF高电压系列
威世半导体
电气规格
参数
最大正向电压降
正向斜率电阻
阈值电压
最大反向漏电流
符号
V
FM
r
t
V
F（ TO）
I
RM
测试条件
10 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
V
R
=额定V
RRM
值
1.1
20
0.82
0.05
0.50
单位
V
m
V
mA
输入整流二极管， 10 A
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储温度范围
最大热阻，结到外壳
最大热阻，结到环境
（ PCB安装）
焊接温度
大约重量
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
T
S
(1)
测试条件
值
- 40150
单位
°C
° C / W
°C
g
盎司
直流操作
2.5
62
240
2
0.07
打标设备
机箱样式TO- 220AC
10ETS08
10ETS12
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（140微米）铜40℃ / W的
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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2
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文档编号： 94337
修订： 22 10年7月
10ETS08PbF ， 10ETS12PbF高电压系列
输入整流二极管， 10 A
威世半导体
150
20
最大平均
正向功率损耗（ W）
140
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
最大允许
外壳温度（ ° C）
130
120
110
100
导通角
DC
180°
120°
90°
60°
30°
导通时间
RMS限制
0
2
4
6
8
10ETS ..系列
T
J
= 150 °C
60°
90
80
90°
120°
180°
30°
0
2
4
6
8
10
12
10
12
14
16
平均正向电流（ A）
图。 1 - 额定电流特性
平均正向电流（ A）
图。 4 - 正向功率损耗特性
150
140
130
120
110
100
200
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
180
最大允许
外壳温度（ ° C）
峰值半正弦波
正向电流（ A）
160
140
120
100
80
60
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 150 °C
在60赫兹0.0083 s
在50赫兹0.0100 s
导通时间
DC
120°
30°
60°
90°
6
8
10
180°
10ETS ..系列
90
40
0
2
4
12
14
16
18
1
10
100
平均正向电流（ A）
图。 2 - 额定电流特性
等幅数
半周期电流脉冲（N ）
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
16
240
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
最大平均
正向功率损耗（ W）
14
12
10
8
6
4
2
0
220
峰值半正弦波
正向电流（ A）
200
180
160
140
120
100
80
60
最大不重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 150 °C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
导通角
10ETS ..系列
T
J
= 150 °C
0
2
4
6
8
10
10ETS ..系列
40
0.01
0.1
1.0
平均正向电流（ A）
图。 3 - 正向功率损耗特性
脉冲串持续时间（ S）
图。 6 - 最大非Repetitve浪涌电流
文档编号： 94337
修订： 22 10年7月
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10ETS08PbF ， 10ETS12PbF高电压系列
威世半导体
正向电流（A ）
100
输入整流二极管， 10 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
10
10ETS ..系列
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
正向电压（ V）
图。 7 - 正向压降特性
10
Z
thJC
- 瞬态
热阻抗（ ℃/ W）
稳态值
（直流操作）
1
单脉冲
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
10ETS ..系列
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
图。 8 - 热抗Z
thJC
特征
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修订： 22 10年7月
10ETS08PbF ， 10ETS12PbF高电压系列
输入整流二极管， 10 A
威世半导体
订购信息表
器件代码
10
1
1
2
3
-
-
-
E
2
T
3
S
4
12
5
PBF
6
额定电流（ 10 = 10 A）
电路配置：
E =单二极管
包装：
T = TO- 220AC
4
5
6
-
-
-
硅类型：
S =标准恢复整流器
电压代码×100 = V
RRM
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
08 = 800 V
12 = 1200 V
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5
10ETS..
安全
IR
系列
公告I2120牧师。一个07/97
最大允许外壳温度（ ℃）
150
140
130
导通角
最大允许案例Temperat .. [温度茜（ ° C）
150
140
130
导通时间
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
10ETS ..系列
R
thJC
（ DC ） = 2.5 ° C / W
120
110
100
90
80
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流（ A）
30°
60°
90°
120
110
100
90
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
平均正向电流（ A）
30°
60°
90°
120°
180°
DC
120°
180°
图。 1 - 额定电流特性
最大正向平均功耗（ W）
16
14
12
10
RMS限制
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
平均正向电流（ A）
导通角
图。 2 - 额定电流特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
平均正向电流（ A）
RMS限制
导通时间
180°
120°
90°
60°
30°
最大正向平均功耗（ W）
DC
180°
120°
90°
60°
30°
10ETS ..系列
T
J
= 150°C
10ETS ..系列
T = 150℃
J
图。 3 - 正向功率损耗特性
峰值半正弦波正向电流（ A）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
1
10
100
等幅半周期电流脉冲数（N ）
图。 4 - 正向功率损耗特性
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
0.01
10ETS ..系列
峰值半正弦波正向电流（ A）
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 150°C
最大非重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 150 °C
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
没有再通电
为V
RRM
重新申请
10ETS ..系列
0.1
脉冲串持续时间（ S）
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
3
QQ：2881677436 复制
