10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，1A
特点
??小脚印，表面贴装
低正向压降
??高频工作
阴极
阳极
可用的
RoHS指令*
柔顺
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
SMB
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
1.0 A
100 V
该10BQ100PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
和非常小的脚印在PC板。典型应用
在磁盘驱动器，开关电源，转换器，
续流二极管，电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.0 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
100
780
0.62
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
10BQ100PbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 0.5 A ， L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
测试条件
50％的占空比在T
L
= 152 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
1.0
780
A
38
1.0
0.5
mJ
A
单位
A
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94114
修订： 15 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
2A
1A
2A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.78
0.89
0.62
0.72
0.5
1
42
2.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器，1A
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
交界处领导
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
测试条件
值
- 55 175
36
单位
°C
° C / W
80
0.10
0.003
机箱样式SMB （类似DO- 214AA ）
V1J
g
盎司
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94114
修订： 15 -APR- 08
10BQ100PbF
肖特基整流器，1A
日前，Vishay高功率产品
10
T
J
= 175 °C
1
10
I
F
- 正向
电流（A ）
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向峰值电流与
反向电压
100
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
10
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
100
10
P
DM
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
180
肖特基整流器，1A
1.0
DC
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（ W）
170
160
150
140
130
120
见注（ 1 ）
110
0
0.4
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0.8
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.6
0.4
DC
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
0.2
0
0.8
1.2
1.6
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A
1000
100
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大峰值浪涌正向电流与
脉冲持续时间
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
(1)
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94114
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10BQ100PbF
肖特基整流器，1A
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
10
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
B
2
Q
3
100
4
TR
5
PBF
6
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压（ 100 = 100 V）
无=盒（ 1000件）
TR =磁带和卷轴（ 3000件）
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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SPICE模型
http://www.vishay.com/doc?95017
http://www.vishay.com/doc?95029
http://www.vishay.com/doc?95034
http://www.vishay.com/doc?95276
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5
VS-10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，1A
特点
??小脚印，表面贴装
低正向压降
??高频工作
阴极
阳极
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
SMB
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
1.0 A
100 V
描述
在VS- 10BQ100PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
和非常小的脚印在PC板。典型
应用是在磁盘驱动器，开关电源，
转换器，续流二极管，电池充电，并
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.0 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
100
780
0.62
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-10BQ100PbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 0.5 A ， L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
测试条件
50％的占空比在T
L
= 152 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
1.0
780
A
38
1.0
0.5
mJ
A
单位
A
文档编号： 94114
修订： 03 - 10
如有技术问题，请联系：
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www.vishay.com
1
VS-10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，1A
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
2A
1A
2A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.78
0.89
0.62
0.72
0.5
1
42
2.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围为100kHz至1MHz ），25 ℃下
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
交界处领导
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
测试条件
值
- 55 175
36
单位
°C
° C / W
80
0.10
0.003
机箱样式SMB （类似DO- 214AA ）
V1J
g
盎司
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
文档编号： 94114
修订： 03 - 10
VS-10BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，1A
180
1.0
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（ W）
170
160
150
140
130
120
见注（ 1 ）
110
0
0.4
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0.8
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.6
0.4
DC
方波（ D = 0.50 ）
为V
R
应用的
0.2
0
0.8
1.2
1.6
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
(1)
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
文档编号： 94114
修订： 03 - 10
10BQ100PbF
公告PD- 20786转。一个07/04
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
10BQ100PbF
100
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
10BQ
1.0
780
38
1.0
0.5
单位条件
A
A
占空比为50％ @ T
L
= 152 ° C，矩形波的形式
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 0.5A， L = 8mH
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 VA = 1.5× Vr的典型
以下任何额定
负载条件，
额定V
RRM
应用的
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
10BQ
0.78
0.89
0.62
0.72
单位
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 1A
@ 2A
@ 1A
@ 2A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流（ 1）
*请参阅图。 2
典型结电容
典型的串联电感
（额定V
R
)
0.5
1
42
2.0
10000
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
dv / dt的最大值。充电的Volatge率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
10BQ
- 55 175
36
80
单位
°C
°C
° C / W DC操作
° C / W
条件
马克斯。结温范围（ * ） - 55 175
R
thJL
马克斯。热阻结
铅
(**)
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
0.10 （ 0.003 ）， G（盎司）。
SMB
IR1J
类似的DO- 214AA
热失控条件对自己的散热器二极管
（**）安装1平方英寸的印刷电路板
2
www.irf.com
10BQ100PbF
公告PD- 20786转。一个07/04
180
含铅允许温度（ ℃）
1
DC
平均功耗（瓦）
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
170
160
150
140
0.8
0.6
0.4
0.2
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
130
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
120
110
0
0.4
0.8
1.2
1.6
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 4 - 最大平均正向电流
与允许焊接温度
见说明（ 2 ）
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 最大正向平均损耗
与平均正向电流
1000
不重复浪涌电流 - 我
(A)
FSM
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
10BQ100PbF
公告PD- 20786转。一个07/04
概要表
器件标识： IR1J
阴极
阳极
2.15 (.085)
1.80 (.071)
3.80 (.150)
3.30 (.130)
1
2
4.70 (.185)
4.10 (.161)
1
极性
2 PART NUMBER
2.40 (.094)
1.90 (.075)
1.30 (.051)
0.76 (.030)
0.30 (.012)
0.15 (.006)
5.60 (.220)
5.00 (.197)
2.5 TYP 。
（ .098 TYP 。 ）
焊接区
2.0典型。
（ .079 TYP 。 ）
4.2 (.165)
4.0 (.157)
SMB大纲
尺寸以毫米（英寸）
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器，由字母"IR"以及零件编号（表示指示当前，额定电压和
肖特基代） 。第二行表示年份，制造和站点ID的一周。
IR1J
电压
当前
IR徽标
PYWWX
站点ID
周
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead ， Free"
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
