10BQ015PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 1.0
特点
125 ° （C T）
J
操作（V
R
< 5 V ）
优化的OR- ing应用
超低正向压降
??高频工作
阴极
阳极
SMB
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
1.0 A
15 V
描述
该10BQ015PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
和非常小的脚印在PC板。该专利
屏障技术允许可靠运行高达125 ℃的
结温。典型的应用是在磁盘驱动器，
开关电源，转换器，续流二极管，
电池充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.0 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
15
140
0.32
- 55 125
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
10BQ015PbF
15
25
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 84 ° C，方波
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 2 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
1.0
140
A
40
1.0
1.0
mJ
A
单位
A
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94110
修订： 04- NOV- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
10BQ015PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 1.0
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
2A
1A
2A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.35
0.44
0.32
0.40
0.5
12
-
-
390
2.0
10 000
mA
V
mΩ
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
交界处领导
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
见图。 4
直流操作
测试条件
值
- 55 125
- 55 150
36
单位
°C
° C / W
80
0.10
0.003
g
盎司
V1C
机箱样式SMB （类似DO- 214AA ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94110
修订： 04- NOV- 08
10BQ015PbF
肖特基整流器， 1.0
日前，Vishay高功率产品
10
10
I
F
- 正向
电流（A ）
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 50 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
0
3
6
9
12
15
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
3
6
9
12
15
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
100
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t
2
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 94110
修订： 04- NOV- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
10BQ015PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 1.0
100
0.5
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
0.4
80
方
WAVE
(D = 0.50)
80 %
评级
V
R
应用的
60
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.3
0.2
DC
0.1
见注（ 1 ）
40
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94110
修订： 04- NOV- 08
10BQ015PbF
肖特基整流器， 1.0
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
10
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
B
2
Q
3
015
4
TR
5
PBF
6
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压（ 015 = 15 V ）
无=盒（ 1000件）
TR =磁带和卷轴（ 3000件）
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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SPICE模型
http://www.vishay.com/doc?95017
http://www.vishay.com/doc?95029
http://www.vishay.com/doc?95034
http://www.vishay.com/doc?95355
文档编号： 94110
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5
10BQ015
公告PD- 2.396转。我07/04
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
10BQ015
15
25
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
10BQ
1.0
140
40
1.0
1.0
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
L
= 84 ° C，矩形波的形式。
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1A ，L = 2MH
在1微秒的电流decayng线性为零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
负载条件，
额定V
RRM
应用的
A
mJ
A
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
10BQ
0.35
0.44
0.32
0.40
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
m
pF
nH
V / μs的
@ 1.0A
@ 2.0A
@ 1.0A
@ 2.0A
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= T
J
马克斯。
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
0.5
12
-
-
390
2.0
10000
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
(**)
80
° C / W DC操作
10BQ
- 55 125
- 55 150
36
单位
°C
°C
条件
R
thJL
马克斯。热阻
交界处领导
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
（ * ） dPtot
＆ LT ;
1
°C / W DC操作（参见图4）
0.10 （ 0.003 ）， G（盎司）。
SMB
IR1C
为DO- 214AA相似
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第（j-一）
（**）安装1平方英寸的印刷电路板
2
www.irf.com
10BQ015
公告PD- 2.396转。我07/04
概要表
器件标识： IR1C
阴极
阳极
2.15 (.085)
1.80 (.071)
3.80 (.150)
3.30 (.130)
1
2
4.70 (.185)
4.10 (.161)
1极性
2 PART NUMBER
2.40 (.094)
1.90 (.075)
1.30 (.051)
0.76 (.030)
0.30 (.012)
0.15 (.006)
5.60 (.220)
5.00 (.197)
2.5 TYP 。
（ .098 TYP 。 ）
焊接区
2.0典型。
（ .079 TYP 。 ）
4.2 (.165)
4.0 (.157)
SMB大纲
尺寸以毫米（英寸）
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器，由字母"IR"以及零件编号（表示指示当前，额定电压和
肖特基代） 。第二行表示年份，制造和站点ID的一周。
IR1C
电压
当前
IR徽标
YYWWX
站点ID
周
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead ， Free"
www.irf.com
5
VS-10BQ015PbF
威世半导体
肖特基整流器， 1.0
特点
超低正向压降
优化的OR- ing应用
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
125 ° （C T）
J
操作（V
R
< 5 V ）
??高频工作
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
阴极
阳极
SMB
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
SMB （ DO- 214AA ）
1A
15 V
0.32 V
12毫安在100℃下
125 °C
单芯片
1兆焦耳
描述
在VS- 10BQ015PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
和非常小的脚印在PC板。该专利
屏障技术允许可靠运行高达125 ℃的
结温。典型的应用是在磁盘驱动器，
开关电源，转换器，续流二极管，
电池充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.0 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
15
140
0.32
- 55 125
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-10BQ015PbF
15
25
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 84 ° C，方波
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 2 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
1.0
140
A
40
1.0
1.0
mJ
A
单位
A
文档编号： 94110
修订： 15月10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
VS-10BQ015PbF
威世半导体
肖特基整流器， 1.0
电气规格
参数
符号
1A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
2A
1A
2A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围为100kHz至1MHz ），25 ℃下
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.35
0.44
0.32
0.40
0.5
12
-
-
390
2.0
10 000
mA
V
m
pF
nH
V / μs的
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
交界处领导
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
(2)
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJL （2）
R
thJA
直流操作
见图。 4
直流操作
测试条件
值
- 55 125
- 55 150
36
单位
°C
° C / W
80
0.10
0.003
g
盎司
V1C
机箱样式SMB （类似DO- 214AA ）
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
www.vishay.com
2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94110
修订： 15月10
VS-10BQ015PbF
肖特基整流器， 1.0
威世半导体
I
F
- 正向电流（A ）
10
10
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 75 °C
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 50 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
0
94110_02
3
6
9
12
15
94110_01
V
FM
- 正向压降（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 1 - 最大正向压降特性
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
0
94110_03
3
6
9
12
15
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
100
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t
2
1
单身
脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
.
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
94110_04
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 94110
修订： 15月10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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3
VS-10BQ015PbF
威世半导体
100
肖特基整流器， 1.0
允许外壳温度（ ℃）
0.5
平均功耗（ W）
0.4
80
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.3
0.2
60
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
DC
0.1
40
0
94110_05
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
94110_06
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
10
100
1000
10 000
94110_07
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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4
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文档编号： 94110
修订： 15月10
VS-10BQ015PbF
肖特基整流器， 1.0
威世半导体
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
10
2
-
-
-
-
-
-
-
B
3
Q
4
015
5
TR
6
PBF
7
HPP产品后缀
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压（ 015 = 15 V ）
无=盒（ 1000件）
TR =磁带和卷轴（ 3000件）
PBF =铅（Pb ） - 免费
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磁带和卷轴
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