1075 MP
75瓦， 50伏特， C类
航空电子1025年至1150年兆赫
概述
1075 MP是一个共同的基础双极型晶体管。它被设计为
脉冲系统中的频带一〇二五年至1150年兆赫。该装置具有金
薄膜金属化的成熟的最高平均无故障时间。该晶体管包括
输入预匹配的宽带能力。低热阻封装
降低结温，延长了使用寿命。
案例外形
55FU ，风格1
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
2
最大电压和电流
BVces
集电极到发射极电压
BVEBO
发射器基极电压
Ic
集电极电流
最高温度
储存温度
工作结温
250瓦Pk的
65伏
3.5伏特
6.5安培Pk的
- 65至+ 150
o
C
+ 200
o
C
电气特性@ 25
O
C
符号
噘
针
Pg
η
c
VSWR
特征
电源输出
电源输入
功率增益
效率
负载不匹配公差
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
VCC = 50伏
PW = 10
微秒
DF = 1％
F = 1090 MHz的
民
75
13
7.5
9.0
40
20:1
典型值
最大
单位
瓦
瓦
dB
%
BVEBO
BVces
的hFE
COB
θ
jc
2
发射器基极击穿
集电极到发射极击穿
直流电流增益到发射极
输出电容
热阻
IE = 5毫安
IC = 15毫安
VCE = 5V ， IC = 100毫安
VCB = 50 V ， F = 1兆赫
脉冲
3.5
65
20
45
50
0.6
伏
伏
pF
C / W
o
注1 ：在额定输出功率和脉冲条件
2 ：在额定脉冲条件
首次发行， 1994年6月
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前此描述的产品（ S）都成规范的书面，或者使用的关键应用
其性能特点进行验证通过联系厂家。
GHz的科技公司3000 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚95051-0808电话。 408 / 986-8031传真408 / 986-8120
1075MP
75瓦， 50伏特， C类
航空电子1025年至1150年兆赫
概述
该1075MP是一个共同的基础双极型晶体管。它是专为脉冲
系统中的频带1025至1150年兆赫。该装置具有金薄膜
金属化的成熟的最高平均无故障时间。该晶体管包括输入预匹配的
宽带能力。低热阻封装降低结
温度，延长使用寿命。
案例外形
55FW-1
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
2
250瓦Pk的
65伏
3.5伏特
6.5安培Pk的
- 65至+ 150
o
C
+ 200
o
C
最大电压和电流
BVces
集电极到发射极电压
BVEBO
发射器基极电压
Ic
集电极电流
最高温度
储存温度
工作结温
电气特性@ 25°C
符号
P
OUT
P
IN
P
G
ηc
VSWR
特征
电源输出
电源输入
功率增益
效率
负载不匹配公差
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
VCC = 50伏
PW = 10
微秒，
DF = 1％
F = 1090 MHz的
民
75
13
7.5
9
40
20:1
典型值
最大
单位
W
W
dB
%
功能特性@ 25°C
BVEBO
发射器基极击穿
IE = 5毫安
BVces
集电极到发射极击穿IC = 15毫安
的hFE
直流电流增益
VCE = 5V ， IC = 100毫安
COB
输出电容
VCB = 50 V ， F = 1兆赫
2
热阻
θJC
注1 ：在额定输出功率和脉冲条件
2 ：在额定脉冲条件
首次发行， 1994年6月
3.5
65
20
45
50
0.6
o
V
V
pF
C / W
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息
此处包含的。请访问我们的网站：
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或者联系我们的厂家直销。
1075MP
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1075MP
75瓦， 50伏特， C类
航空电子1025年至1150年兆赫
概述
该1075MP是一个共同的基础双极型晶体管。它是专为脉冲
系统中的频带1025至1150年兆赫。该装置具有金薄膜
金属化的成熟的最高平均无故障时间。该晶体管包括输入预匹配的
宽带能力。低热阻封装降低结
温度，延长使用寿命。
案例外形
55FW-1
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
2
最大电压和电流
BVces
集电极到发射极电压
BVEBO
发射器基极电压
Ic
集电极电流
最高温度
储存温度
工作结温
电气特性@ 25°C
符号
P
OUT
P
IN
P
G
ηc
VSWR
1
特征
电源输出
电源输入
功率增益
效率
负载不匹配公差
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
VCC = 50伏
PW = 10
微秒，
DF = 1％
F = 1090 MHz的
民
75
13
7.6
8.5
40
20:1
典型值
最大
单位
W
W
dB
%
250瓦Pk的
65伏
3.5伏特
6.5安培Pk的
- 65至+ 150
o
C
+ 200
o
C
功能特性@ 25°C
BVEBO
发射器基极击穿
BVces
集电极到发射极击穿
的hFE
直流电流增益
COB
输出电容
1
热阻
θJC
注1 ：在额定脉冲条件
版本A ： 2009年12月
IE = 5毫安
IC = 15毫安
VCE = 5V ， IC = 100毫安
VCB = 50 V ， F = 1兆赫
3.5
65
20
12
0.6
o
V
V
pF
C / W
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