X2Y F
ILTER
＆放大器;
ECOUPLING
c
APACITORS
X2Y
滤波电容采用了独特的，专利的低电感设计，具有两个平衡电容器
这是免疫的温度，电压和老化性能差异。
这些组件提供卓越的去耦和EMI滤波性能，从根本上消除寄生效应，以及
可取代多个电容器和电感器节省电路板空间并降低组装成本。
a
DVANTAGES
EMI抑制或去耦台设备
更换多达7个的组件与一个X2Y
差模和共模衰减
匹配电容线对地，两条线
低电感，由于消除效果
a
PPLICATIONS
放大后滤波去耦&
高速数据过滤
EMC I / O过滤
FPGA / ASIC / μ -P解耦
DDR内存去耦
102
2000pF到1000pF
152
3000pF的1500pF
222
4400pF 2200pF
472
9400pF容量为4700pF
.020F .010F
.030F .015F
.044F .022F
.094F .047F
0.20F 0.10F
0.36F 0.18F
0.44F 0.22F
0.68F 0.33F
0.80F 0.40F
<20pF <10pF
200pF的100pF的
440pF 220PF
940pF 470pF的
EMI滤波
（ 1 Y -CAP ）。
电源旁路
（ 2 Y电容）。
帽。
CODE
.078F .039F
0.94F 0.47F
474
XRX
100
220
270
330
470
101
221
471
103
153
223
393
473
104
184
224
334
404
SIZE
0402 (X07)
NPO
X7R
NPO
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
16
100 100 100 100 100 50
50
50
25
25
16
10
10
16
10
10
10
0603 (X14)
X7R
X5R
NPO
X7R
NPO
X7R
X7R
X7R
X7R
100 100 100 100 100 100 100 100 50
0805 (X15)
100 100 100 100 100 100 100 50
100 100 100 100 100 100 100 100 50
50
50
25
10
1206 (X18
1210 (X41)
1410 (X44)
1812 (X43)
电压
评级
6.3 = 6.3 VDC
10 = 10 VDC
16 = 16 VDC
25 = 25 VDC
50 = 50 VDC
100 = 100 VDC
500 = 500 VDC
100
100 100 100
500
500
500
100 100
100
16
16
10
25
100
100
16
100 100
未显示，请联系厂家进行部分的组合。
滤波电容被指定为线对地（端子A或B至G ）
指定的电源旁路电容电源 - 地（A + B至G ）
额定电压是从线到地在电路1 ，电源到地的电路2 。
H
以流
o
的rDer
X2y
c
APACITORS
100
电压
6R3
100
160
250
500
101
501
=
=
=
=
=
=
=
6.3 V
10 V
16 V
25 V
50 V
100 V
500 V
P / N写着： 101X14W102MV4T
X14
SIZE
X07=0402
X14=0603
X15=0805
X18=1206
X41=1210
X44=1410
X43=1812
W
电介质
N = NPO
W = X7R
X = X5R
102
电容
M
公差
V
终止
4
记号
4 =无标记
（无法使用）
E
T
T
填料
=浮雕7 “
=打孔7 “
无代码=散装
磁带规格。
每EIA RS481
第一两位数显
M = ± 20%
V =镍挡板100 ％
着;第三个数字代表* D = ± 0.50 pF的
电镀锡（哑光）
零的数，R =
只*值< 10 pF的
F = Polyterm
小数。
灵活的终结
102 = 1000 pF的
104 = 0.10 F
T =锡铅
5R6 = 5.6pF
X2Y技术专利，并授权由X2Y衰减器， LLC的注册商标。
10
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105
2.0F
20pF
44pF
54pF
66pF
94pF
1.0F
10pF
22pF
27pF
33pF
47pF
X2Y F
ILTER
＆放大器;
ECOUPLING
c
APACITORS
EMI滤波S21
信号到地
电源旁路S21
电源对地
下面标注的电容值按照P / N顺序码（单Y顶盖值）
在电路2测的有效电容是标有单Y顶盖值的2倍。
10.0Ω
10.0Ω
近似阻抗（ Ω ）
1.00Ω
1.00Ω
0.10Ω
0.10Ω
0.01Ω
0.01Ω
e
LECTRICAL
c
极特
温度COEF网络cient ：
介电强度：
耗散因数：
绝缘电阻
（最小25°C时，直流工作电压）
测试条件：
其他：
NPO
0 ± 30ppm的/ ° C（ -55至+ 125 ° C）
X7R
± 15 ％ （ -55至+ 125° C）
X5R
± 15 ％ （ -55至+ 85° C）
Vrated ≤100VDC ： DWV = 2.5×直流工作电压， 25 ° C，最大50mA 。
Vrated = 500VDC ： DWV = 1.5 X直流工作电压，
25 ° C，最大50mA 。
直流工作电压≥ 50 VDC ： 2.5 ％以下。
直流工作电压= 25 VDC ： 3.5 ％以下。
直流工作电压≥ 50 VDC ： 5 ％以下。
0.1 ％以下。
直流工作电压= 10-16 VDC ： 5.0 ％以下。
直流工作电压≤ 25 VDC ： 10 ％以下。
直流工作电压= 6.3 VDC ： 10 ％以下。
C≤ 0.047μF ： 1000 ΩF或100 GΩ ，以较低者为准
C> 0.047μF ： 500 ΩF或10 GΩ ，以较低者为准
> 100 pF的;为1kHz ± 50Hz的; 1.0 ± 0.2 VRMS
C≤ 100 pF的; 1Mhz为± 50kHz的; 1.0 ± 0.2 VRMS
± 1.0kHz @ 50Hz的1.0 ± 0.2 Vrms的
CB
W
看到主目录第35页额外的介质规格。
等效电路
A
G1
B
G2
剖视图
G
A
G
B
多维视角
CB
W
L
EB
T
c
日月光
S
IZE
0402 (X07)
IN
MM
L
W
T
EB
CB
0.045 ±
0.003
0.025 ±
0.003
0.020
最大
0.008 ±
0.003
0.012 ±
0.003
1.143 ±
0.076
0.635 ±
0.076
0.508
最大
0.203 ±
0.076
0.305 ±
0.076
EB
T
0603 (X14)
IN
MM
0.064 ±
0.005
0.035 ±
0.005
0.026
最大
0.010 ±
0.006
0.018 ±
0.004
1.626 ±
0.127
0.889 ±
0.127
0.660
最大
0.254 ±
0.152
0.457 ±
0.102
0805 (X15)
IN
MM
0.080 ±
0.008
0.050 ±
0.008
0.040
最大
0.012 ±
0.008
0.022 ±
0.005
2.032 ±
0.203
1.270 ±
0.203
1.016
最大
0.305 ±
0.203
0.559 ±
0.127
1206 (X18)
IN
MM
0.124 ±
0.010
0.063 ±
0.010
0.050
最大
0.016 ±
0.010
0.040 ±
0.005
3.150 ±
0.254
1.600 ±
0.254
1.270
最大
0.406 ±
0.254
1.016 ±
0.127
1210
L
(X41)
IN
MM
0.125 ±
0.010
0.098 ±
0.010
0.070
最大
0.018 ±
0.010
0.045 ±
0.005
3.175 ±
0.254
2.489 ±
0.254
1.778
最大
0.457 ±
0.254
1.143 ±
0.127
1410 (X44)
IN
MM
0.140 ±
0.010
0.098 ±
0.010
0.070
最大
0.018 ±
0.010
0.045 ±
0.005
3.556 ±
0.254
2.490 ±
0.254
1.778
最大
0.457 ±
0.254
1.143 ±
0.127
1812 (X43)
IN
MM
0.174 ±
0.010
0.125 ±
0.010
0.090
最大
0.022 ±
0.012
0.045 ±
0.005
4.420 ±
0.254
3.175 ±
0.254
2.286
最大
0.559 ±
0.305
1.143 ±
0.127
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11
近似阻抗（ Ω ）
X2Y F
ILTER
＆放大器;
ECOUPLING
c
APACITORS
t
He
X2y
d
ESIGN
- 一B
宠辱不惊
, l
ow
ESL ， “C
APACITOR
c
IRCUIT
”
该X2Y
电容的设计开始采用标准2终端MLC电容的相对电极套， & B，并增加了第三电极组（G ），其
围绕每个A & B电极。其结果是含有两个紧密配合，低电感电容高度vesatile三结电容电路
在一个紧凑的，四端子的SMT芯片。
EMI F
ILTERING
:
该X2Y
成分含有2分流器或“线对地的” Y电容。超低ESL （等效
串联电感），并且这些电容的严格匹配电感提供无与伦比的高频率
共模噪声的低噪声模式的转换进行滤波。 X2Y
成分减少EMI辐射
远高于不平衡分立电容器并联或串联电感滤波器更好。差分信号损耗是
由单个线对地（Y）的电容器的X2Y的值的截止频率确定
.
p
OWER
B
YPASS
/ d
ECOUPLING
对于电源旁路应用， X2Ys
两个“ Y”型的电容器并联连接。这总双打
电容和80 ％ ，或1 / 5的类似尺寸的安装降低了电感的电感安装
MLC电容器实现高性能旁路网络中使用更少的元件和过孔。低ESL
提供改进的高频性能到GHz范围内。
GSM RFI一
ttenuation在
a
UDIO
＆放大器;一
NALOG
GSM手机在850和1850 MHz频段传输采用TDMA脉冲
率217Hz的的。这些信号导致GSM听到嗡嗡声在大范围的音频
产品从耳机音乐厅扩声系统或“沉默”的错误信号
在医疗，工业过程控制和安全应用程序创建的。检测
进行，其中一个840MHz的GSM手机信号被送到
三种不同的放大器测试电路配置输入如下所示，其
输出上测定HF频谱分析仪。
1 ）无输入滤波器， 2离散MLC 100nF的电源旁路电容。
2 ） 2离散MLC 1nF的输入滤波器， 2离散MLC 100nF的电源旁路电容。
3 ）单X2Y 1nF的输入滤波器，单X2Y 100nF的电源旁路电容。
X2Y配置中提供一个以上的环境温度和高达近平坦的响应
10分贝imrpoved抑制比常规的MLCC结构。
a
MPLIFIER
i
NPUT
F
ILTER
e
XAMPLE
在本实施例中，单个约翰森X2Y
组件被用来在一个输入来过滤噪声
DC仪表放大器。这减少了元件的数量由3对1和成本降低70％以上
对比，其中包括1 ％薄膜Y电容传统的过滤器组件。
参数
DC失调漂移
共模抑制
X2Y
10nF
< 0.1 μV
91分贝
分离
10nF电容， 2 @ 220 pF的
< 0.1 μV
92分贝
评论
折合到输入端
来源： ADI公司， “设计师的指南仪表放大器（第二版） ”由查尔斯·基钦和卢计数
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X2Y F
ILTER
＆放大器;
ECOUPLING
c
APACITORS
c
OMMON
m
ODE
c
霍克
r
eplacement
卓越的高频减排
更小的尺寸，更轻的重量
无电流限制
耐振动
不饱和关注
请参阅我们的网站上，有详细的应用指南与组件
测试比较和电路的排放测量。
测量共模抑制
p
ARALLEL
c
APACITOR
S
OLUTION
一个常见的设计实践是将并行十年的电容值
延伸的滤波器网络的高频性能。这会导致一个
的反谐振峰，在过滤器非故意和经常过度看效果
网络的总阻抗。 X2Y极低的安装电感允许
设计者能够使用一个单一的，更高价值的一部分，并且完全避免了反
共振问题。在右边的阻抗图所示的是
一个1nF ， 10nF的& 100nF的0402 MLC的具有平行的红色装阻抗。
MLC的网络反共振峰近10倍所需
阻抗。一个100nF的和47nF的X2Y绘制在蓝色和绿色。 （本
X2Y （电路2）的总电容值的两倍，或200nF和98nF在此
的例子。 ）的单一层X2Y明显优于三个并联的MLC 。
X2Y
室内运动场
p
ERFORMANCE
p
OWER
B
YPASS
- i
的mProve
p
ERFORMANCE
, r
唤起
S
PACE
＆放大器; V
IAS
两个高性能的SerDes的FPGA设计中实际测得的性能演示如何在13组件X2Y绕过网络
显著出去执行38组件MLC网络。欲了解更多信息，请参阅http://johansondielectrics.com/pdfs/JDI_X2Y_STXII.pdf
www.johanson dielectrics.com
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