STSJ100NHS3LL
N沟道30V - 0.0032Ω - 20A - PowerSO - 8
的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基
一般特点
TYPE
STSJ100NHS3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
0.0042
I
D
20A
(1)
1.此值相应额定Rthj -的pcb
■
■
■
■
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
减少开关损耗
降低导通损耗
改进的结外壳热阻
PowerSO-8
描述
本产品采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则
和propriertary流程整合
单片肖特基二极管。新的Power
MOSFET是要求最苛刻的优化
在DC-DC变换器的同步开关功能
对于计算机和电信。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STSJ100NHS3LL
记号
100HS3L-
包
PowerSO-8
包装
磁带&卷轴
2006年7月
REV 3
1/12
www.st.com
12
目录
STSJ100NHS3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
2.1
电特性（曲线）
............................. 8
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/12
STSJ100NHS3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (2)
I
D
I
DM(3)
P
合计
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
(2)
总功耗在T
C
= 25°C
(1)
工作结温
储存温度
价值
30
±16
20
100
12.6
80
70
3
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
1.此值相应额定Rthj -的pcb
2.该值是根据Rthj -C额定
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
THJ -C
R
thj-pcb(1)
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
价值
1.8
42
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜（ t<10sec ）。
表3中。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，不会重复（脉冲
宽度由TJMAX限制）
单脉冲雪崩能量（首发
TJ = 25 ° C，I
D
=I
AV
, V
DD
=24V)
价值
10
1.8
单位
A
J
3/12
电气特性
STSJ100NHS3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 24V
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A @ 125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A @ 125°C
1
分钟。
30
500
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
nA
V
2.5
0.0032 0.0042
0.004 0.0057
0.005
0.006
R
DS （ ON）
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
44
4200
700
46.2
27
8.5
7.2
35
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V,
（参见图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STSJ100NHS3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
=10A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图12）
V
DD
= 15V ，我
D
=10A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图12）
分钟。
典型值。
16
45
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
68
8
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5A ，V
GS
=0
I
SD
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 25V ， TJ = 150℃
（参见图17）
30
30
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
0.75
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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QQ：2880707522 复制
