飞思卡尔半导体公司
技术参数
MW4IC001MR4
第3版， 1/2005
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC001宽带集成电路被设计用作失真
签名设备在模拟预失真系统。它采用飞思卡尔最新的
高电压（ 26 28伏特） LDMOS IC技术。其宽带片上
的设计使得它可用于从800MHz到2170MHz的。线性演出
覆盖所有的调制对于蜂窝应用： GSM EDGE ，TDMA，CDMA和
W - CDMA 。
在2170兆赫， 28伏典型CW性能，我
DQ
= 12毫安
输出功率 - 900毫瓦PEP
功率增益 - 13分贝
效率 - 38 ％
高增益，高效率和高线性度
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
后缀表示铅 - 免费端接
在磁带和卷轴。 R4后缀=每12mm时， 7英寸卷轴100个单位。
MW4IC001NR4
MW4IC001MR4
800 - 2170兆赫， 900毫瓦， 28 V
W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
4.58
0.037
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳@ 85°C
符号
R
θJC
价值
27.3
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
0 （最低）
M1 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 50
A)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 10 mA）的
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.05 A)
正向跨导
(V
DS
= 10 V，I
D
= 0.1 A)
动态特性
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两个 - 音共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输出功率， 1 dB压缩点， CW
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
G
ps
—
13
—
dB
C
OSS
C
RSS
—
—
45
0.62
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.7
0.48
0.05
5
5
0.9
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
10
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
D
—
29
—
%
IMD
—
- 28
—
dBc的
IRL
—
- 18
—
dB
P1dB
G
ps
η
D
IRL
—
12
35
- 10
0.85
13
38
- 16
—
—
—
—
W
dB
%
dB
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C1
C2
Z6
C7
Z7
R1
RF
输入
DUT
Z1
C9
C3
C10
Z2
L1
C4
Z3
Z4
R2
Z5
Z8
L2
Z9
Z10
Z11
C5
C11
Z12
Z13
C13
RF
产量
C6
V
DD
+
C8
C12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
1.331″
0.126″
0.065″
0.065″
0.680″
1.915″
0.120″
x 0.044″
x 0.076″
x 0.175″
x 0.195″
x 0.145″
x 0.055″
x 0.141″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.062 “× 0.044 ”到0.615 “锥
0.082 “× 0.615 ”微带
0.075 “× 0.044 ”微带
0.625 “× 0.044 ”微带
1.375 “× 0.044 ”微带
罗杰斯RO4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路原理图
表6. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路元件牌号和值
部分
C1, C6
C2, C3, C5, C7
C4
C8
C9
C10, C11
C12
C13
L1
L2
R1
R2
描述
0.1
F,
100 V贴片电容
43 pF的， 500 V贴片电容
12 pF的， 500 V贴片电容
22
F,
35 V钽贴片电容器
4.7 pF的， 500 V贴片电容
0.6 - 4.5 pF的， 500 V可变电容器
2.7 pF的， 500 V贴片电容
3.3 pF的， 500 V贴片电容
5.6 nH的片式电感
10 nH的片式电感
100
W
贴片电阻
20
W
贴片电阻
产品型号
C1210C104K5RACTR
100B430JP500X
100B120JP500X
T491X226K035AS
100B4R7CP500X
27271SL
100B2R7CP500X
100B3R3CP500X
0805系列
1008系列
CRCW12061001F100
CRCW120620R0F100
生产厂家
基美
ATC
ATC
基美
ATC
约翰森
ATC
ATC
AVX
ATC
戴尔
戴尔
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
VGG
C1
C2
V DD
C8
C6
C7
C9
C10
C3
R1
C4
L1
R2
L2
C5
C12
C11
C13
MW4IC001MR4
900兆赫
REV 2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路元件布局
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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