RFHA1000
50MHz至
1000MHz,
15W氮化镓
宽带
电源扩增
费里
RFHA1000
50MHz至1000MHz ， 15W的GaN WIDEBAND
功率放大器
包装： AlN的无引线芯片载体/ SO8
特点
VGS
销1
先进的氮化镓HEMT技术
15W的输出功率
先进的散热器技术
50MHz至1000MHz
瞬时带宽
输入内部匹配50
28V的典型操作
性能
输出功率41.5dBm
增益17分贝
功率附加效率60 ％
-40 ° C至85 ° C工作
温度
在RF
2,3引脚
RF OUT / VDS
6,7引脚
GND
BASE
功能框图
产品说明
该RFHA1000是宽带功率放大器专为CW和脉冲应用
系统蒸发散，如无线基础设施，雷达，双向无线电和通用
扩增。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半
指挥过程中，这些高性能放大器实现了高效率，扁平
增益和大的瞬时带宽，在一个单一放大器设计。该
RFHA1000是输入匹配的GaN晶体管封装在一个空气腔的陶瓷
包，它通过使用先进的提供优异的热稳定性
散热器和功耗的技术。易于集成完成
通过优化的输入匹配网络的组件内的掺入
提供在一个单一的放大器宽带增益和功率性能。一个外部
最终输出匹配提供了进一步优化的功率和效率的灵活性
任何部分频带的总带宽内。
大信号模型可用
应用
AB类操作的公共
移动无线
功率放大级的
商用无线
基础设施
通用的Tx放大
测试仪表
民用和军用雷达
订购信息
RFHA1000S2
RFHA1000SB
RFHA1000SQ
RFHA1000SR
RFHA1000TR7
RFHA1000PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板50MHz至1000MHz ;
28V操作
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120418
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 11
RFHA1000
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
RF-输入功率
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
L
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信限） *
热电阻R
TH
（结点到外壳）
测量在T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
10
32
31
12:1
-55到+125
-40至+85
200
1C类
3 x 10
6
6
单位
V
V
mA
V
DBM
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RoHS（有害物质限制） ：每欧盟指令规定
2002/95/EC.
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。
请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不能超过2页上的表中规定的最大运行值。
偏置条件也应满足下面的表达式：P
DISS
< （T
J
- T
C
)/R
TH
的J - C和T
C
= T
例
参数
推荐工作
条件
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
RF输入功率（P
IN
)
输入源电压驻波比
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
28
-5
-3
88
32
-2
30
10:1
V
V
mA
DBM
射频性能
特征
频带
线性增益
功率增益
增益平坦度
增益随温度的变化
输入回波损耗（S
11
)
输出功率（P
3dB
)
功率附加效率（ PAE ）
41.5
60
50
17.5
14.5
3
-0.02
-10
1000
兆赫
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
DBM
%
50MHz至1000MHz
50MHz至1000MHz
小信号3dB带宽
P
OUT
= 30dBm的， 100MHz的
P3DB ， 100MHz的
P
OUT
= 30dBm的， 50MHz至1000MHz
2 11
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120418
RFHA1000
参数
RF功能测试
V
GS （ Q）
收益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
功率附加效率（ PAE ）
40.2
46
14.8
13.2
-3
16
14.3
-12
41.3
53
-10
V
dB
dB
dB
DBM
%
P
IN
= 10dBm的
P
IN
= 27dBm的
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
条件
[1]测试条件： V
DSQ
= 28V ，我
DQ
= 88毫安， CW ， F = 500MHz的， T = 25℃ 。
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
DS120418
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
3 11
RFHA1000
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的50MHz至
为1000MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
小信号S参数与频率
(V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
20
0
增益与频率，P
IN
= 27dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
20
16
级，S
21
（ dB）的
5
级，S
11
, S
22
（ dB）的
16
增益（dB ）
12
10
12
8
15
8
4
S21
S11
S22
20
4
85C
85qC
25C
25
q
C
40C
40
q
C
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
85C
85qC
25C C
25
q
40CC
40
q
900
900
0
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
频率（MHz）
25
0
频率（MHz）
PAE与频率，P
IN
= 27dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
100
0
输入回波损耗与频率，P
IN
= 27dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
功率附加效率， PAE （ ％ ）
60
输入回波损耗， IRL （分贝）
80
5
10
40
85C
85qC
25CC
25
q
40
q
C
40C
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
15
20
20
频率（MHz）
频率（MHz）
增益/ IRL与频率，P
OUT
= 41dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
20
0
90
PAE与频率，P
OUT
= 41dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
功率附加效率， PAE （ ％ ）
16
5
输入回波损耗（dB ）
80
70
12
增益（dB ）
10
60
8
收益
IRL
4
15
50
20
40
1000
0
0
25
30
频率（MHz）
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
600
700
800
频率（MHz）
4 11
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
900
DS120418
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
25
RFHA1000
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的50MHz至
为1000MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
增益与频率关系
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
20
100
噘
P
OUT
=41dBm
噘
P
OUT
=40dBm
噘
P
OUT
=30dBm
功率附加ê FFI效率与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
16
功率附加效率， PAE （ ％ ）
1000
80
12
增益（dB ）
60
8
40
4
噘
P
OUT
=41dBm
噘
P
OUT
=40dBm
P
OUT
=30dBm
噘
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
20
0
频率（MHz）
0
频率（MHz）
1000
45
100
200
300
400
500
600
700
800
40
输入回波损耗与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
0
噘
P
OUT
=41dBm
P
OUT
=40dBm
噘
P
OUT
=30dBm
噘
增益与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
19
18
5
输入回波损耗， IRL （分贝）
17
增益（dB ）
10
16
15
15
20
14
freq=100MHz
freq=500MHz
freq=900MHz
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
25
13
20
25
30
35
P
OUT
，输出功率（dBm ）
频率（MHz）
功率附加效率与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
100
freq=100MHz
freq=500MHz
freq=900MHz
输入回波损耗与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
0
freq=100MHz
freq=500MHz
freq=900MHz
功率附加效率， PAE （ ％ ）
80
5
输入回波损耗， IRL （分贝）
60
10
40
15
20
20
0
20
25
30
35
P
OUT
，输出功率（dBm ）
40
45
25
20
25
30
35
P
OUT
，输出功率（dBm ）
40
45
DS120418
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
900
0
5 11
RFHA1003
30MHz到
512MHz ， 9W
氮化镓宽
带电源
扩音器
RFHA1003
30MHz至512MHz ， 9W的GaN WIDEBAND
功率放大器
包装： AlN的无引线芯片载体/ SO8
特点
VGS
销1
先进的氮化镓HEMT技术
9W的输出功率
先进的散热器技术
30MHz至512MHz
瞬时带宽
输入内部匹配50
28V的典型操作
性能
输出功率39.5dBm
增益19分贝
功率附加效率70 ％
-40 ° C至85 ° C工作
温度
在RF
2,3引脚
RF OUT / VDS
6,7引脚
GND
BASE
功能框图
产品说明
该RFHA1003是宽带功率放大器专为CW和脉冲应用
系统蒸发散，如无线基础设施，雷达，双向无线电和通用
扩增。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半
指挥过程中，这些高性能放大器实现了高效率，扁平
增益和大的瞬时带宽，在一个单一放大器设计。该
RFHA1003是输入匹配的GaN晶体管封装在一个空气腔的陶瓷
包，它通过使用先进的提供优异的热稳定性
散热器和功耗的技术。易于集成完成
通过优化的输入匹配网络的组件内的掺入
提供在一个单一的放大器宽带增益和功率性能。一个外部
最终输出匹配提供了进一步优化的功率和效率的灵活性
任何部分频带的总带宽内。
大信号模型可用
应用
预驱动器，用于多频段无线
基础设施变送器
AB类操作的公共
移动无线
功率放大级的
商用无线
基础设施
通用的Tx放大
测试仪表
民用和军用雷达
订购信息
RFHA1003S2
RFHA1003SB
RFHA1003SQ
RFHA1003SR
RFHA1003TR7
RFHA1003PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板30MHz到512MHz ;
28V操作
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120216
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 11
RFHA1003
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
RF-输入功率
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
L
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信限） *
热电阻R
TH
（结点到外壳）
测量在T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
5
32
27
12:1
-55到+125
-40至+85
200
1C类
3 x 10
6
9.8
单位
V
V
mA
V
DBM
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RoHS（有害物质限制） ：每欧盟指令规定
2002/95/EC.
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。
请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不能超过2页上的表中规定的最大运行值。
偏置条件也应满足下面的表达式：P
DISS
< （T
J
- T
C
)/R
TH
的J - C和T
C
= T
例
参数
推荐工作
条件
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
RF输入功率（P
IN
)
输入源电压驻波比
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
28
-5
-3
55
32
-2
25
10:1
V
V
mA
DBM
RF性能特点
频带
线性增益
功率增益
增益平坦度
增益随温度的变化
输入回波损耗（S
11
)
输出功率（P
3dB
)
功率附加效率（ PAE ）
39.5
70
30
19
16
2
-0.02
-10
512
兆赫
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
DBM
%
30MHz至512MHz
30MHz至512MHz
小信号3dB带宽
P
OUT
= 30dBm的， 100MHz的
P3DB ， 100MHz的
P
OUT
= 30dBm的，在30MHz至2500MHz
2 11
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120216
RFHA1003
参数
RF功能测试
V
GS （ Q）
收益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
功率附加效率（ PAE ）
39
60
39.5
70
18
14.3
-3.0
18.5
15.5
-10
V
dB
dB
dB
DBM
%
P
IN
= 10dBm的
P
IN
= 25dBm的
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
条件
[1]测试条件： V
DSQ
= 28V ，我
DQ
= 55毫安， CW ， F = 300MHz的， T = 25℃ 。
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
DS120216
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
3 11
RFHA1003
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的30MHz到
512MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
小信号S参数与频率
(V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
20
0
增益与频率，P
IN
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
20
16
级，S
21
（ dB）的
5
级，S
11
, S
22
（ dB）的
16
增益（dB ）
12
10
12
8
15
8
4
S21
S11
S22
20
4
85C
85qC
25C
25
q
C
40C
40
q
C
50
0
100
150
200
250
300
350
400
450
85C
85qC
25C C
25
q
40CC
40
q
450
450
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
频率（MHz）
频率（MHz）
PAE与频率，P
IN
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
100
0
输入回波损耗与频率，P
IN
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
功率附加效率， PAE （ ％ ）
60
输入回波损耗， IRL （分贝）
80
5
10
40
85C
85qC
25CC
25
q
40
q
C
40C
50
0
100
150
200
250
300
350
400
450
500
15
20
20
50
100
150
200
250
300
350
400
频率（MHz）
频率（MHz）
增益/ IRL与频率，P
OUT
= 39.5dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
20
0
90
PAE与频率，P
OUT
= 39.5dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
功率附加效率， PAE （ ％ ）
16
5
输入回波损耗（dB ）
80
70
12
增益（dB ）
10
60
8
收益
IRL
4
15
50
20
40
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
50
0
0
0
25
频率（MHz）
30
100
150
200
250
300
350
400
频率（MHz）
4 11
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120216
500
500
0
0
25
500
0
0
25
0
RFHA1003
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的30MHz到
512MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
增益与频率关系
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
24
100
功率附加ê FFI效率与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
20
功率附加效率， PAE （ ％ ）
80
P
OUT
噘嘴= 39.5dBm
噘嘴= 35dBm的
P
OUT
噘嘴= 25dBm的
P
OUT
16
增益（dB ）
60
12
40
8
噘
P
OUT
=39.5dBm
噘
P
OUT
=35dBm
P
OUT
=25dBm
噘
100
150
200
250
300
350
400
450
500
50
0
4
20
0
频率（MHz）
0
100
150
200
250
300
350
400
450
频率（MHz）
500
50
0
输入回波损耗与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
0
增益与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
22
5
输入回波损耗， IRL （分贝）
P
OUT
=39.5dBm
噘
P
OUT
=35dBm
噘
P
OUT
=25dBm
噘
增益（dB ）
20
10
18
15
16
频率= 30MHz的
freq=300MHz
freq=500MHz
20
14
100
150
200
250
300
350
400
450
500
50
0
25
12
20
25
频率（MHz）
30
P
OUT
，输出功率（dBm ）
35
40
功率附加效率与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
100
频率= 30MHz的
freq=300MHz
freq=500MHz
0
输入回波损耗与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 55毫安）
功率附加效率， PAE （ ％ ）
80
5
输入回波损耗， IRL （分贝）
频率= 30MHz的
freq=300MHz
freq=500MHz
60
10
40
15
20
20
0
20
25
30
P
OUT
，输出功率（dBm ）
35
40
25
20
25
30
P
OUT
，输出功率（dBm ）
35
40
DS120216
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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