绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
上面这使用寿命可能被削弱
-65 ° C至+ 150°C
存储温度(T
英镑
)
最高结温(T
J
)
陶瓷的
+175C
-7.0V至+ 0.5V
V
EE
端子电位接地引脚
输入电压(直流)
V
EE
至+ 0.5V
输出电流( DC输出高电平)
-50毫安
静电放电(注2)
≥2000V
推荐工作
条件
外壳温度(T
C
)
军事
电源电压(V
EE
)
-55 ° C至+ 125°C
-5.7V至-4.2V
注1 :
绝对最大额定值是那些价值超过该DE-
副可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下,是不是暗示。
注2 :
ESD测试,符合MIL-STD- 883 ,方法3015 。
军用版
DC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ,V
CC
= V
CCA
= GND ,T
C
= -55 ° C至+ 125°C
符号
V
OH
参数
输出高电压
民
1025
1085
V
OL
输出低电压
最大
870
870
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
1610
1555
V
IH
V
IL
I
IL
输入高电压
输入低电压
输入低电平电流
输入高电流
D
2a
–D
2e
D
1a
–D
1e
I
IH
D
2a
–D
2e
D
1a
–D
1e
I
EE
电源电流
75
350
500
25
mA
-55℃
+125C
注3 :
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度(以保证结温等于-55℃ ) ,然后立即进行测试
未经允许交界温度稳定,由于加热后的电耗。这提供了可被认为是最坏的情况“冷启动”的规格
条件在寒冷的气温。
注4 :
屏幕的每个设备上,在-55℃测试了100 %,+ 25℃和+ 125℃ ,子群,1,2 3 ,图7和8 。
注5 :
样品进行测试(方法5005 ,表Ⅰ)的每个生产大量在-55℃ , + 25℃ ,和+ 125℃ ,子群A 1 ,2,3 ,7,和8 。
注6 :
通过将指定的输入条件和测试V保证
OH
/V
OL
.
T
C
0℃至
+125C
55C
0℃至
+125C
55C
0℃至
+125C
55C
0℃至
+125C
55C
55C
+125C
-55℃
+125C
-55℃
+125C
条件
笔记
V
IN
= V
IH
(最大)
或V
IL
(分钟)
与装
50Ω0至-2.0V
(注3,4, 5)
1830 1620
1830 1555
V
OHC
输出高电压
1035
1085
V
IN
= V
IH
(分钟)
或V
IL
(最大)
与装
50Ω至-2.0V
(注3,4, 5)
V
OLC
输出低电压
mV
mV
mV
mV
A
1165
870
保证高信号
所有输入
保证低信号
所有输入
V
EE
= 4.2V
V
IN
= V
IL
(分钟)
(注3,4 ,5,6 )
(注3,4 ,5,6 )
(注3,4, 5)
1830 1475
0.50
250
350
A
0℃至
+125C
V
EE
= 5.7V
V
IN
= V
IH
(最大)
(注3,4, 5)
A
55C
输入OPEN
(注3,4, 5)
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AC电气特性
V
EE
= -4.2V至-5.7V ,V
CC
= V
CCA
= GND
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
参数
传播延迟
D
na
–D
ne
以O,O-
传播延迟
数据到F
转换时间
20%至80 %,80%至20%的
0.20
1.80
0.30
1.60
0.20
2.00
ns
(注10 )
0.80
2.90
0.90
2.80
0.90
3.40
ns
T
C
= 55C
民
0.30
最大
1.90
T
C
= +25C
民
0.40
最大
1.80
T
C
= +125C
民
0.30
最大
2.30
ns
(注7 , 8 , 9 )
单位
条件
笔记
图1,2
注7 :
F100K 300系列冷温度测试是通过浸泡的温度(以保证结温等于-55℃ ) ,然后立即进行测试
上电后。这提供了可以被认为是一个最坏的情况,在寒冷的气温“冷启动”的规格。
注8 :
屏幕上的每个设备,在+ 25℃的温度只,小组A9上测试100 % 。
注9 :
样品上测试各制造公司(方法5005 ,表I) 。很多在+ 25°C ,小组A9 ,并在+ 125°C和-55℃的温度下,群A10和A11 。
注10 :
在+ 25℃ , + 125℃, -55℃的温度(设计特征数据)未测试。
测试电路
DS100304-5
注意事项:
V
CC
, V
CCA
= +2V, V
EE
= 2.5V
L 1和L =长度相等50Ω阻抗线路
R
T
= 50Ω端接器内部范围
去耦0.1 μF从GND到V
CC
和V
EE
所有未使用的输出负载是50Ω到GND
C
L
=夹具和杂散电容
≤
3 pF的
图1. AC测试电路
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