1.5KE6.8A通1.5KE540A ， 1N6267A通1N6303A
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威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（占空比） ：
0.01 %
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
机箱样式1.5KE
AEC- Q101标准
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
主要特征
V
BR
单向
V
BR
双向
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
（单向只）
T
J
马克斯。
极性
包
6.45 V至567 V
6.45 V至231 V
5.8 V至459 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
单向，双向
1.5KE
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和灯光瞬间
上的IC ，MOSFET，传感器单元用于消费的信号线
计算机，工业，汽车和电信。
机械数据
案例：
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
记
1.5KE250A到1.5KE540A和1.5KE250CA到1.5KE440CA的
只有商业级
用于双向应用的器件
对于双向类型，使用CA的后缀（如1.5KE440CA ）
Eletrical特征适用于两个方向。
极性：
对于单向类型的颜色频带表示
阴极月底，双向类型没有任何标记
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
在无限散热器在T功耗
L
= 75 ℃（图5）的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
(3)
工作结存储温度范围
(2)
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
价值
1500
看下表
6.5
200
3.5/5.0
- 55 175
单位
W
A
W
A
V
°C
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额=每无花果25 ℃。 2
A
(2)
测量8.3ms单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(3)
V = 3.5 V的1.5KE220A及以下; V = 5.0 V的1.5KE250A及以上
F
F
修订： 10 -JUL- 12
文档编号： 88301
1
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威世通用半导体
最大最大
最大
PEAK
夹紧温度
脉冲
电压
系数中
当前
在我
PPM
V的
BR
(2)
I
PPM
V
C
(V)
(%/°C)
(A)
143
10.5
0.057
133
11.3
0.061
124
12.1
0.065
112
13.4
0.068
103
14.5
0.073
96.2
15.6
0.075
89.8
16.7
0.078
82.4
18.2
0.081
70.8
21.2
0.084
66.7
22.5
0.086
59.5
25.2
0.089
54.2
27.7
0.09
49.0
30.6
0.092
45.2
33.2
0.094
40.0
37.5
0.096
36.2
41.4
0.097
32.8
45.7
0.098
30.1
49.9
0.099
27.8
53.9
0.1
25.3
59.3
0.101
23.1
64.8
0.101
21.4
70.1
0.102
19.5
77.0
0.103
17.6
85.0
0.104
16.3
92.0
0.104
14.6
104
0.105
13.3
113
0.105
12.0
125
0.106
10.9
137
0.106
9.9
152
0.107
9.1
165
0.107
8.4
179
0.107
7.2
207
0.106
6.8
219
0.108
6.4
234
0.108
6.1
246
0.108
5.5
274
0.108
4.6
328
0.108
4.4
344
0.110
3.6
414
0.110
3.1
482
0.110
2.7
548
0.110
2.5
602
0.110
2.28
658
0.110
2.15
698
0.110
2.03
740
0.110
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
JEDEC
TYPE
数
1N6267A
1N6268A
1N6269A
1N6270A
1N6271A
1N6272A
1N6273A
1N6274A
1N6275A
1N6276A
1N6277A
1N6278A
1N6279A
1N6280A
1N6281A
1N6282A
1N6283A
1N6284A
1N6285A
1N6286A
1N6287A
1N6288A
1N6289A
1N6290A
1N6291A
1N6292A
1N6293A
1N6294A
1N6295A
1N6296A
1N6297A
1N6298A
1N6299A
1N6300A
1N6301A
1N6302A
1N6303A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
击穿
最大
电压
TEST
对峙REVERSE
一般
V
BR
在我
T (1)
电流电压
泄漏
半导体
(V)
I
T
V
WM
在V
WM
产品型号
（MA ）
(V)
I
D (4)
分钟。马克斯。
(μA)
(+)
1.5KE6.8A
6.45
7.14
10
5.80
1000
(+)
1.5KE7.5A
7.13
7.88
10
6.40
500
(+)
1.5KE8.2A
7.79
8.61
10
7.02
200
(+)
1.5KE9.1A
8.65
9.55
1.0
7.78
50
(+)
1.5KE10A
9.50
10.5
1.0
8.55
10
(+)
1.5KE11A
10.5
11.6
1.0
9.40
5.0
(+)
1.5KE12A
11.4
12.6
1.0
10.2
5.0
(+)
1.5KE13A
12.4
13.7
1.0
11.1
5.0
(+)
1.5KE15A
14.3
15.8
1.0
12.8
1.0
(+)
1.5KE16A
15.2
16.8
1.0
13.6
1.0
(+)
1.5KE18A
17.1
18.9
1.0
15.3
1.0
(+)
1.5KE20A
19.0
21.0
1.0
17.1
1.0
(+)
1.5KE22A
20.9
23.1
1.0
18.8
1.0
(+)
1.5KE24A
22.8
25.2
1.0
20.5
1.0
(+)
1.5KE27A
25.7
28.4
1.0
23.1
1.0
(+)
1.5KE30A
28.5
31.5
1.0
25.6
1.0
(+)
1.5KE33A
31.4
34.7
1.0
28.2
1.0
(+)
1.5KE36A
34.2
37.8
1.0
30.8
1.0
(+)
1.5KE39A
37.1
41.0
1.0
33.3
1.0
(+)
1.5KE43A
40.9
45.2
1.0
36.8
1.0
(+)
1.5KE47A
44.7
49.4
1.0
40.2
1.0
(+)
1.5KE51A
48.5
53.6
1.0
43.6
1.0
(+)
1.5KE56A
53.2
58.8
1.0
47.8
1.0
(+)
1.5KE62A
58.9
65.1
1.0
53.0
1.0
(+)
1.5KE68A
64.6
71.4
1.0
58.1
1.0
(+)
1.5KE75A
71.3
78.8
1.0
64.1
1.0
(+)
1.5KE82A
77.9
86.1
1.0
70.1
1.0
(+)
1.5KE91A
86.5
95.5
1.0
77.8
1.0
(+)
1.5KE100A
95.0
105
1.0
85.5
1.0
(+)
1.5KE 110A
105
116
1.0
94.0
1.0
(+)
1.5KE120A
114
126
1.0
102
1.0
(+)
1.5KE130A
124
137
1.0
111
1.0
(+)
1.5KE150A
143
158
1.0
128
1.0
(+)
1.5KE160A
152
168
1.0
136
1.0
(+)
1.5KE170A
162
179
1.0
145
1.0
1.5KE180A
171
189
1.0
154
1.0
1.5KE200A*
190
210
1.0
171
1.0
1.5KE220A*
209
231
1.0
185
1.0
1.5KE250A
237
263
1.0
214
1.0
1.5KE300A
285
315
1.0
256
1.0
1.5KE350A
333
368
1.0
300
1.0
1.5KE400A
380
420
1.0
342
1.0
1.5KE440A
418
462
1.0
376
1.0
1.5KE480A
456
504
1.0
408
1.0
1.5KE510A
485
535
1.0
434
1.0
1.5KE540A
513
567
1.0
459
1.0
笔记
(1)
脉冲测试：吨
50毫秒
p
(2)
浪涌
每无花果电流波形。根据图3和减免。 2
(3)
所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
(4)
对于双向型与V 10 V和更少的I限制一倍
R
D
*
双向版本正在组件通过UL认证跨线保护， ULV1414文件号E108274 （ 1.5KE200CA ，
1.5KE220CA)
(+)
美国保险商实验室认可保护（ QVGQ2 ）根据安全497B和文件号UL标准的分类
E136766两个单向和双向装置
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威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到环境
典型热阻，结到铅
符号
R
θJA
R
θJL
价值
75
15.4
° C / W
单位
订购信息
（例）
最佳PIN
1.5KE6.8A-E3/54
1.5KE6.8AHE3/54
(1)
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量（g ）
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
t
r
= 10 s
PEAK
价值
I
PPM
10
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
100
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000微秒波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
0.1
0.1 s
1.0 s
10 s
100 s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
- 脉冲宽度（S ）
吨 - 时间（ms ）
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 3 - 脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比， ％
100
10 000
单向
双向
C
J
- 电容（pF ）
75
V
R
= 0
1000
50
100
V
R
=额定
对峙
电压
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
5
10
100
500
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图。 2 - 脉冲功率或电流与初始结温
图。 4 - 典型结电容
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威世通用半导体
100
8.0
ΔV
C
- 增量钳位
电压
7.0
P
D
- 功耗（ W）
波形：
10/1000微秒脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE75
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 0.375"毫米（9.5毫米）
导线长度
20
10
1.5KE39
2.0
1.0
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
50
T
L
- 焊接温度（ ° C）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 5 - 电源降额曲线
图。 8 - 增量钳位电压曲线（单向）
200
100
ΔV
C
- 增量钳位
电压
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
波形：
10/1000微秒脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
1.5KE200C
1.5KE75C
2.0
1.0
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
11C
1.5KE7.5C
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
10
1
10
100
数
环，在60赫兹的
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 6 -
最大非重复正向浪涌电流
只有单向
图。 9 -
增量钳位电压曲线（双向）
100
100
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE100
1.5KE75
ΔV
C
- 增量钳位
电压
ΔV
C
- 增量钳位
电压
波形：
8/20
μs的脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
20
10
20
10
波形：
8/20
μs的脉冲
ΔV
C
=
V
C
-
V
BR
1.5KE200C
1.5KE75C
1.5KE39C
1.5KE30C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE7.5C
2.0
1.0
1.5KE39
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
1.5KE18
1.5KE12
2
1
0.2
0.1
0.5
1
2
10
20
50
0.2
0.1
0.5
1
2.0
10
20
50
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
I
PP
- 峰值脉冲电流（ A）
图。 7 -
增量钳位电压曲线（单向）
图。 10 -
增量钳位电压曲线（双向）
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威世通用半导体
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
10
10
1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
1
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
正向
电压
(V)
t
p
- 脉冲持续时间（ S）
图。 11 -
正向电压特性曲线
图。 12 -
典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
例
风格
1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
APPLIACTION注意事项
该系列硅瞬态抑制器采用的是
应用大电压瞬变
永久损坏电压敏感元件。
在TVS二极管可以在应用中使用
在农村或偏远传输感应雷电
行提出了一个危险的电子电路
（参考： R.E.A.规范体育60 ） 。
此瞬态电压抑制器二极管具有脉冲
1500瓦1毫秒的额定功率。的响应时间
TVS二极管的钳位作用是有效瞬时
(1 x 10
-9
s的双向） ;因此，它们可以保护
集成电路， MOS器件，混合及其它
电压敏感半导体和组件。 TVS
二极管也可以使用串联或并联，以增加
峰值功率额定值。
修订： 10 -JUL- 12
文档编号： 88301
5
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