1N6267A系列
1500瓦Mosorbt齐纳
瞬态电压
抑制器
单向*
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Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
特点
阴极
阳极
轴向引线
CASE 41A
塑料
标记图
A
1.5KE
XXXA
1N6
XXXA
YYWWG
G
=大会地点
= ON器件代码
= JEDEC器件代码
=年
=工作周
=
（请参阅表第3页）
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
1.5KExxxA
1N6xxxA
YY
WW
工作峰值反向电压范围 - 5.8 V至214 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
订购信息
设备
1.5KExxxA
1.5KExxxAG
1.5KExxxARL4
1.5KExxxARL4G
1N6xxxA
1N6xxxAG
1N6xxxARL4
1N6xxxARL4G
包
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
轴向引线
轴向引线
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
230 ℃下，在从10秒的情况下的1/16
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年2月 - 修订版8
出版订单号：
1N6267A/D
1N6267A系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8英寸
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65 +175
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
注：请参阅1.5KE6.8CA到1.5KE250CA为双向设备
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大，我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
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2
1N6267A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（注4 ）
1N6267A ，G
1N6268A ，G
1N6269A ，G
1N6270A ，G
1N6271A ，G
1N6272A ，G
1N6273A ，G
1N6274A ，G
1N6275A ，G
1N6276A ，G
1N6277A ，G
1N6278A ，G
1N6279A ，G
1N6280A ，G
1N6281A ，G
1N6282A ，G
1N6283A ，G
1N6284A ，G
1N6285A ，G
1N6286A ，G
1N6287A ，G
1N6288A ，G
1N6289A ，G
1N6290A ，G
1N6291A ，G
1N6292A ，G
1N6293A ，G
1N6294A ，G
1N6295A ，G
1N6296A ，G
1N6297A ，G
1N6298A ，G
1N6299A ，G
1N6300A ，G
1N6301A ，G
1N6302A ， G *
1N6303A ，G
V
RWM
（注5 ）
（伏）
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94
102
111
128
136
145
154
171
185
214
击穿电压
I
R
@ V
RWM
（MA ）
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BR
（注6 ）
（伏）
民
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
105
114
124
143
152
162
171
190
209
237
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
170
180
200
220
250
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
231
263
@ I
T
（MA ）
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注7 ）
V
C
（伏）
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
328
344
I
PP
(A)
143
132
124
112
103
96
90
82
71
67
59.5
54
49
45
40
36
33
30
28
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
16.3
14.6
13.3
12
11
9.9
9.1
8.4
7.2
6.8
6.4
6.1
5.5
4.6
5
QV
BR
(%/°C)
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.109
0.109
设备
1.5KE6.8A ，G
1.5KE7.5A ，G
1.5KE8.2A ，G
1.5KE9.1A ，G
1.5KE10A ，G
1.5KE11A ，G
1.5KE12A ，G
1.5KE13A ，G
1.5KE15A ，G
1.5KE16A ，G
1.5KE18A ，G
1.5KE20A ，G
1.5KE22A,
1.5KE24A,
1.5KE27A,
1.5KE30A,
G
G
G
G
1.5KE33A ，G
1.5KE36A ，G
1.5KE39A ，G
1.5KE43A ，G
1.5KE47A ，G
1.5KE51A ，G
1.5KE56A ，G
1.5KE62A ，G
1.5KE68A,
1.5KE75A,
1.5KE82A,
1.5KE91A,
G
G
G
G
1.5KE100A ，G
1.5KE110A ，G
1.5KE120A ，G
1.5KE130A ，G
1.5KE150A,
1.5KE160A,
1.5KE170A,
1.5KE180A,
G
G
G
G
1.5KE200A ，G
1.5KE220A ，G
1.5KE250A ，G
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体首选设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
3. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
4.表示JEDEC注册的数据
5.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
6. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度
按照图5和每图1和2减功率7.浪涌电流波形。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用1500 /磁带&卷轴
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3
1N6267A系列
不重复
脉冲波形
如图5中所示
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T = 25
°
C
A
100
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
10,000
1N6267A/1.5KE6.8A
通过
1N6303A/1.5KE200A
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
IPP ，值（％ ）
3/8″
100
t
r
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
tr
≤
10
ms
半值 -
50
t
P
I
PP
2
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
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4
1N6267A系列
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3 0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
43 V
24 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图8中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图9.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有
良好的反应时间，通常是在皮秒范围
和电感可以忽略不计。但是，外部感应
效果可能会产生不能接受的过冲。正确
电路布局，最小导线长度和放置
抑制装置尽可能接近该设备或
元件被保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
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5
