高电压芯片
为500V至5000V应用
高价值,低漏电流和小尺寸很难参数,以获得
在电容器的高电压系统中。 AVX特高压MLC
芯片电容器满足这些性能特点,并
设计的应用程序,如在高频功率缓冲器
转换器在开关电源谐振器和高压耦合/ DC阻断。
这些高电压芯片设计具有低的ESR高频率。
更大的物理尺寸比正常遇到的芯片被用于
使高电压的芯片。这些较大尺寸的要求,特殊的预
注意事项应采取的表面采用这些芯片贴装assem-
布利斯河。这是由于热膨胀系数的差异
衬底的材料和片状电容器之间(CTE) 。适用于热
在预热期间每秒小于4 ℃。最高预热
温度必须内的钎焊温度50℃。
焊料温度应不超过230℃。芯片1808和
大只使用回流焊接。
电容器用X7R电介质不可用于交流线路滤波
应用程序。
联系工厂的建议。电容器可能需要保护
表面涂层,以防止外部的电弧。
部件号(请参阅完整的信息和选项2页)
1808
A
A
271
K
A
1
1A
AVX
风格
1206
1210
1808
1812
1825
2220
2225
3640
电压
7
=
500V
C
=
600V
A
=
1000V
S
=
1500V
G
=
2000V
W
=
2500V
H
=
3000V
J
=
4000V
K
=
5000V
温度电容电容
失败
系数
CODE
公差
率
( 2显著位数
C0G : J = ± 5 %
A = C0G
A =不
+没有。零)
K = ± 10 %适用
C = X7R
示例:
M = ±20%
10 PF = 100 X7R : K = ± 10 %
100 PF = 101
M = ±20%
1000 PF = 102
Z = +80%,
22000 PF = 223
-20%
220000 PF = 224
1 F = 105
终止
1 =钯/银
T =镀镍
和焊接
包装/标识
1A = 7"卷轴
无标记
3A = 13"卷轴
无标记
9A =散装/无标记
W
L
T
t
尺寸
SIZE
(L )长度
(W)的宽度
(T )厚度
马克斯。
( t)的终端
1206
1210
1808*
1812*
1825*
2220*
毫米(英寸)
2225*
3640*
3.20 ± 0.2
3.20 ± 0.2
4.57 ± 0.25
4.50 ± 0.3
4.50 ± 0.3
5.7 ± 0.4
5.72 ± 0.25
9.14 ± 0.25
(0.126 ± 0.008) (0.126 ± 0.008) (0.180 ± 0.010) (0.177 ± 0.012) (0.177 ± 0.012) (0.224 ± 0.016) (0.225 ± 0.010) (0.360 ± 0.010)
1.60 ± 0.2
2.50 ± 0.2
2.03 ± 0.25
3.20 ± 0.2
6.40 ± 0.3
5.0 ± 0.4
6.35 ± 0.25
10.2 ± 0.25
(0.063 ± 0.008) (0.098 ± 0.008) (0.080 ± 0.010) (0.126 ± 0.008) (0.252 ± 0.012) (0.197 ± 0.016) (0.250 ± 0.010) (0.400 ± 0.010)
1.52
1.70
2.03
2.54
2.54
3.3
2.54
2.54
(0.060)
(0.067)
(0.080)
(0.100)
(0.100)
(0.130)
(0.100)
(0.100)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.25 (0.010)
0.76 (0.030)
0.75 (0.030)
0.75 (0.030)
1.02 (0.040)
1.02 (0.040)
1.02 (0.040)
1.02 (0.040)
1.02 (0.040)
1.52 (0.060)
分钟。
马克斯。
*仅限回流焊接
39
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。其温
perature电容的变化为±15%以内,从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用中的电容变化知
tance由于所施加的电压是可以接受的。
部件号(见完整的零件号解释第2页)
0805
SIZE
( L" X W" )
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码(单位为pF )
2西格。数字+
数
零
M
电容
公差
J = ± 5%
K = ±10%
M = ± 20%
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =金
PLATED
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。
产品
联系
工厂
倍数
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻(欧姆法拉)
X7R电介质
典型温度系数
10
5
绝缘电阻与温度
10,000
电容
%的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗,
阻抗,
1.00
1.0
阻抗,
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率, MHz的
频率, MHz的
频率, MHz的
12
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
≤
2.5 %
≥
50V直流评级
≤
对于25V直流额定3.0 %
≤
对于16V直流额定3.5 %
≤
5.0 %
≤
10V直流评级
100,000MΩ或1000MΩ - μF ,
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率: 1.0千赫± 10 %
电压: 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF , 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置,用300 %的额定电压的供
1-5秒,瓦特/充电和放电电流
限定到50mA (最大)
注:为额定150 %充电装置
电压为500V的设备。
变形:2毫米
测试时间:30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤
±12%
满足初始值(如上面)
≥
初始值×0.3
≥
95%的各终端的应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷,两端端子<25浸出%
≤
±7.5%
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤
±7.5%
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 (见上文)
≥
初始值×0.3 (见上文)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 (见上文)
≥
初始值×0.3 (见上文)
满足初始值(如上面)
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步: -55℃ ± 2°
第2步:房间温度
步骤3 : + 125℃ ± 2°
步骤4:房间温度
30± 3分钟
≤
3分钟
30± 3分钟
≤
3分钟
热
震
重复5次和措施后,
在室温24±2小时
充电设备与二次额定电压
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时( +48 , -0 )
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 %±5%相对湿度
( 48 , -0 )额定电压应用。
从室中取出,并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
13
封装贴片元件
自动插入包装
TAPE &卷数量
所有的磁带和卷轴规格均符合RS481 。
8mm
纸或压纹载体
只有浮雕
本文只
数量。每卷/ 7"卷轴
数量。每卷/ 13"卷轴
0201, 0306, 0402, 0603
2000 , 3000或4000 10000 15000
联系工厂确切数量
12mm
0612, 0508, 0805, 1206,
1210
1808
1812, 1825
2220, 2225
500, 1,000
联系工厂确切数量
3,000
10,000
5,000, 10,000, 50,000
联系工厂确切数量
4,000
卷轴尺寸
TAPE
SIZE
(1)
8mm
A
马克斯。
B*
分钟。
C
D*
分钟。
N
分钟。
W
1
-0.0
8.40
+1.5
+0.059
(0.331
-0.0
)
W
2
马克斯。
14.4
(0.567)
W
3
7.90最小。
(0.311)
10.9最大。
(0.429)
11.9最小。
(0.469)
15.4最大。
(0.607)
330
(12.992)
12mm
1.5
(0.059)
13.0
+0.50
-0.20
-0.008
(0.512
+0.020
)
20.2
(0.795)
50.0
(1.969)
-0.0
12.4
+2.0
-0.0
(0.488
+0.079
)
18.4
(0.724)
公制尺寸为准。
英语测试圆润,仅供参考。
( 1 )对于磁带大小16毫米和24mm (带芯片尺寸3640使用)咨询EIA RS - 481的最新版本。
60
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R的配方称为“温度稳定”陶瓷和
属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
中间的电介质常数的材料。它的温度杂物 -
电容和灰在± 15 %范围从-55 ° C至+ 125°C 。这
电容变化是非线性的。
电容为X7R电OP-的影响下发生变化
的工作条件,例如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用在电容已知变化
由于施加的电压是可以接受的。
部件号(见完整的零件号解释第2页)
0805
SIZE
( L" X W" )
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码(单位为pF )
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
* ≤1μF只,
请联络厂方
附加价值
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。
产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注:请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻(欧姆法拉)
X7R电介质& frac12 ;
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
%的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗股价值及frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
1000 pF的主场迎战万PF - X7R & frac12 ;
0805½
½
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗与芯片尺寸& frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
万PF - X7R & frac12 ;
½
10
1206
½
0805
1210
阻抗与芯片尺寸& frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
100000 PF - X7R & frac12 ;
10
½
½
1206
0805
1210
阻抗,
阻抗,
1.00
1.0
阻抗,
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率, MHz的
频率, MHz的
频率, MHz的
17
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R的配方称为“温度稳定”陶瓷和
属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
中间的电介质常数的材料。它的温度杂物 -
电容和灰在± 15 %范围从-55 ° C至+ 125°C 。这
电容变化是非线性的。
电容为X7R电OP-的影响下发生变化
的工作条件,例如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用在电容已知变化
由于施加的电压是可以接受的。
部件号(见完整的零件号解释第2页)
0805
SIZE
( L" X W" )
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码(单位为pF )
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
* ≤1μF只,
请联络厂方
附加价值
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。
产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注:请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻(欧姆法拉)
X7R电介质& frac12 ;
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
%的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗股价值及frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
1000 pF的主场迎战万PF - X7R & frac12 ;
0805½
½
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗与芯片尺寸& frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
万PF - X7R & frac12 ;
½
10
1206
½
0805
1210
阻抗与芯片尺寸& frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线& frac12 ;
100000 PF - X7R & frac12 ;
10
½
½
1206
0805
1210
阻抗,
阻抗,
1.00
1.0
阻抗,
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率, MHz的
频率, MHz的
频率, MHz的
17
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。它的温度
电容的TURE变化在±15%从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用中的已知变化
电容由于所施加的电压是可以接受的。
部件号(见完整的零件号解释第2页)
0805
SIZE
( L" X W" )
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码(单位为pF )
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
只有* ≤1μF
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注:请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻(欧姆法拉)
X7R电介质
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
%的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗,
阻抗,
1.00
1.0
阻抗,
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率, MHz的
频率, MHz的
频率, MHz的
16
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
为≤ ≥ 50V直流额定2.5 %
≤为25V DC额定3.0 %
≤为16V DC额定3.5 %
≤ ≤为10V DC额定5.0 %
100,000MΩ或1000MΩ - μF ,
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率: 1.0千赫± 10 %
电压: 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF , 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置,用300 %的额定电压的供
1-5秒,瓦特/充电和放电电流
限定到50mA (最大)
注:为额定150 %充电装置
电压为500V的设备。
变形:2毫米
测试时间:30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤ ±12%
满足初始值(如上面)
≥初始值×0.3
每个终端≥ 95%应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷,两端端子<25浸出%
≤ ±7.5%
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤ ±7.5%
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤ ±12.5%
≤初始值×2.0 (见上文)
≥初始值×0.3 (见上文)
满足初始值(如上面)
没有视觉缺陷
≤ ±12.5%
≤初始值×2.0 (见上文)
≥初始值×0.3 (见上文)
满足初始值(如上面)
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步: -55℃ ± 2°
第2步:房间温度
步骤3 : + 125℃ ± 2°
步骤4:房间温度
30± 3分钟
≤ 3分钟
30± 3分钟
≤ 3分钟
热
震
重复5次和措施后,
在室温24±2小时
充电装置在1.5额定电压( ≤ 10V )
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时( +48 , -0 )
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 %±5%相对湿度
( 48 , -0 )额定电压应用。
从室中取出,并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
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