X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。它的温度
电容的TURE变化在±15％从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用在电容已知变化
由于施加的电压是可以接受的。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
只有* ≤1μF
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
X7R电介质
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
％的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗，
阻抗，
1.00
1.0
阻抗，
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率， MHz的
频率， MHz的
频率， MHz的
16
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
≤
2.5 ％
≥
50V直流评级
≤
对于25V直流额定3.0 ％
≤
对于16V直流额定3.5 ％
≤
5.0 ％
≤
10V直流评级
100,000MΩ或1000MΩ - μF ，
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率： 1.0千赫± 10 ％
电压： 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF ， 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置，用300 ％的额定电压的供
1-5秒，瓦特/充电和放电电流
限定到50mA （最大）
注：为额定150 ％充电装置
电压为500V的设备。
变形：2毫米
测试时间：30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤
±12%
满足初始值（如上面）
≥
初始值×0.3
≥
95％的各终端的应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷，两端端子<25浸出％
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步： -55℃ ± 2°
第2步：房间温度
步骤3 ： + 125℃ ± 2°
步骤4：房间温度
30± 3分钟
≤
3分钟
30± 3分钟
≤
3分钟
热
震
重复5次和措施后，
在室温24±2小时
充电装置在1.5额定电压（ ≤ 10V ）
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时（ +48 ， -0 ）
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 ％±5％相对湿度
（ 48 ， -0 ）额定电压应用。
从室中取出，并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
17
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。其温
perature电容的变化为±15％以内，从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用中的电容变化知
tance由于所施加的电压是可以接受的。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%
K = ±10%
M = ± 20%
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm **
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
X7R电介质
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
％的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗，
阻抗，
1.00
1.0
阻抗，
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率， MHz的
频率， MHz的
频率， MHz的
14
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
≤
2.5 ％
≥
50V直流评级
≤
对于25V直流额定3.0 ％
≤
对于16V直流额定3.5 ％
≤
5.0 ％
≤
10V直流评级
100,000MΩ或1000MΩ - μF ，
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率： 1.0千赫± 10 ％
电压： 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF ， 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置，用300 ％的额定电压的供
1-5秒，瓦特/充电和放电电流
限定到50mA （最大）
注：为额定150 ％充电装置
电压为500V的设备。
变形：2毫米
测试时间：30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤
±12%
满足初始值（如上面）
≥
初始值×0.3
≥
95％的各终端的应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷，两端端子<25浸出％
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步： -55℃ ± 2°
第2步：房间温度
步骤3 ： + 125℃ ± 2°
步骤4：房间温度
30± 3分钟
≤
3分钟
30± 3分钟
≤
3分钟
热
震
重复5次和措施后，
在室温24±2小时
充电装置在1.5额定电压（ ≤ 10V ）
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时（ +48 ， -0 ）
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 ％±5％相对湿度
（ 48 ， -0 ）额定电压应用。
从室中取出，并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
15
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R的配方称为“温度稳定”陶瓷和
属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
中间的电介质常数的材料。它的温度杂物 -
电容和灰在± 15 ％范围从-55 ° C至+ 125°C 。这
电容变化是非线性的。
电容为X7R电OP-的影响下发生变化
的工作条件，例如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用在电容已知变化
由于施加的电压是可以接受的。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
* ≤1μF只，
请联络厂方
附加价值
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。
产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
X7R电介质＆ frac12 ;
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
％的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗股价值及frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线＆ frac12 ;
1000 pF的主场迎战万PF - X7R ＆ frac12 ;
0805½
½
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗与芯片尺寸＆ frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线＆ frac12 ;
万PF - X7R ＆ frac12 ;
½
10
1206
½
0805
1210
阻抗与芯片尺寸＆ frac12的变化;
阻抗 - 频率曲线＆ frac12 ;
100000 PF - X7R ＆ frac12 ;
10
½
½
1206
0805
1210
阻抗，
阻抗，
1.00
1.0
阻抗，
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率， MHz的
频率， MHz的
频率， MHz的
17
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。它的温度
电容的TURE变化在±15％从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用在电容已知变化
由于施加的电压是可以接受的。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%*
K = ±10%
M = ± 20%
只有* ≤1μF
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm
**
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
X7R电介质
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
％的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗，
阻抗，
1.00
1.0
阻抗，
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率， MHz的
频率， MHz的
频率， MHz的
16
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
≤
2.5 ％
≥
50V直流评级
≤
对于25V直流额定3.0 ％
≤
对于16V直流额定3.5 ％
≤
5.0 ％
≤
10V直流评级
100,000MΩ或1000MΩ - μF ，
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率： 1.0千赫± 10 ％
电压： 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF ， 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置，用300 ％的额定电压的供
1-5秒，瓦特/充电和放电电流
限定到50mA （最大）
注：为额定150 ％充电装置
电压为500V的设备。
变形：2毫米
测试时间：30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤
±12%
满足初始值（如上面）
≥
初始值×0.3
≥
95％的各终端的应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷，两端端子<25浸出％
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步： -55℃ ± 2°
第2步：房间温度
步骤3 ： + 125℃ ± 2°
步骤4：房间温度
30± 3分钟
≤
3分钟
30± 3分钟
≤
3分钟
热
震
重复5次和措施后，
在室温24±2小时
充电装置在1.5额定电压（ ≤ 10V ）
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时（ +48 ， -0 ）
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 ％±5％相对湿度
（ 48 ， -0 ）额定电压应用。
从室中取出，并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
17
X7R电介质
一般特定网络阳离子
X7R配方称为“温度稳定”陶瓷
而属于EIA II类材料。 X7R是最流行的
这些中间介电常数材料。其温
perature电容的变化为±15％以内，从
-55 ° C至+ 125°C 。此电容变化是非线性的。
电容为X7R电的影响下发生变化
操作条件如电压和频率。
X7R电介质芯片的使用涵盖的范围广泛
工业应用中的电容变化知
tance由于所施加的电压是可以接受的。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
4V = 4
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
C
电介质
X7R = C
103
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
零的个数
M
电容
公差
J = ± 5%
K = ±10%
M = ± 20%
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和Sn
7 =镀金*
Z =的FlexiTerm **
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
7 =散装卡斯。
9 =散装
A
特别
CODE
A =标准。产品
*可选终止
**见的FlexiTerm
X7R节
联系
工厂
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
X7R电介质
典型温度系数
10
5
电容与频率的关系
+30
+20
绝缘电阻与温度
10,000
电容
％的上限变更
0
-5
-10
-15
-20
-25
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
+10
0
-10
-20
-30
1KHz
1,000
100
%
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
120
温度
°C
频率
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
1000 pF的主场迎战万PF - X7R
0805
10.00
1000 pF的
万pF的
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
万PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
100000 PF - X7R
10
1206
0805
1210
阻抗，
阻抗，
1.00
1.0
阻抗，
1.0
0.10
0.1
0.1
0.01
10
100
1000
.01
1
10
.01
100
1,000
1
10
100
1,000
频率， MHz的
频率， MHz的
频率， MHz的
14
X7R电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
耗散因数
X7R规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
≤
2.5 ％
≥
50V直流评级
≤
对于25V直流额定3.0 ％
≤
对于16V直流额定3.5 ％
≤
5.0 ％
≤
10V直流评级
100,000MΩ或1000MΩ - μF ，
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率： 1.0千赫± 10 ％
电压： 1.0Vrms ± .2V
对于第> 10 μF ， 0.5Vrms @ 120Hz的
充电设备的额定电压
120 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置，用300 ％的额定电压的供
1-5秒，瓦特/充电和放电电流
限定到50mA （最大）
注：为额定150 ％充电装置
电压为500V的设备。
变形：2毫米
测试时间：30秒
1mm/sec
绝缘电阻
介电强度
耐
曲
讲
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
无缺陷
≤
±12%
满足初始值（如上面）
≥
初始值×0.3
≥
95％的各终端的应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷，两端端子<25浸出％
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±7.5%
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤
±12.5%
≤
初始值×2.0 （见上文）
≥
初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
耗散
因素
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
耐
焊锡热
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步： -55℃ ± 2°
第2步：房间温度
步骤3 ： + 125℃ ± 2°
步骤4：房间温度
30± 3分钟
≤
3分钟
30± 3分钟
≤
3分钟
热
震
重复5次和措施后，
在室温24±2小时
充电装置在1.5额定电压（ ≤ 10V ）
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时（ +48 ， -0 ）
从试验容器中取出并稳定
在室温下放置24±2小时
前测。
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 ％±5％相对湿度
（ 48 ， -0 ）额定电压应用。
从室中取出，并稳定在
室内温度和湿度对
前24 ±2小时测量。
负载寿命
负载
湿度
15
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