C0G （ NP0 ）电介质
一般特定网络阳离子
C0G （ NP0 ）是“温度的最流行的配方
TURE补偿， “ EIA I类陶瓷材料。现代
C0G （ NP0 ）配方中含有钕，钐和
其他稀土氧化物。
C0G （ NP0 ）陶瓷提供最稳定的电容器之一
可用介质。电容随温度的变化
为0 ± 30ppm的/ ° C的不大于± 0.3％
C来自-55°C
至+ 125°C 。电容的漂移或滞后C0G （ NP0 ）
陶瓷是可忽略的，在小于± 0.05 ％和高达
± 2％的薄膜。典型的电容变化的生活少
超过±为C0G （ NP0 ） 0.1％ ，五分之一，所示由最
其他的电介质。 C0G （ NP0 ）配方中不显示衰老
的特点。
该C0G （ NP0 ）配方通常有超过一个“Q”
1000 ，显示小电容或“Q ”的转变
频率。其介电吸收是通常小于
0.6 ％，这是类似于云母和最薄膜。
部件号（见完整的零件号解释第3页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
A
电介质
C0G （ NP0 ） = A
101
电容
CODE
J
电容
公差
首选
K = ±10%
J = ± 5%
A
失败
率
A =不
适用
T
终端
T =镀镍
和焊接
2
包装
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
A
特别
CODE
A =标准。
产品
性能特点
电容范围
电容公差
0.5 pF至0.1 μF （ 1.0 ± 0.2 Vrms的， 1kHz时，对
≤100
pF的使用1兆赫）
优选±5％ ，±10％
其他可供选择： ± 0.25 pF的，± 0.5 pF的±1 ％ （ ≥25pF ） ，± 2 ％ （ ≥13pF ） ，± 20 ％
为值
≤
10 pF的首选公差为± 0.5 pF的，也可± 0.25 pF的。
-55 ° C至+ 125°C
0 ± 30 PPM / ° C（ EIA C0G ）
25 ， 50 ， 100 & 200 VDC （ + 125°C ）
对于价值观>30 PF： 0.1 ％以下。 （ + 25 ° C至+ 125°C ）
为值
≤30
PF： “Q” = 400 + 20乘C （C为pF ）
100000兆欧分钟。或1000 MΩ - μF分钟，以较低者为准
万兆欧分钟。或100 MΩ - μF分钟，以较低者为准
250 ％额定电压5秒钟，在50 MAMP最大值。当前
1 ± 0.2 Vrms的
为值
≤100
PF： 1兆赫
对于价值观>100 PF： 1千赫
工作温度范围
温度特性
电压额定值
耗散因数和“Q”
绝缘电阻
（ + 25 ° C， RVDC ）
绝缘电阻
（ + 125°C ， RVDC ）
介电强度
测试电压
测试频率
4
C0G （ NP0 ）电介质
典型特性曲线**
温度COEF网络cient
典型的静电容量变化
信封： 0
±
30 PPM /°C的
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
0805 - C0G （ NP0 ）
10 pF的与100 pF的与1000 pF的
100,000
电容
10,000
+0.5
-0.5
阻抗，
0
1,000
%
100
10.0
10 pF的
-55 -35 -15 +5 +25 +45 +65 +85 +105 +125
1.0
0.1
1
10
100
100 pF的
1000 pF的
1000
温度
°C
电容与频率的关系
+2
频率， MHz的
电容
+1
0
-1
-2
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
1000 PF - C0G （ NP0 ）
10
1206
0805
1812
1210
1.0
1KHz
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0.1
10
频率
阻抗，
%
100
1000
绝缘电阻（欧姆法拉）
绝缘电阻与温度
10,000
频率， MHz的
1,000
阻抗的变化与陶瓷配方
阻抗与频率
1000pF的 - C0G （ NP0 ）， X7R VS
0805
10.00
X7R
NPO
阻抗，
+20
+25
+40
+60
+80
+100
100
1.00
0.10
0
温度
°C
0.01
10
100
1000
频率， MHz的
电容概要RANGES VS.芯片尺寸
风格
0402*
0504
0603*
0805*
1206*
1210*
1505
1808
1812*
1825*
2220
2225
25V
在0.5pF - 220PF
在0.5pF - 330pF的
在0.5pF - 1nF的
在0.5pF - 4.7nF
在0.5pF - 10nF的
560pF - 10nF的
—
1nF的 - 15nF
50V
在0.5pF - 120pF
在0.5pF - 150pF的
在0.5pF - 1nF的
在0.5pF - 2.2nF
在0.5pF - 4.7nF
560pF - 10nF的
10pF的 - 1.5nF
1nF的 - 4.7nF
1nF的 - 10nF的
1nF的 - 值为22nF
4.7nF - 47nF的
1nF的 - 100nF的
100V
—
在0.5pF - 68pF的
在0.5pF - 330pF的
在0.5pF - 1nF的
在0.5pF - 2.2nF
560pF - 3.9nF
10pF的 - 820pF
1nF的 - 3.9nF
1nF的 - 4.7nF
1nF的 - 12nF
4.7nF - 39nF
1nF的 - 39nF
200V
—
—
—
在0.5pF - 470pF的
在0.5pF - 1nF的
560pF - 1.5nF
10pF的 - 560pF
1nF的 - 2.2nF
1nF的 - 为3.3nF
1nF的 - 6.8nF
为3.3nF - 27nF
1nF的 - 39nF
*标准尺寸
**有关与运行条件下的性能变化的更多信息请咨询AVX软件SpiCap 。
5
如何订购
产品型号说明
示例： 08055A101JAT2A
0805
SIZE
（ L" X W" ）
0402
0504
0603
0805
1005
0907
1206
1210
1505
1805
1808
1812
1825
2225
3640
5
A
电介质
C0G （ NP0 ） = A
X7R = C
X5R = D
Z5U = E
Y5V = G
101
J
电容
公差
= ± 0.25 pF的*
= ± 0.50 pF的*
= ± 1 ％ （ ≥ 25 pF的）
= ± 2 ％ （ ≥ 13 pF的）
= ±5%
= ±10%
= ±20%
= +80%, -20%
= +100%, -0%
A
T
终端
2
A
特别**
CODE
A =标准
产品
非标
P =浮雕
无标记
M =浮雕
标
E =标准
包装
标
低调
只有芯片
马克斯。厚度
T = 0.66毫米（ 0.026" ）
S = 0.56毫米（ 0.022" ）
R = 0.46毫米（ 0.018" ）
C
D
F
G
J
K
M
Z
P
标准：
T =镍和锡
PLATED
其他：
7 =镀镍
镀金
1 =钯/银
电压
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
250V = V
500V = 7
600V = C
1000V = A
1500V = S
2000V = G
2500V = W
3000V = H
4000V = j的
5000V = K
电容
CODE
（ 2显著
数字+无。的
零）
示例：
10 PF = 100
100 PF = 101
1000 PF = 102
22000 PF = 223
220000 PF = 224
1 F = 105
对于低于10 pF的电容值，
用“R”代替
小数点，例如， 9.1
PFD = 9R1 。
失败
率
A =不
适用
包装**
推荐：
2 = 7"卷轴
4 = 13"卷轴
其他：
7 =散装盒
9 =散装
* C&D公差为10 pF的电容值。
**标准磁带和卷轴材料依赖于芯片大小和厚度。
请参阅每个电容值带材料类型单个零件表。
注：未标记的产品标准。标志的产品可在特殊要求，请与AVX 。
标准包装所示的各个表中。
非标包装可根据特殊要求，请与AVX 。
3
QQ：2880707522 复制
