文档306-1
USB 2.0的共模扼流圈 - 0805
这些Coilcraft在过滤器的设计几乎消除
所有的共模噪音在高速，差动模式
信号传输的应用程序，例如USB 2.0 ，
IEEE1394和LVDS 。大多数提供大于25分贝
共模衰减和大于100欧姆
阻抗。
低调的设计和标准的0805足迹化妆
它的设计电路板空间是理想的解决方案
溢价。
这些双伤口滤波器具有极低的直流电阻
并在八个值，以满足您的特定可用
要求。
Coilcraft公司
设计者工具包C384
包含所有的样品
这里显示的数值加在我们1206USB的所有值和
0603USB系列。如需订购，请联系Coilcraft公司或购买
在线
http://order.coilcraft.com 。
共模
典型阻抗（欧姆）
10兆赫100兆赫500兆赫
共模
衰减典型值（分贝）
10兆赫100兆赫500兆赫
产品型号
1
电感
2
DCR MAX
3
分（ nH的）
（欧姆）
隔离
（ V有效值）
IRMS
4
（MA ）
0805USB-421ML_
0805USB-901ML_
0805USB-172ML_
0805USB-262ML_
0805USB-372ML_
0805USB-502ML_
0805USB-672ML_
0805USB-902ML_
14
28
57
85
118
148
246
294
42
90
170
260
370
500
670
900
70
154
303
435
641
945
1231
1715
1.1
1.4
2.3
3.0
4.5
4.9
8.4
8.7
2.3
4.2
6.7
8.6
11.9
14.5
16.6
18.7
8.4
16.9
22.0
27.8
34.3
31.3
30.0
30.5
23
47
84
147
189
273
322
413
0.12
0.17
0.25
0.26
0.32
0.37
0.45
0.65
2
250
250
250
250
250
250
250
250
500
500
500
500
500
500
500
400
1
1，订货时请注明
包装
代码：
0805USB-902MLC
包装：C
= 7 “机器就绪卷轴。 EIA- 481压花塑料
磁带（ 2000分之完整卷轴） 。
B
=较完整卷轴都不能少。在磁带上，而不是机器准备就绪。
有一个片头和片尾加入（25美元费用） ，
使用代码字母C来代替。
D
= 13 “的机器就绪卷轴。 EIA- 481压花塑料
磁带（每个完整卷轴7500件） 。
2.电感在100MHz测量采用Agilent / HP 4286A
阻抗分析仪和Coilcraft在SMD -A灯具。
3. DCR是每个绕组规定。
每个绕组4.电流导致从25 ° C环境20 ℃的上升。
5.工作温度范围
40°C
至85℃ 。
6，电气特性在25 ℃。
0.080 ±0.004
2,03 ±0,10
0.065 MAX
1,65
3
0.020 0.040
0,51 1,02
0.004
0,10
0.030
0,76
2
1
2
4
0.036
0,91
1
0.014
0,36
0.050 ±0.004
1,27 ±0,10
4
3
3
4
0.018
0,46
推荐
土地模式
0.020
0,51
终端：
镀金镍在银 - 钯 - 玻璃料
重量：
14.9 - 15.2毫克
磁带和卷轴：
2000/7 “卷轴;十三分之七千五百“排8毫米磁带宽度
对于包装的数据看带和卷轴规格部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请查看我们的网站了解最新信息。
文档306-1
修订后的04/01/08
Coilcraft公司， 2009年公司
P * V系列，热敏
芯片衰减器。
这些热可变衰减器具有相反的温度特性
砷化镓MOSFET放大器和补偿温度引起的增益波动
这样的放大器。
符合RoHS
特定网络阳离子
机械
PXV1220S
(0805)
2.0 0.2
0.55 0.25
1.0 0.2
0.4 0.2
PBV1632S
(1206)
3.2 0.2
顶部
1.60 0.2
0.4 0.2
0.4 0.2
3.2 0.2
背面
0.4 0.1
（尺寸：毫米）
1.5max
1.25 0.2
0.65 0.70 0.65
0.35 0.2 0.35
0.35 0.2
0.55 0.2
0.35 0.2
0.9 0.2
当量
电路
电动
PXV1220S
PBV1632S
衰减
1 ，2，3 ，4，5 ，6，7 ，8，9 ， 10分贝
1，2， 3，4， 5，6， 7，8， 9，10， 16分贝
衰减公差
0.5分贝（ @ 25℃ ，空载）
阻抗
50
VSWR
1.3或更小
例如： 6分贝
N1 0.0119分贝/ DB * C N5 0.0041分贝/ DB * C
N1 N8
N2 0.0088分贝/ DB * C N6 0.0035分贝/ DB * C
温度COEF网络cient
（宁类型供
衰减
N3 0.0062分贝/ DB * C N7 0.0026分贝/ DB * C
1至3 dB）的
N4 0.0047分贝/ DB * C N8 0.0019分贝/ DB * C
TYPE
频带
额定功率
工作温度。范围
包
DC
63mW
3GHz
100mW
40 C
100 C
100个/包1,000pcs /卷min.20pcs /包1,000pcs /卷
请联系我们的相关内容的书。
产品型号
PXV 1220S - 6分贝
N1 - T的
封装（ T =卷带， B =散装）
衰减温度COE FFI cient
衰减
尺寸
部分代码
← NOT
运往或出售在美国“
进组产品目录
P * V系列，热敏
芯片衰减器。
这些热可变衰减器具有相反的温度特性
砷化镓MOSFET放大器和补偿温度引起的增益波动
这样的放大器。
符合RoHS
特定网络阳离子
机械
PXV1220S
(0805)
2.0 0.2
0.55 0.25
1.0 0.2
0.4 0.2
PBV1632S
(1206)
3.2 0.2
顶部
1.60 0.2
0.4 0.2
0.4 0.2
3.2 0.2
背面
0.4 0.1
（尺寸：毫米）
1.5max
1.25 0.2
0.65 0.70 0.65
0.35 0.2 0.35
0.35 0.2
0.55 0.2
0.35 0.2
0.9 0.2
当量
电路
电动
PXV1220S
PBV1632S
衰减
1 ，2，3 ，4，5 ，6，7 ，8，9 ， 10分贝
1，2， 3，4， 5，6， 7，8， 9，10， 16分贝
衰减公差
0.5分贝（ @ 25℃ ，空载）
阻抗
50
VSWR
1.3或更小
例如： 6分贝
N1 0.0119分贝/ DB * C N5 0.0041分贝/ DB * C
N1 N8
N2 0.0088分贝/ DB * C N6 0.0035分贝/ DB * C
温度COEF网络cient
（宁类型供
衰减
N3 0.0062分贝/ DB * C N7 0.0026分贝/ DB * C
1至3 dB）的
N4 0.0047分贝/ DB * C N8 0.0019分贝/ DB * C
TYPE
频带
额定功率
工作温度。范围
包
DC
63mW
3GHz
100mW
40 C
100 C
100个/包1,000pcs /卷min.20pcs /包1,000pcs /卷
请联系我们的相关内容的书。
产品型号
PXV 1220S - 6分贝
N1 - T的
封装（ T =卷带， B =散装）
衰减温度COE FFI cient
衰减
尺寸
部分代码
← NOT
运往或出售在美国“
进组产品目录
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MW4IC001MR4
第3版， 1/2005
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC001宽带集成电路被设计用作失真
签名设备在模拟预失真系统。它采用飞思卡尔最新的
高电压（ 26 28伏特） LDMOS IC技术。其宽带片上
的设计使得它可用于从800MHz到2170MHz的。线性演出
覆盖所有的调制对于蜂窝应用： GSM EDGE ，TDMA，CDMA和
W - CDMA 。
在2170兆赫， 28伏典型CW性能，我
DQ
= 12毫安
输出功率 - 900毫瓦PEP
功率增益 - 13分贝
效率 - 38 ％
高增益，高效率和高线性度
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
后缀表示铅 - 免费端接
在磁带和卷轴。 R4后缀=每12mm时， 7英寸卷轴100个单位。
MW4IC001NR4
MW4IC001MR4
800 - 2170兆赫， 900毫瓦， 28 V
W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
4.58
0.037
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳@ 85°C
符号
R
θJC
价值
27.3
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
0 （最低）
M1 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 50
A)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 10 mA）的
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.05 A)
正向跨导
(V
DS
= 10 V，I
D
= 0.1 A)
动态特性
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两个 - 音共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W PEP ，我
DQ
= 12毫安，
F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输出功率， 1 dB压缩点， CW
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 0.9 W CW ，我
DQ
= 12 mA时， F = 2170兆赫）
G
ps
—
13
—
dB
C
OSS
C
RSS
—
—
45
0.62
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.7
0.48
0.05
5
5
0.9
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
10
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
D
—
29
—
%
IMD
—
- 28
—
dBc的
IRL
—
- 18
—
dB
P1dB
G
ps
η
D
IRL
—
12
35
- 10
0.85
13
38
- 16
—
—
—
—
W
dB
%
dB
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C1
C2
Z6
C7
Z7
R1
RF
输入
DUT
Z1
C9
C3
C10
Z2
L1
C4
Z3
Z4
R2
Z5
Z8
L2
Z9
Z10
Z11
C5
C11
Z12
Z13
C13
RF
产量
C6
V
DD
+
C8
C12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
1.331″
0.126″
0.065″
0.065″
0.680″
1.915″
0.120″
x 0.044″
x 0.076″
x 0.175″
x 0.195″
x 0.145″
x 0.055″
x 0.141″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.062 “× 0.044 ”到0.615 “锥
0.082 “× 0.615 ”微带
0.075 “× 0.044 ”微带
0.625 “× 0.044 ”微带
1.375 “× 0.044 ”微带
罗杰斯RO4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路原理图
表6. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路元件牌号和值
部分
C1, C6
C2, C3, C5, C7
C4
C8
C9
C10, C11
C12
C13
L1
L2
R1
R2
描述
0.1
F,
100 V贴片电容
43 pF的， 500 V贴片电容
12 pF的， 500 V贴片电容
22
F,
35 V钽贴片电容器
4.7 pF的， 500 V贴片电容
0.6 - 4.5 pF的， 500 V可变电容器
2.7 pF的， 500 V贴片电容
3.3 pF的， 500 V贴片电容
5.6 nH的片式电感
10 nH的片式电感
100
W
贴片电阻
20
W
贴片电阻
产品型号
C1210C104K5RACTR
100B430JP500X
100B120JP500X
T491X226K035AS
100B4R7CP500X
27271SL
100B2R7CP500X
100B3R3CP500X
0805系列
1008系列
CRCW12061001F100
CRCW120620R0F100
生产厂家
基美
ATC
ATC
基美
ATC
约翰森
ATC
ATC
AVX
ATC
戴尔
戴尔
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
VGG
C1
C2
V DD
C8
C6
C7
C9
C10
C3
R1
C4
L1
R2
L2
C5
C12
C11
C13
MW4IC001MR4
900兆赫
REV 2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MW4IC001NR4 （ MR4 ） 900 MHz的测试电路元件布局
MW4IC001NR4 MW4IC001MR4
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
高压MLC芯片的FlexiTerm
为600V至3000V应用
高价值，低漏电流和小尺寸很难参数，以获得
在电容器的高电压系统中。 AVX特高压MLC
芯片电容器满足这些性能特点，并
设计的应用程序，如在高频功率缓冲器
转换器在开关电源谐振器和高压耦合/ DC阻断。
这些高电压芯片设计具有低的ESR高频率。
为了使高电压芯片，更大的物理尺寸比通常
遇到的是必要的。这些较大尺寸的要求，特殊的预
注意事项应采取在应用这些芯片表面贴装组件。
响应于此，并从的FlexiTerm的成功跟随
低压部分的范围， AVX很高兴能提供的FlexiTerm
高
电容器的电压范围内，的FlexiTerm
.
的的FlexiTerm
层被设计用于增强机械弯曲
和一个标准的陶瓷电容器的温度循环性能，
为客户提供一个解决方案，电路板弯曲或温度循环
损坏的担忧。
如何订购
1808
AVX
风格
0805
1206
1210
1808
1812
1825
2220
2225
***
A
电压
600V/630V =
1000V =
1500V =
2000V =
2500V =
3000V =
C
A
S
G
W
H
C
272
K
A
考试级别
Z
端子*
Z =的FlexiTerm
100 ％锡
（符合RoHS ）
1
A
温度电容电容码
系数
（ 2显著位数
公差
C0G = A
+没有。零）
C0G ： J = ± 5 ％
X7R = C
示例：
K = ±10%
10 PF = 100
M = ±20%
100 PF = 101 X7R ： K = ± 10 ％
1000 PF = 102
M = ±20%
22000 PF = 223
Z = +80%,
220000 PF = 224
-20%
1 μF = 105
包装
特别
1 = 7"卷轴
CODE
3 = 13"卷A =标准
9 =散装
注：电容器用X7R电介质不可用于跨AC电源市电或交流供电电路与极性反转过滤。联系工厂的建议。
联系工厂的特定部件号端子与宽容选项的可用性。
***
AVX提供了非标准的芯片尺寸。请与工厂联系获取详细信息。
W
L
T
t
尺寸
SIZE
（L ）长度
0805
1206
3.20 ± 0.20
(0.126 ± 0.008)
1.60 ± 0.20
(0.063 ± 0.008)
1.52
(0.060)
0.25 (0.010)
0.75 (0.030)
1210*
3.20 ± 0.20
(0.126 ± 0.008)
2.50 ± 0.20
(0.098 ± 0.008)
1.70
(0.067)
0.25 (0.010)
0.75 (0.030)
1808*
4.57 ± 0.25
(0.180 ± 0.010)
2.03 ± 0.25
(0.080 ± 0.010)
2.03
(0.080)
0.25 (0.010)
1.02 (0.040)
1812*
4.50 ± 0.30
(0.177 ± 0.012)
3.20 ± 0.20
(0.126 ± 0.008)
2.54
(0.100)
0.25 (0.010)
1.02 (0.040)
1825*
4.50 ± 0.30
(0.177 ± 0.012)
6.40 ± 0.30
(0.252 ± 0.012)
2.54
(0.100)
0.25 (0.010)
1.02 (0.040)
2.01 ± 0.20
(0.079 ± 0.008)
（W）的宽度
1.25 ± 0.20
(0.049 ± 0.008)
（T ）厚度
1.30
马克斯。
(0.051)
（t）的终端分钟。 0.50 ± 0.25
最大。 （ 0.020 ± 0.010 ）
*仅限回流焊接
毫米（英寸）
2220*
5.7 ± 0.40
(0.224 ± 0.016)
5.0 ± 0.40
(0.197 ± 0.016)
3.30
(0.130)
0.25 (0.010)
1.02 (0.040)
2225*
5.72 ± 0.25
(0.225 ± 0.010)
6.35 ± 0.25
(0.250 ± 0.010)
2.54
(0.100)
0.25 (0.010)
1.02 (0.040)
91
高压MLC芯片的FlexiTerm
为600V至5000V应用
C0G电介质
性能特点
电容范围
电容公差
耗散因数
工作温度范围
温度特性
电压额定值
绝缘电阻
（ + 25 ° C，在500 VDC）
绝缘电阻
（ + 125°C ， 500 VDC）
介电强度
10 pF至0.018 μF
（ 25 ° C， 1.0 ± 0.2 Vrms的1kHz时为≤ 1000 pF的使用1兆赫）
±5%, ±10%, ±20%
0.1 ％以下。 （ + 25 ° C， 1.0 ± 0.2 Vrms的， 1kHz时为≤ 1000 pF的使用1兆赫）
-55 ° C至+ 125°C
0 ± 30 PPM / ° C（ 0 VDC ）
600 ， 630 ， 1000， 1500， 2000 ， 2500， 3000 ， 4000 & 5000 VDC （ + 125°C ）
100K MΩ分钟。或1000 MΩ - μF分钟，以较低者为准
10K MΩ分钟。或100 MΩ - μF分钟，以较低者为准
最低120 ％额定电压，持续5秒，在50mA以下。当前
高压C0G电容值
电压
600/630
1000
1500
2000
2500
3000
4000
5000
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
0805
10pF
330pF
10pF
180pF
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1206
10 pF的
1200 PF
10 pF的
560 pF的
10 pF的
270 pF的
10 pF的
120 pF的
—
—
—
—
—
—
—
—
1210
100 pF的
2700 pF的
10 pF的
1500 pF的
10 pF的
680 pF的
10 pF的
270 pF的
—
—
—
—
—
—
—
—
1808
100 pF的
3300 pF的
100 pF的
2200 pF的
10 pF的
820 pF的
10 pF的
330 pF的
10 pF的
180 pF的
10 pF的
120 pF的
10 pF的
47 pF的
—
—
1812
100 pF的
5600 pF的
100 pF的
3300 pF的
10 pF的
1800 pF的
10 pF的
1000 pF的
10 pF的
470 pF的
10 pF的
330 pF的
10 pF的
150 pF的
—
—
1825
1000 pF的
0.012 μF
100 pF的
8200 pF的
100 pF的
4700 pF的
100 pF的
1800 pF的
10 pF的
1200 PF
10 pF的
820 pF的
10 pF的
330 pF的
—
—
2220
1000 pF的
0.012 μF
1000 pF的
0.010 μF
100 pF的
4700 pF的
100 pF的
2200 pF的
100 pF的
1500 pF的
10 pF的
1000 pF的
10 pF的
470 pF的
10 pF的
220 pF的
2225
1000 pF的
0.018 μF
1000 pF的
0.010 μF
100 pF的
5600 pF的
100 pF的
2700 pF的
100 pF的
1800 pF的
10 pF的
1200 PF
10 pF的
560 pF的
10 pF的
270 pF的
X7R电介质
性能特点
电容范围
电容公差
耗散因数
工作温度范围
温度特性
电压额定值
绝缘电阻
（ + 25 ° C，在500 VDC）
绝缘电阻
（ + 125°C ， 500 VDC）
介电强度
10 pF到0.33 μF （ 25 ° C， 1.0 ± 0.2 Vrms的1kHz时）
±10%; ±20%; +80%, -20%
2.5 ％以下。 （ + 25 ° C， 1.0 ± 0.2 Vrms的， 1kHz时）
-55 ° C至+ 125°C
± 15 ％ （ 0 VDC ）
600 ， 630 ， 1000， 1500， 2000 ， 2500， 3000 ， 4000 & 5000 VDC （ + 125°C ）
100K MΩ分钟。或1000 MΩ - μF分钟，以较低者为准
10K MΩ分钟。或100 MΩ - μF分钟，以较低者为准
最低120 ％额定电压，持续5秒，在50mA以下。当前
高压X7R最大电容值
电压
600/630
1000
1500
2000
2500
3000
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
0805
100pF
6800pF
100pF
1500pF
—
—
—
—
—
—
—
—
1206
1000 pF的
0.022 μF
100 pF的
6800 pF的
100 pF的
2700 pF的
10 pF的
1500 pF的
—
—
—
—
1210
1000 pF的
0.056 μF
1000 pF的
0.015 μF
100 pF的
5600 pF的
100 pF的
3300 pF的
—
—
—
—
1808
1000 pF的
0.068 μF
1000 pF的
0.018 μF
100 pF的
6800 pF的
100 pF的
2300 pF的
10 pF的
2200 pF的
10 pF的
1800 pF的
1812
1000 pF的
0.120 μF
1000 pF的
0.039 μF
100 pF的
0.015 μF
100 pF的
8200 pF的
10 pF的
5600 pF的
10 pF的
2200 pF的
1825
0.010 μF
0.270 μF
1000 pF的
0.100 μF
1000 pF的
0.056 μF
100 pF的
0.022 μF
100 pF的
0.015 μF
100 pF的
0.010 pF的
2220
0.010 μF
0.270 μF
1000 pF的
0.120 μF
1000 pF的
0.056 μF
1000 pF的
0.027 μF
100 pF的
0.018 μF
100 pF的
0.012 μF
2225
0.010 μF
0.330 μF
1000 pF的
0.150 μF
1000 pF的
0.068 μF
1000 pF的
0.033 μF
100 pF的
0.022 μF
100 pF的
0.015 μF
92
SMD大功率精密电阻
类型RP73系列
主要特点
n
精度高 -
容差低至
0.05%
低TCR - 低至5ppm的/°C的
稳定的高频
性能
工作温度
-55℃ + 155℃
增加额定功率 -
高达1.0W
高达200V的直流工作
电压
包装的选择范围
终端完成 -
电镀100 ％雾锡
该RP73电阻系列是一个稳定的薄膜片式电阻器系列提供了更大的动力
相比于耗散，较高的温度性能并增加工作电压
标准RN73系列。该电阻通过溅射的金属膜到高品位产生
氧化铝和保护有三个完整的印刷层。值在E96提供正常
和E24系列。该RP73电阻具有准确，统一的物理尺寸，以减少
安置问题。
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
n
n
n
通讯
仪器仪表
工业控制
医
特点 - 电 - RP73系列 - 标准
0402
额定功率@ 70 ° C：
0.063W
4R7
332K
A
5
A
10 15 2550
C D F G
5
A
最大：
5K0 15K 100K 5K0 15K
容差（ ％ ） ：
代码字母：
选择系列：
温度。系数（ PPM / ° C） ：
代码字母：
限流元件电压：
马克斯。过载电压：
工作温度。范围：
气候类别（ ℃） ：
绝缘电阻干敏：
稳定性：
5
A
10 15 25 50
C D F G
5
A
0.05
A
10
C
25V
50V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
B
E24 E96 &
15
D
25 50
F G
5
A
10 15 25 50
C D F G
70K 255K 5K0
15K 255K 15K
0.5 / 1
D / F
电阻范围（欧姆）最小：
49R9 49R9 49R9 49R9 49R9 49R9 10R 49R9 49R9 10R 24R9
0.1
0603
0.1W
24R9 4R7 4R7 24R9 4R7 4R7
15K 332K 1M0 15K 332K 1M0
0.1
B
E24 E96 &
10 15 25 50
C D F G
75V
150V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
5
A
1015 25 50
CD F G
0.5 / 1
D / F
0.05
0805
额定功率@ 70 ° C：
电阻范围（欧姆）最小：
24R9
最大：
30K
容差（ ％ ） ：
代码字母：
选择系列：
温度。系数（ PPM / ° C） ：
代码字母：
限流元件电压：
马克斯。过载电压：
工作温度。范围：
气候类别（ ℃） ：
绝缘电阻干敏：
稳定性：
5
A
10 15 25 50
C D F G
5
A
A
0.05
4R7
511K
0.125W
24R9 4R7
0.1
B
E24 E96 &
10 15 25 50
C
F G
150V
300V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
5
A
10
C
15
D
25 50
F G
5
A
10
C
4R7
24R9 4R7 4R7 1R0
30K 511K 1M0 1M0
0.5 / 1
D / F
24R9
50K
30K 511K 1M0
1206
0.25W
4R7
1M0
0.05 / 0.1 / 0.5 / 1
A / B / D / F
E24 E96 &
15
D
200V
400V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
25
F
50
G
1773272 CIS WR 04/2012
尺寸以毫米为单位
除非另有英寸
指定的。括号中的数值
是标准等同。
尺寸以供
仅供参考。
特定网络阳离子主题
发生变化。
对于电子邮件，电话或在线聊天，请访问：
te.com/help
SMD大功率精密电阻
类型RP73系列
1210
额定功率@ 70 ° C：
电阻范围（欧姆）最小：
最大：
容差（ ％ ） ：
代码字母：
选择系列：
温度。系数（ PPM / ° C） ：
代码字母：
限流元件电压：
马克斯。过载电压：
工作温度。范围：
气候类别（ ℃） ：
绝缘电阻干敏：
稳定性：
5
A
24R9
50K
0.3W
4R7
1M0
A / B / D / F
E24 E96 &
10
C
200V
400V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
15
D
25
F
50
G
5
A
24R9
50K
2010
0.3W
4R7
1M0
0.05 / 0.1 / 0.5 / 1
A / B / D / F
E24 E96 &
10
C
15
D
200V
400V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
25
F
50
G
25
F
4R7
100R
0.1
B
50
G
200V
400V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
25
F
2512
1W
1R0
100R
0.5 / 1
D / F
E24 E96 &
50
G
0.05 / 0.1 / 0.5 / 1
特点 - 电 - RP73P系列 - 高功率
0603
额定功率@ 70 ° C：
电阻范围（欧姆）最小：
最大：
容差（ ％ ） ：
代码字母：
选择系列：
温度。系数（ PPM / ° C） ：
代码字母：
限流元件电压：
马克斯。过载电压：
工作温度。范围：
气候类别（ ℃） ：
绝缘电阻干敏：
稳定性：
25
F
50
G
0.1
B
25
F
100V
150V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
0.166W
10R
332K
0.5
D
E24 E96 &
50
G
25
F
50
G
25
F
50
G
1
F
0.1
B
25
F
150V
300V
-55 + 155℃
55/125/55
1000MΩ
0.5%
0805
0.25W
10R
500K
0.5
D
E24 E96 &
50
G
25
F
50
G
1
F
特点 - 环境
项
温度COEF网络cient
：电阻（ TCR）的
短时过载：
绝缘电阻：
耐力：
湿热带负载：
弯曲强度：
可焊性：
耐焊接热：
耐电压：
热冲击：
低温操作：
参考标准： MIL- STD-202标准， JIS -C 5201-1
储存温度： 25 ± 3 ℃;湿度< 80％RH下
R ±0.05%
需求
托尔。 ≤ 0.05％
托尔。 > 0.05 ％
按第1页上的数值范围表中指定的TCR
R ±0.05%
R ±0.2%
ΔR ± 0.2％，对于高功率等级
>1000MΩ
R ±0.05%
R ±0.2%
>7kΩ ΔR ±0.5 ％
ΔR ±0.5％的高额定功率
R ±0.05%
R ±0.3%
ΔR ±0.5％的高额定功率
R ±0.05%
R ±0.05%
按类型
R ±0.25%
R ±0.05%
R ±0.2%
ΔR ±0.5％的高额定功率
R ±0.2%
R ±0.2%
95 ％以上。复盖
测试方法
+25/-55/+25/+125/+25°C
RCWV * 2.5或最大。超载
电压5秒钟
申请100VDC 1分钟
70 ±2℃ ，最大值工作电压
为1000小时与1.5小时
“ON”和0.5小时“关”
40±2 ℃，90 - 95％的相对湿度最大值。工作电压
小时以1.5小时“ON”和0.5hrs “关”
弯曲幅度3毫米10秒
245 ±5℃ ，持续3秒
260±5 ℃下保持10秒
马克斯。过载电压，1分钟
-55 ° C至+ 150 ° C， 100次
1小时后， -65℃ ，随后45分钟RCWV的
1773272 CIS WR 04/2012
尺寸以毫米为单位
除非另有英寸
指定的。括号中的数值
是标准等同。
尺寸以供
仅供参考。
特定网络阳离子主题
发生变化。
对于电子邮件，电话或在线聊天，请访问：
te.com/help
SMD大功率精密电阻
类型RP73系列
功率降额曲线
100
80
额定负荷（ ％ ）
60
40
20
0
-55
-40
-20
0
20
40
60 70 80
100
120
140 155
环境温度（ ℃）
对于在环境温度高于70 ℃下操作的电阻，额定功率必须降低，根据该曲线。
尺寸
D
L
W
t
C
1.氧化铝基板
2.底部电极（银）
3.顶电极（银钯）
4.边电极（镍铬）
5.阻隔层（镍）
6.外部电极（SN ）
7.电阻层（镍铬）
8.大衣（环氧树脂）
9.标记
产品型号
RP73 1E （ 0402 ）
RP73 （P）， 1J （ 0603 ）
RP73 （P）， 2A（ 0805 ）
RP73 2B （ 1206 ）
RP73 2E （ 1210 ）
RP73 2H （ 2010）
RP73 3A （ 2512 ）
L
1.00 ±0.05
1.55 ±0.10
2.00 ±0.15
3.05 ±0.15
3.10 ±0.15
4.90 ±0.15
6.30 ±0.15
W
0.50 ±0.05
0.80 ±0.10
1.25 ±0.15
1.55 ±0.15
2.40 ±0.15
2.40 ±0.15
3.10 ±0.15
t
0.30 ±0.05
0.45 ±0.10
0.55 ±0.10
0.55 ±0.10
0.55 ±0.10
0.55 ±0.10
0.55 ±0.10
D
0.20 ±0.10
0.30 ±0.20
0.30 ±0.20
0.42 ±0.20
0.40 ±0.20
0.60 ±0.30
0.60 ±0.30
C
0.20 ±0.10
0.30 ±0.20
0.40 ±0.25
0.35 ±0.25
0.55 ±0.25
0.50 ±0.25
0.50 ±0.25
重量（g ） 1000件
0.54
1.83
4.71
9.02
10.00
23.61
38.08
标记代码 - 外壳尺寸0805到2512
IEC 4位标记
阻力：
标识代码：
100Ω
1000
2.2KΩ
2201
10KΩ
1002
49.9KΩ
4992
100KΩ
1003
外壳尺寸0603
E24 3位标记 - 例如： 101 = 100Ω 102 = 1KΩ
E24
10
33
11
36
12
39
13
43
15
47
16
51
18
56
20
62
22
68
24
75
27
82
30
91
E96 3位标记 - 例如： 14C = 13K7Ω ， 13C = 13K3Ω ， 68B = 4K99Ω ， 68X = 49.9Ω
14C
1773272 CIS WR 04/2012
尺寸以毫米为单位
除非另有英寸
指定的。括号中的数值
是标准等同。
尺寸以供
仅供参考。
特定网络阳离子主题
发生变化。
对于电子邮件，电话或在线聊天，请访问：
te.com/help
QQ：2881677436 复制
