摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MBRB1545CT / D
数据表
SWITCHMODE
动力
D2PAK表面贴装功率封装
整流器器
MBRB1545CT
摩托罗拉的首选设备
该D2PAK电力整流器采用肖特基原则与
铂阻挡金属。国家的最先进的，这些设备具有以下
产品特点：
中心抽头配置
Guardring应力保护
低正向电压
150 ° C工作结温
环氧会见UL94 ， VO 1/8 “
保证反向雪崩
短散热器制造标签 - 未剪绒！
在类似规模的工业标准TO- 220封装
肖特基势垒
整流器器
15安培
45伏
4
1
4
1
3
CASE 418B -02
D2PAK
机械特性
案例：环氧树脂，模压
3
重量： 1.7克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的： 260℃
马克斯。为10秒
运50个单位的塑料管
可在24毫米磁带和卷轴，每13 800台“卷轴加入了” T4 “
后缀的零件编号
标记： B1545T
最大额定值，每支架
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定VR ） TC = 105℃
重复峰值正向电流
（额定VR ，方波， 20千赫） ， TC = 105℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
s,
1.0千赫）
储存温度
工作结温
变化的电压率（额定VR ）
设备总
IFRM
IFSM
IRRM
TSTG
TJ
dv / dt的
符号
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
价值
45
单位
伏
7.5
15
15
150
1.0
- 65 +175
- 65 + 150
10000
安培
安培
安培
AMP
°C
°C
V / μs的
热特性，每支架
热阻 - 结到管壳
- 结到环境（ 1 ）
（ 1 ）当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
R
θJC
R
θJA
2.0
50
° C / W
设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MBRB1545CT
电气特性，每支架
等级
最大正向电压（ 2 ）
（ IF = 7.5安培， TJ = 125°C ）
（ IF = 15安培， TJ = 125°C ）
（ IF = 15安培， TJ = 25°C ）
最大瞬时反向电流（ 2 ）
（额定直流电压， TJ = 125°C ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%.
符号
vF
0.57
0.72
0.84
iR
15
0.1
mA
价值
单位
伏
I F ，正向电流（安培）
I R ，反向漏电流（mA）
50
30
20
10
3
2
1
0.5
125°C 85°C 25°C
10
125°C
1
85°C
0.1
25°C
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
VF ，正向电压（伏）
0.9
0.001
0
10
20
30
40
50
VR ，反向电压（伏）
图1.典型正向电压，每支架
图2.典型的反向电流，每支架
PF （ AV ）正向平均功耗（瓦）
TJ = 125°C
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
IPK
= 20
IAV
IPK
= 10
IAV
IPK
=5
IAV
IPK
=
π
IAV
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
16
16
14
12
10
8
6
4
2
120
125
130
135
140
145
150
TC ，外壳温度（ ° C）
155
160
方
WAVE
DC
施加额定电压
R
θJC
= 2 ° C / W
DC
方
WAVE
4
6
8
10
12
14
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
16
图3.典型的前向功率耗散
图4.电流降额，案例
2
整流设备数据
MBRB1545CT
对于采用D2PAK封装表面贴装封装信息
推荐的最低足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。的足迹对于半导体封装必须
正确的尺寸，以保证适当的焊料连接接口
0.70
17.78
电路板和封装之间。有了正确的垫
的几何形状，当受到一个程序包将自对准
焊料回流工艺。
0.0625
1.587
0.450
11.43
0.08
2.032
0.15
3.81
英寸
mm
0.350
8.89
D2PAK功耗
在D2PAK的功耗是漏的函数
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件由下式确定
TJ （最大值） ，在模具的最大额定结温，
R
θJA
从器件结的热阻
环境;和操作温度TA 。使用值
所提供的数据表中的D2PAK封装， PD可
计算公式如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算这种情况下的装置，该装置的功率耗散
为2.5瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 2.5瓦
50°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
为D2PAK封装的50℃ / W的假定
的158K平方密耳上的FR-4玻璃推荐的漏极焊盘面积
环氧树脂印刷电路板来实现的功率耗散
利用显示的足迹2.5瓦特。另一种方法是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用铝制的金属芯基板材料
如热复合，功耗可被加倍
使用相同的足迹。
一般焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热和焊接之间的温度增量
应在100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行5秒钟以上。
当从预热到焊接，最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
*由于遮蔽而无法向波高度设置为
将其他表面贴装元件， D2PAK的
不推荐用于波峰焊。
整流设备数据
3
MBRB1545CT
建议的配置文件回流焊
对于任何给定的电路板，将有一组控制
设置值，将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区和数字
皮带速度。总之，这些控制设置补
加热“轮廓”为特定的电路板。上
由计算机控制的机器，所述计算机记忆
这些配置文件从一个操作系统会到下一个。身材
图5示出一个典型的加热分布用于焊接时的
D2PAK到一个印刷电路板上。此配置文件将各不相同
焊接系统，但它是一个很好的起点。因素
能够影响信息包括焊接系统中的类型
使用时，密度和成分上的板型，类型
焊料使用，并且基板或基片材料的类型是
使用。这个曲线显示温度随时间的变化。上线
该图表明，可能是实际温度
经历了测试板的表面上或靠近中央
焊点。两个配置文件基于高密度和
低密度板。该维多利绍德SMD310对流/ IN-
frared回流焊接系统是用来产生本
个人资料。所使用的焊料类型是62/36/2铅锡银
用在177 -189 ℃的熔点。当这种类型的
炉用于回流焊接工作中，电路板和
焊点往往先热。主板上的组件
然后通过传导加热。在电路板上，因为它
具有大的表面面积，吸收的热能更
有效地，然后分发该能量给组件。
由于这种效果，一个组件的主体可
高达30度比相邻焊点冷却器。
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
第4步
加热
开发区3及6
“浸泡”
步骤5
加热
开发区4和7
“秒杀”
第6步
VENT
STEP 7
冷却
200°C
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
160°C
170°C
205 ° 219℃
高峰
焊点
100°C
100°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
时间（ 37分钟总）
TMAX
图5.典型焊接暖气个人资料D2PAK
4
整流设备数据
QQ：2881677436 复制
