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AVX
多层陶瓷
贴片电容
陶瓷芯片电容
目录
MLC芯片电容器概述
如何订购 -
AVX型号说明
C0G ( NP0 )电介质
一般特定网络阳离子
典型特性曲线
电容范围
X7R电介质
一般特定网络阳离子
典型特性曲线
电容范围
Z5U介质
一般特定网络阳离子
典型特性曲线
电容范围
Y5V介电
一般特定网络阳离子
典型特性曲线
电容范围
薄型芯片的Z5U & Y5V介电
高电压芯片为500V至5000V应用
一般特定网络阳离子
机械
环境的
MIL-C-55681/Chips
产品编号举例
军用型号鉴定( CDR01通CDR06 )
军用型号鉴定( CDR31通CDR35 )
军用型号鉴定( CDR31 )
军用型号鉴定( CDR32 )
军用型号鉴定( CDR33 / 34 /35)
欧版
CECC 32 101-801芯片
封装贴片元件
自动插入包装
压纹载体配置 - 8 & 12毫米带
8 & 12毫米胶带
穿孔载体配置 - 8 & 12毫米胶带
8 & 12毫米胶带
散装盒包装
表面安装指南
1-6
7
8
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10 - 11
12
13
14 - 15
16
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39
40 - 43
概述
基础建设 -
多层陶瓷( MLC )电容器
器是陶瓷含两套单片块
偏移,交错的平面电极延伸至2
陶瓷电介质的相对表面。这个简单
结构需要相当复杂的,
无论是在材料和制造,以产生它的质量
并且需要在今天的电子设备的数量。
陶瓷层
电极
年底终止
终止
EDGE
终止
EDGE
余量
电极
配方 -
多层陶瓷电容器可用
在这两个1级和2级的配方。温度
制订补偿是1类和温度台站
均衡器和通用应用程序的制剂被归类为
2级。
1级 -
1级电容和温度补偿
电容器通常由钛酸盐的混合物制成
其中钛酸钡通常不是的一个主要部分
混合。他们有可预见的温度系数,在
一般情况下,没有老化特性。因此,它们是
最稳定的电容器可用。常的T.C.s
多层陶瓷电容NP0 1级温度
补偿电容(负 - 正为0ppm / ℃)。
2级 -
2级电容“铁电” ,具体的
对环境的影响下,电容值
和电气操作条件。 2级电容
受温度,电压(交流和直流) ,频
频率和时间。温度的影响为2类陶瓷
电容器表现为非线性的电容变化
随着温度。最常用的温度稳定
配方的MLC为X7R Z5U时和Y5V是
最常见的一般应用配方。
有关使用性能变化的更多信息
工作条件咨询AVX公司的软件, SpiCap 。
1
概述
静电容量变化百分比
影响电压 -
在电压变化的影响很小
对1类电介质,但确实影响的电容和
的第2类电介质损耗角正切。的应用
直流电压降低了该电容与耗散
因素,而AC电压的说明原因中的应用
sonable范围趋于增加两个电容和显示
sipation系数读数。如果有足够高的交流电压是
应用,最终会降低电容只是作为一个DC
电压。图2示出的交流电压的作用。
帽。改变与直流电压
AVX X7R T.C.
2.5
0
-2.5
-5
-7.5
-10
25%
50%
75%
%的额定电压
100%
帽。改变与交流电压
AVX X7R T.C.
静电容量变化百分比
50
图4
40
30
20
静电容量变化百分比
典型帽。随温度变化
AVX X7R T.C.
+20
+10
OVDC
0
-10
-20
-30
-55 -35
-15
+5
+25 +45 +65 +85 +105 +125
RVDC
10
0
12.5
25
37.5
伏, 1.0千赫
50
图2
电容器的规格指定的AC电压,在其上
度量(通常为0.5或1 VAC)和应用程序的
错误的电压可能会导致虚假的读数。图3给出了
损耗因数为各种交流电压系数
电压为1千赫。不同频率的应用
会影响百分比的变化与电压。
温度℃
图5
D.F.与交流电压测量
AVX X7R T.C.
10.0
曲线1 - 100 VDC额定电容
8.0曲线2 - 50 VDC额定电容
曲线3 - 25 VDC额定电容
6.0
4.0
2.0
0
.5
曲线3
曲线2
曲线1
1.0
1.5
2.0
2.5
AC测量伏, 1.0千赫
科幻gure 3
直流电压的施加的影响示于
图4.电压系数是更为明显
高K电介质。这些数字显示的房间温
perature条件。众所周知的组合特征
作为电压的温度范围,显示的效果
额定电压在工作温度范围内是
在图5中为军事BX特性所示。
影响时间 -
第2类瓷介电容器的变化
电容和损耗因数与时间以及温
perature ,电压和频率。这种随时间的变化是
被称为老化。老化是造成一个渐进的重新调整
陶瓷的晶体结构和方式产生了一个
指数损耗的电容和降低耗散
因素随时间的变化。老龄化率半的典型曲线
稳定陶瓷示于图6 。
如果2类瓷介电容器一直坐在那
搁板的一段时间,在上述其居里点加热
(125 ℃下4小时或150℃下进行
1
2
小时就足够了)的一部分
将脱年龄,并返回到它的初始电容和耗散
化系数读数。因为电容的变化
迅速,脱老化后立即将基本电容
测量通常称为一个时间段某处
去老化处理之后的时间。各个厂家使用
不同的时基,但最常用的是一天或
后24小时“最后的热。 ”改变的老化
曲线可以通过电压和其他的应用程序引起的
应力。由于DE-可能的电容变化
通过加热设备老化解释为什么电容变化
允许测试之后,如温度循环,水份
TURE性等, MIL规格。高的应用
电压,如介质耐电压也趋向
2
耗散因数百分比
概述
以取消年龄电容,这就是为什么重读电容
12或24小时后,被允许在军用规格后
介电强度测试已经完成。
影响机械应力 -
高“ K”介
陶瓷电容器表现出一些低级别的压电
机械应力作用下的反应。作为一般的说法,
压电输出较高时,电介质的高
恒陶瓷的。理想的是调查此
采用高“K”作为电介质电容耦合效应前
器在极低水平的应用。
可靠性 -
历史上的陶瓷电容过一个
最可靠的类型目前使用的电容器。
对于陶瓷的可靠性的近似式
电容:
L
o
=
L
t
V
t
V
o
X
老化率的典型曲线
X7R电介质
+1.5
0
静电容量变化百分比
-1.5
T
t
T
o
Y
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
1
10
100
1000 10,000 100,000
小时
哪里
L
o
=工作生活
L
t
=测试生活
V
t
- 测试电压
V
o
工作电压
T
t
=测试温度和
T
o
工作温度
以°C
X,Y
=见文
图6
特征
NP0
X7R
Z5U
Y5V
马克斯。老化率% /十年
1.5
5
5
历史上的陶瓷电容器指数X已
视为3.指数y的温度效应
通常往往运行约8 。
电容器是一个组件,它是能够存储
电能。它由两个导电板( elec-
trodes )由绝缘材料隔开这就是所谓的
电介质。一个典型的公式确定电容为:
影响频率 -
高频电容的影响
和电容器的阻抗特性。这种效果是
更为显着的高介电常数陶瓷
配方是低钾配方。 AVX的SpiCap软
洁具产生阻抗, ESR ,串联电感系列
谐振频率和电容都为频功能
昆西,温度和DC偏压为标准的芯片尺寸
和风格。它是免费的AVX 。
C = 0.224 KA
t
C
=电容(皮法)
K
=介电常数(真空= 1)
A
=面积平方英寸
t
以英寸为单位的极板之间=分离
(介质厚度)
.224
=常数转换
( 0.0884为公制单位:cm )
电容 -
电容的标准单位是
法拉。电容器具有1法拉1时的电容
库仑充电到1伏。其中法拉是一个非常大的单位
和大多数电容器具有在微值(10
-6
) ,纳米
(10
-9
)或微微( 10
-12
)法拉级。
介电常数 -
在给定的公式电容
真空的介电常数以上是任意CHO-
其它材料如森数1.电介质常数
然后相对于真空的介电常数。
电介质厚度 -
电容是间接的比例
佐丹奴国的电极之间的距离。较低的电压
要求意味着更薄的介质和更高的电容
单位体积的距离。
区 -
电容成正比的面积
的电极。因为方程中的其它变量
通常是由期望的性能而设定的,面积是最简单的
参数的修改,以获取一个特定的电容
材料组。
3
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