0150SC - 1250M版本B
0150SC-1250M
1250Watts ，电压125伏， AB类
150至160兆赫
碳化硅SIT
初步speci fi cation
概述
该0150SC - 1250M是
共栅N沟道AB类硅
硬质合金静电感应晶体管（ SIT）
能够
提供1250瓦的最小射频功率为150到160兆赫。该
晶体管被设计为在高功率放大器支持应用程序使用
如VHF天气雷达和远距离跟踪雷达。
该装置是
在第一个系列高功率碳化硅晶体管从
Microsemi的PPG 。
案例外形
55KT FET
（普通门）
见外形图
绝对最大额定值
电压和电流
漏源（V
DSS
)
门源（V
GS
)
漏电流（ IDG ）
温度
储存温度
工作结温
250 V
- 1V
35A
-65到+ 150°C
+250°C
电气特性@ 25°C
符号
I
dss1
I
GSS
θ
JC1
特征
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
热阻
测试条件
V
GS
= -15V, V
DG
= 95V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
Pout=1250W
民
典型值
最大
750
50
0.15
单位
A
A
摄氏度/ W
功能特性@ 25 ° C， VDD = 125V ，我
DQ （ AVG）
= 500毫安，频率= 155 MHz时，
G
PG
P
in
η
d
ψ
宝+ 1分贝
VSG
2008年12月
共栅极功率增益
输入功率
漏EF网络效率
负载不匹配
输出功率 - 高驱动
源极 - 栅极电压
P
OUT
= 1250瓦，脉冲
脉冲宽度= 300US ， DF = 10％
F = 155兆赫，P
OUT
=1250W
F = 155兆赫，P
OUT
= 1250W
F = 155 MHz时，引脚= 190 W
设置IDQ （ AVG） = 500毫安
9.0
60
9.5
150
160
10:1
dB
W
%
W
伏
1400
3.0
10.0
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0150SC - 1250M版本B
0150SC-1250M
典型的射频性能曲线
0150SC - 1250M ：增益和噘
300US 10 ％ ， 125V
12
11
10
9
8
增益（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
销（W）的
150
200
200
0
250
800
600
400
1400
1200
1000
的Pout （W）的
收益
噘
1800
1600
0150SC - 1250M ：引脚VS EFF
300US 10 ％ ， 125V
80.00%
70.00%
60.00%
排水EFF （ ％ ）
50.00%
40.00%
30.00%
20.00%
10.00%
0.00%
0
50
100
销（W）的
150
200
250
排水ê FF
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0150SC-1250M
测试电路信息
来源脉冲发生器
部分
C1, C6,
C10, C12
C2
C3
C4, 14
C5
C7
C8, C9
C11, C15
C13
C16
PCB
L2, L3
0150SC - 1250M的测试电路元件牌号和值
描述
部分
描述
2200pF贴片电容（ ATC 700B ）
L1, L4
铁素体电感线圈
为12pF贴片电容（ ATC 100B ）
56pF贴片电容（ ATC 100B ）
68pF的贴片电容（ ATC 100B ）
100pF电容贴片电容（ ATC 100B ）
160V 1000uF的电解电容
1uF的电容器芯片
15pF的贴片电容（ ATC 100B ）
47pF的贴片电容（ ATC100B ）
22pF的贴片电容（ ATC100B ）
罗杰斯6006 ，
ε
r
= 6.15 ，线宽为50mil ， 1盎司
7转弯， 18AWG ， IDIA 0.2 “
Z1
Z2
Z3
Z4, Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
注意：
71 X 5450密尔（宽x长）
71 X 830密耳（宽x长）
71 X 435密耳（宽x长）
190 X 430密耳（宽x长）
71 X 555密耳（宽x长）
71 X 340密耳（宽x长）
71 X 1285密尔（宽x长）
71 X 1520密尔（宽x长）
71 X 2810密尔（宽x长）
所有的Z长度尺寸包括弯头
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0150SC-1250M
阻抗信息
输入
匹配
网
产量
匹配
网
Z
S
Z
L
典型阻抗值
频率（MHz）
156
Z
S
()
0.7 - j0.52
Z
L
()
3.7 + j3.8
* V
DD
= 125V ，我
DQ （ AVG）
= 500毫安，P
OUT
= 1250W
*脉冲格式： 300μS ， 10 ％长期占空比
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案例概述55 KT FET
常见门
1 =排水
2 - 门
3 =来源
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