- 正在运行的三相异步电动机2015/11/19 19:57:19 2015/11/19 19:57:19
- 正在运行的三相异步电动机，如果把FDN371N原来接在电源上的定子接线端迅速改换接到三相对称电阻器上能否实现快速停车，为什么？答：不能实现快速停车。因为三相异步电动机要产生黾磁转矩...[全文]
- 三相异步电动机的转速如何计算？2015/11/18 20:05:39 2015/11/18 20:05:39
- 三相异步电动机的转速如何计算？答：三相异步电动机的转速计算公式。三相异步电动机改变K4H561638H-UCCC速度的方法有哪些？答：在生产机械中广泛使...[全文]
- 制造( fabrication)2015/11/17 19:18:44 2015/11/17 19:18:44
- 制造(fabrication)：集成电路生产：过程．制造良品率(fabricationyield)：DIB9090M到达晶圆分拣处的晶圆数量Ljl_．-艺开始时的晶网数量的Fi分比特征图形尺寸(...[全文]
- 链合后封装前的检测2015/11/16 18:53:44 2015/11/16 18:53:44
- 压焊后，FDW256P要求有一些步骤以完成封装工作。接着传统的连线压焊和单个封装工艺描述封装步骤。j它们大部分必须在凸点或倒装焊和载带自动焊工艺的某点进行。在传统芯片封装的工艺中一个重要的步骤是...[全文]
- 静态RAM的结构2015/11/14 16:36:28 2015/11/14 16:36:28
- 存储器的容量由能够存储的位的数量进行测量，一个lKb的RAM有1024个信息位的容量，1024是2的10次幂。1个64KbRAM宾际上有65536个信息位的容量。IR3088AMT...[全文]
- 难熔金属和难熔金属硅化物2015/11/8 18:47:31 2015/11/8 18:47:31
- 虽然通过采用铝合金和阻挡层金属技术，电迁徙和共晶合金的限制已被缓解，HIP6004CB接触电阻的问题或许成为铝金属化的最终限制。金属系统的全面效果由电阻率、长度、厚度和全部金属和晶圆互连的总的接...[全文]
- 多层金属设计2015/11/8 18:40:21 2015/11/8 18:40:21
- 增加芯片密度能够在晶圆表面放置更多的元件，这实际上就减少了表面连线的可用空间。HIN238IB这个两难的问题的解决方法就是利用有2～4层独立金属层（见图13.2）的多层金属结构。国际半导体技术路...[全文]
- 水平垂直流PECVD2015/11/7 22:15:09 2015/11/7 22:15:09
- 水平垂直流PECVD:该系统遵儋了底部饼式加热，垂直流CVD设计（见图12.19）。GE28F640W18BD80通过由电极板或其他等离子体射频，在反应室顶部形成等离子体。安装在晶圆托架下面的辐...[全文]
- 桶式辐射感应加热APCVD2015/11/7 22:05:23 2015/11/7 22:05:23
- 在水平系统中，G781P8F对更大直径的晶圆水平式放置，其装载密度低，并且更大的晶圆托架也会限制淀积的均匀性。桶式辐射加热系统（见图12.13）解决厂这些问题。该系统的反应室是一种柱状的不锈钢桶...[全文]
- 光刻胶的光散射现象2015/11/3 20:02:19 2015/11/3 20:02:19
- 除了入射光线被反射离开晶圆表面，入射光线也会因发生漫反射而进入光刻胶引起图形定义不好。NCP305LSQ25T1漫射的程度与光刻胶的厚度成比例。光刻胶里的一些辐射吸收染色剂也会增加漫反射...[全文]
- 基本图形化工艺2015/10/29 20:38:56 2015/10/29 20:38:56
- 图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”（器件）的要求来确定其尺寸和位置。OTI002169S-G这一章介绍f‘步基本图形化工艺流程的前4步，并讨论...[全文]
- 基本图形化工艺2015/10/29 20:38:53 2015/10/29 20:38:53
- 图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”（器件）的要求来确定其尺寸和位置。OTI002169S-G这一章介绍f‘步基本图形化工艺流程的前4步，并讨论...[全文]
- 高压的二氧化碳2015/10/27 20:48:47 2015/10/27 20:48:47
- 干法清洗：关于湿浸泡的方法已引起人们的兴趣，以及开RT9167A-25GB发蒸气(vapor)或气相(gaS-phase)清洗的思考对f清洗，晶圆暴露在清洗液或刻蚀液的蒸气中。氢氟酸／水的混合蒸...[全文]
- 固态器件的制造有以下5个不同的阶段2015/10/22 20:51:24 2015/10/22 20:51:24
- 固态器件的制造有IRFR220NPBF以下5个不同的阶段（见图1.16）．，1．材料准备2．晶体生长和晶圆准备3．晶圆制造和分选4．封装．...[全文]
- Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式2015/10/22 20:34:50 2015/10/22 20:34:50
- Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式，它是经Roberthref="http://www.51dzw.com/stock_I/IRFP9240PBF.html">IRFP9240PBF然后...[全文]
- 管内穿线工艺流程2015/10/21 19:25:16 2015/10/21 19:25:16
- 管内穿线工艺流程如图5-6所示。(1)选择导线导线的选择应符合设计要求，HCPL-0710不得随意改变规格。相线、中性线及保护接地线的颜色要加以区分，Ll相为黄色，1...[全文]
- 离子（中空）接地体2015/10/17 16:03:14 2015/10/17 16:03:14
- 离子（中空）接地系统是由传统的金属接地改进而来，从工作原理到材料选用都发生了质的变化，DSP56321VF240形成各种形状的结构。这些接地系统的共同点是主结构部分采用防腐性更好的金属，内填充的...[全文]
- 浪涌防护器( SPD)的选择2015/10/16 18:47:07 2015/10/16 18:47:07
- 浪涌防护器(SPD)的选择是个较复杂的过程，需要考虑多种综合因素。虽然国家有一定规范，IC42S16100F-7TL但国内外的文献中选择SPD的方法不尽相同，对用于电源进线保护的SPD保护器最大...[全文]
热门点击
- 常用BCD码
- 变频器的接地有什么要求？
- 基本放大电路原理图
- 电阻器的额定功率
- 如何选择变频器进线电缆线径？
- 封闭式负荷开关的接线形式有两种形式
- 开启式负荷开关的选用与使用注意事项
- 在LED回路中串联电阻可以降低电流对电压
- 光刻胶的光散射现象
- 管内穿线工艺流程
IC型号推荐
- MSP3410G-QA-B8-V3-T
- MSP3410G-QA-B8-V3-TBD1
- MSP3410G-QA-B8-V3-TBD1-000-JA-LH-TAC-JJ
- MSP3410G-QA-C12
- MSP3410G-QA-C12-001TBD0-000-JC-MH-QAA-JM
- MSP3410G-QA-C12-10
- MSP3410G-QA-C12-100T
- MSP3410G-QA-C12-101
- MSP3410G-QC-C12-100TBDO-000-JC-MH-TAA
- MSP3410G-QI-B8-V3
- MSP3410G-QI-B8-V3-T
- MSP3410G-QI-C12
- MSP3410G-QI-C12-100
- MSP3410G-QI-C12-100T
- MSP3411G
- MSP3411G B11
- MSP3411G B8 V3
- MSP3411G B8V3
- MSP3411GA2
- MSP3411GA2D9LCF
- MSP3411GB8
- MSP3411GB8V3
- MSP3411G-B8-V3
- MSP3411G-B8-V3-T
- MSP3411G-PO-B8-V3
- MSP3411G-PO-B8-V3-S
- MSP3411G-QA-B8
- MSP3411GQAB8V3
- MSP3411G-QA-B8-V3
- MSP3411GQAB8V3G
公网安备44030402000607
