- 集成电路制造中的污染和清洗技术 2017/11/5 17:21:15 2017/11/5 17:21:15
- 在大规模集成电路制造中,如晶片L1mm2的区域,就可制造几百万颗光学显微镜无法辨认的器件,而各种污染,如颗粒、金属离子污染、有机物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,时刻影响着芯片器件...[全文]
- 两个相互交织的线圈与传统的ICP源一起可以解决很多负面问题2017/11/5 16:54:33 2017/11/5 16:54:33
- 除了在标准的刻蚀机里的原位灰化,异地灰化「25J是必不可少的,主要用来完全去除干法刻蚀和离子注人P87C51RB+5A后的光刻胶及其残余物。图8.51表示的是两个主流灰化机型的比较:I'am/G...[全文]
- 第一种条纹和第二种条纹对VBD性能的影响2017/11/4 11:46:51 2017/11/4 11:46:51
- 图8.35所示为3600个通孔组成的链,用来对不同阶段条纹进行R1测试c图8.36所示为VBD的⒈V曲线,在电迁移(EM)测试中・通孔的尺寸是0,()9×0。O9um`应力电流是0...[全文]
- 设置参数P03352017/11/3 22:33:28 2017/11/3 22:33:28
- 设置参数P0335，确定电动机的冷却方式。当P0335=0时，为自冷方式；当P0335=1时，GLFR1608T100M-LR为强制冷却方式；当P0335=2时，为自冷和内置风机冷却方式；当P0...[全文]
- 典型365nmi光刻胶的断面形貌2017/10/30 21:29:21 2017/10/30 21:29:21
- 进入了深紫外时代,如248nm、193nm,由于DNQ胶对此光波段的强烈吸收,使得人UC2835D射光无法穿透光刻胶,这将严重影响分辨率。由于需要更加高的分辨率和灵敏度,化学放大光刻胶(Chem...[全文]
- 硅片平台的定标工作的目标是在硅片平台运动的范围内2017/10/29 14:02:09 2017/10/29 14:02:09
- 硅片平台的定标工作的目标是在硅片平台运动的范围内,保证以下的精度:VA033PJ-006NQA(1)在平移(X,y)日寸没有转动(R/)或者倾斜(Rx,RΥ);(2)...[全文]
- 曝光过程当中产生的缺陷分为非浸没式缺陷和浸没式缺陷2017/10/29 13:16:20 2017/10/29 13:16:20
- 曝光过程当中产生的缺陷分为非浸没式缺陷和浸没式缺陷。非浸没式缺陷一般为引入的颗粒。V430MA3A当然还有从掩膜版的缺陷通过成像传递到硅片~L的缺陷。浸没式的缺陷就比较多了。比如由于在光刻胶顶部...[全文]
- 修整烙铁头时需要将烙铁头取下2017/10/28 10:39:08 2017/10/28 10:39:08
- 修整烙铁头时需要将烙铁头取下,根据焊接对象的形状和焊点的大小,确定烙铁头的形状和粗细,用锉刀锉掉氧化层。修整过的烙铁头要重新镀锡后才能使用。R10934EC所以当电烙铁较长时间不使用时,应拔掉电...[全文]
- 电位器可分为线绕电位器和非线绕电位器两大类2017/10/28 10:28:37 2017/10/28 10:28:37
- 根据所用材料不同,电位器可分为线绕电位器和非线绕电位器两大类。R0600001R/H000GFA(1)线绕电位器额定功率大、噪声低、温度稳定性好、寿命长;缺点是成本高...[全文]
- 电子技术实验包括模拟电子技术实验和数字电子技术实验2017/10/27 20:52:21 2017/10/27 20:52:21
- 电子技术实验包括模拟电子技术实验和数字电子技术实验,可以分为娃个层次:基础实验、UA710CP综合性实验、设计性实验、仿真实验。基础实验主要针对电子技术本门学科范围内理论验证和实践...[全文]
- 高宽比/图形倾倒2017/10/26 21:33:27 2017/10/26 21:33:27
- 高宽比/图形倾倒(aspectratio/pattern∞llapse):高宽比之所以被讨论是由于在显影过程中,显影液、SC1103CS去离子水等在显影完了后的光刻胶图形当中会产生由表面张力形成...[全文]
- 光刻胶形貌2017/10/26 21:29:10 2017/10/26 21:29:10
- 光刻胶形貌的异常情况包括侧墙倾斜角,驻波,厚度损失,底部站脚,底部内切,T型顶,顶部变圆,SC103116MPVE线宽粗糙度,高宽比/图形倾倒,底部残留等。下面我们对它们逐一进行讨论,如图7.3...[全文]
- 在不同技术节点上的典型的对焦深度要求2017/10/25 21:33:11 2017/10/25 21:33:11
- 如果限定线宽的允许变化范围为±9nm,那么可以从图7.17上找出在最佳曝光能量时的最大允许焦距变化。不仅如此,由于实际工作中,能量和焦距都是同时发生变化,TA75358如光刻机的漂...[全文]
- 曝光波长随工艺节点的发展2017/10/25 20:57:39 2017/10/25 20:57:39
- 由于I线步进机的光学分辨率只能达到0・25um,对更高分辨率的要求推动了P/N65X2942曝光波长往更加短波长发展,如深紫外(DeepUltraViolct,DUV)光谱段150...[全文]
- 铜互连工艺具有减少工艺步骤20%~30%的潜力2017/10/23 20:52:11 2017/10/23 20:52:11
- 由于铜很难进行刻蚀,因此传统的金属互连工艺已不再适用,拥有镶嵌工艺的化学电镀成为铜互连的主要制备工艺。与传统的铝互连工艺比较,OPA2277UA/2K5铜互连工艺具有减少工艺步骤20%~30%的...[全文]
- 接触窗薄膜工艺 2017/10/23 20:37:55 2017/10/23 20:37:55
- 接触窗(contactwindow)由两部分构成,一部分是作为黏合层的Tl/TiN(gluelayer),OPA177GS/2K5另一部分是接触孔的填充物钨栓(Wplug)。主要目标是在不出现填...[全文]
- 与传统的PVD相比较,ALPs主要有三个方面的改进以增强台阶覆盖率和降低不对称性2017/10/23 20:36:30 2017/10/23 20:36:30
- 与传统的PVD相比较,ALPs主要有三个方面的改进以增强台阶覆盖率和降低不对称性。OPA129UB(1)增加硅片和靶材之间的距离(lo呷through),使从靶材上溅射出来的大角度...[全文]
- 镍铂合金沉积2017/10/23 20:34:30 2017/10/23 20:34:30
- 当集成电路技术发展到65nm以下时,必须使用Nisi1icide。但如果使用纯镍的薄膜作为形成silicide的金属,由于镍原子的扩散能力很强,则会在源漏极上出现如图6.12所示的侵蚀(encr...[全文]
- sCoNl反应腔的结构2017/10/23 20:29:56 2017/10/23 20:29:56
- pedestal等主要部件。remoteplasma产生器的主要作用是将NF3和NH3的混合气体在plasma作用下生成活性粒子。l・otshowerhead的温度为180℃左右,...[全文]
- HKMG(高七介质层+金属栅极)整合工艺2017/10/22 11:24:22 2017/10/22 11:24:22
- HKMG(高七介质层+金属栅极)整合工艺目前在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内主要存在两大各自固执己见的不同阵营,TC74HC4075AP分别是以IBM为代表的gatefir...[全文]
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