- 直流电流测量2017/12/28 21:37:05 2017/12/28 21:37:05
- 直流电流测量原理是借助分流电阻将200mV的直流电压表改成5量程的直流电流表,取样电阻将输入电流转换为一0.199~+0,199V之间的电压后送入7106输入端,K4B1G0846E-HCH9当...[全文]
- 双积分A/D转换器2017/12/28 21:26:58 2017/12/28 21:26:58
- A/D转换器的每一个测量过程分为自动稳零(Az)、信号积分(INT)和反向积分(DE)三个阶段。K4D263238I-VC50(1)自动稳零阶段:通过电路内部的模拟开关,使IN+、...[全文]
- 积分器和比较器的反相输入端,接自动稳零电容α2017/12/28 21:21:33 2017/12/28 21:21:33
- >元件或石英晶体振荡器,这里的万用表采用了150kΩ和100pF的阻容元件(R1、C1)。K4D261638K-LC50TPOL(刃脚):为负数指示信号,当输入信号为负值时该段亮,...[全文]
- DTgsOB数字式万用表的各单元电路原理 2017/12/28 21:17:12 2017/12/28 21:17:12
- A/D转换器7106的主要引脚功能K4B1G1646E-HCH9DT830B所用的A/D转换器采用COB封装,内有异或门输出,能直接驱动LCD显示,使用一节9V电池供电,耗电极省,...[全文]
- 结型场效应管的性能测量2017/12/15 21:25:55 2017/12/15 21:25:55
- 将万用表拨在R×lk或R×100挡上,测P型沟道时,将红表笔接源极(S)或漏极(D),黑表笔接栅极(G),测出的电阻值应很大,交换表笔测量,阻值应该很小,H27U4G8F2DTR-BC由此表明管...[全文]
- 结构设计主要是根据电路原理图和元器件性能2017/12/10 11:16:57 2017/12/10 11:16:57
- 结构设计主要是根据电路原理图和元器件性能、尺寸等参数指标,并考虑影响整机性能正常发挥的各种因素,M25P16-VMF6P合理布置元器件、组件和结构在其产品内的具体空间位置的综合方案。...[全文]
- 加工模块之间任何存储设施2017/12/5 20:51:40 2017/12/5 20:51:40
- (l)加工模块之间任何存储设施,机械手必须运输走前一个晶圆后才能装载下一个晶圆,NCP1271D65R2G加工模块为单晶圆加工设备,每次仅能加工一片晶圆。(2)晶圆在加工模块的停留...[全文]
- 若缓缓旋转“给定”电位器,2017/12/4 21:42:03 2017/12/4 21:42:03
- 若缓缓旋转“给定”电位器,直流电流超过100A仍未有中频叫声,则可将互感器(LH5)的引线端(“1"”、“112”)对调或变压器(B2)次级端引线(“I10”、“H1”)对调,SER1408-3...[全文]
- 整数规划2017/11/30 21:11:13 2017/11/30 21:11:13
- 在线性规划问题中,最优解有可能是小数。对于某些具体问题,常常要求解必须是整数,FBMH1608HL471-T如加工的晶圆数目、占用的设备数等。此时,这类线性规划问题称为整数规划(IntcgerP...[全文]
- 样品表面电位差引起的电压衬度2017/11/15 20:50:52 2017/11/15 20:50:52
- 除了与人射能量有关外,还与二次电子束与试样表面法向夹角有关,三者之间满足以下关系。可见,T05-007D人射电子束与试样夹角越大,二次电子产额也越大。这是因为随角的增加人射电子束在样品表层范围内...[全文]
- 半破坏性分析2017/11/13 20:26:31 2017/11/13 20:26:31
- 在器件外部实施了相应的非破坏性分析后,便可以进行半破坏性分析。主要包括:SI9979DS(1)开封:电子器件两类常用的开封方法是机械方法和化学方法。半破坏分析常用化学方法中的自动(...[全文]
- 主流铜研磨液的主要成分及作用2017/11/11 17:44:29 2017/11/11 17:44:29
- 对于前两步铜抛光所用研磨液的基本要求是:较高的去除速率、平坦化能力、对阻挡Q1900C-1N层和介质层较高的选择性以及抗腐蚀和缺陷控制能力等。铜抛光研磨液分为酸性、中性和碱性三种,其中的研磨颗粒...[全文]
- 主电路的构成2017/11/3 22:18:08 2017/11/3 22:18:08
- 部分机械在运行过程中是不允许停机的，如中央空调系统的冷却水泵、锅炉的GLF1608T100M鼓风机和引风机等。正对这些机械的要求，在“变频运行”过程中，一旦变频器因故障而跳闸时，必须能够自动地切...[全文]
- 污染和温度控制分系统2017/10/30 21:12:26 2017/10/30 21:12:26
- 污染和温度控制分系统主要是控制镜头内部的沾污和温度。镜头的洁净度和温度都是由气体净化系统控制的.U2321B气体净化系统中的气体起到热交换的作用。镜头在曝光时会被紫外激光不时地加热,而镜头的冷却...[全文]
- 铜化学电镀2017/10/24 20:01:16 2017/10/24 20:01:16
- 铜化学电镀包括两个过程,XC17512LJI化学过程和电学过程。其基本原理为:将长有阻挡层和铜种子层的硅片作为阴极浸人硫酸铜溶液中,用于补充溶液中铜离子的铜块作为阳极预先放人镀液中,在外加直流电...[全文]
- 低压化学气相淀积2017/10/15 17:41:05 2017/10/15 17:41:05
- 低压化学气相淀积(LowPre~smreCX/△D,LPCⅥD是在APC`0之后出现的又一种以热激活方式淀积薄膜的C、0工艺方法。通常LPC`①的反应室气压在1~100h之间调节,PIC12F5...[全文]
- 存储器制造流程2017/10/14 10:54:14 2017/10/14 10:54:14
- CM(B逻辑电路的制造技术是超大规模集成电路(VIsI)半导体工业的基础。R1EX24128BSAS0I在3.1节将会描述现代CMOS逻辑制造流程,用以制造NMOS和PM(E晶体管。现今,典型的...[全文]
- 无结场效应晶体管器件制作2017/10/12 20:53:22 2017/10/12 20:53:22
- 2010年,爱尔兰T”山ll国家研究所的J,P。Colinge等人成功研制了三栅无结场效应晶体管,PAM2310器件结构如图1.15所示「36]。从此,半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热...[全文]
- 进一步改善了器件对短沟道效应的控制2017/10/11 22:14:02 2017/10/11 22:14:02
- 在14nm节点,由于FinFET鳍的宽度只有5nm左右,沟道宽度的变化可能会导致不良的V1以及驱动电流的变化等。OB3330CPA采用全包围栅(GateAl⒈AroundRcctangular...[全文]
- 这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移2017/10/11 21:49:04 2017/10/11 21:49:04
- 在空间电荷区形成后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内建电场,OB2279CPA-T其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,将阻止载...[全文]
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