- 热风整平工艺技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 摘 要：热风整平技术是目前应用较为成熟的技术，但因为其工艺 处于一个高温高压的动态环境中，品质难以控制稳定。我公司专业从事生产销售助焊剂，在接触其工艺的过程中，积累了一些经验...[全文]
- 电磁兼容(EMC)设计如何融入产品研发流程2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 一、业界面临挑战 如何使自己的产品满足相应市场中电磁兼容（emc）标准要求，从而快速低成本的取得相关认证，顺利的进入目标市场？这是每一个向国际化转型公司研发都会面临的问题与困...[全文]
- 几种贴片设备贴装效率的比较2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 烽火通信股份有限公司 鲜飞 随着表面贴装技术的迅速发展，贴片机在我国电子组装行业中的应用越来越广泛。面对型号众多的贴片机如何选型，仍是一个复杂而艰难的工作。本文着重比较了...[全文]
- ESD 101：保护元件、保护利润2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 从地毯上走过，抓住门的把手，火花产生了。这个现象就是人们所知的静电放电(esd, electrostatic discharge)。远远低于人类所能感觉的静电可能毁坏今...[全文]
- 如何快速提高产品良率2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 摘要：现在的良率（yield）管理方法可以比过去达到更高的良率水平以及更快地实现稳定的生产。将来新的管理方法一定能够达到更高的水平，而且成本更低。 现在的半导体制造...[全文]
- 电介质刻蚀面临材料和工艺的选择2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精...[全文]
- 帮助实现光电器件硅材料化的类晶体管调节器2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 作者:peter singer，semiconductor international主编 最近，intel公司的科学家们取得了一项重要的研究进展。他们采用硅制造工艺制作...[全文]
- 噪声与低噪声设计的探讨2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 这是一篇由两部分组成的连载文章的第一部分，介绍了一些基本概念，以便于你着手考虑低噪声设计。 要点 ● 要将器件噪声、失真和干扰信号区分开来。它们各有自己的来源、预防措...[全文]
- ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- ulsi多层铜布线钽阻挡层及其cmp抛光液的优化--摘自.semiait. 摘要：分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题，根据铜钽在氧化剂存在的情况下，抛光速率对ph值的不同变化...[全文]
- 80nm应用中的高数位孔径，双载具93nm TWINSCAN 扫描分步投影机2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 程天风（asml 阿斯麦光刻设备有限公司）摘要：针对次100nm的生产,asml 研发了一个新光刻系统,其中克服了许多底k1解晰度的挑战。其中包含0.85na双载具193nm...[全文]
- ASML lithography: 目前世界上最先进的光刻机2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- twinscan™ xt:1700ithe xt:1700i with hydrolith immersion technology delivers the w...[全文]
- 化学放大胶在电子束光刻技术中的应用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 田丰，韩立，杨忠山（中国科学院电工研究所，北京 100080）摘要：化学放大胶（chemically amplified resists,简称cars)是下一代光刻技术中极具...[全文]
- IH工艺的发展及应用2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 孔祥东，张玉林，尹明（山东大学控制学院电子束研究所，山东 济南 250061）摘要：介绍了ih系列立体光刻技术。使用该系列技术可以加工出具有高深宽比和复杂曲面的各种微结构，可...[全文]
- 光刻胶等效扩散长度对0.13um工艺窗口的影响2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （上海华虹nec电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下...[全文]
- 量子效应器件正在崛起2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (无锡市罗特电子有限公州，江苏 无锡 214002)摘 要：本文介绍了量子效应器件的定义、分类、特点、工作原理、特性、制造方法和应用。还介绍了国内研制量子效应器件的动态和成果...[全文]
- 聚焦离子束曝光技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （1、中国科学院电工研究所，北京100080；2、中国科学院研究生院 北京100039） 摘要：聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程...[全文]
- 限散射角电子束光刻技术及其应用前景2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （江苏大学电气信息工程学院，江苏 镇江 212013）摘 要：在下一代光刻（ngl）技术中，限散射角电子束光刻（scalpel）技术工艺简单、成本较低，因此是集成电路生产厂家...[全文]
- IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- (电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054)摘 要：主要针对光刻对准特性，从单项工艺和工艺集成的角度，分析了影响光刻对准的各个主要因素，主要包括对准标记、工艺...[全文]
- 微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 来五星，轩建平，史铁林，杨叔子（华中科技大学微系统中心，武汉 430074）摘要：在mems微加工和实验过程过程中，出于制造成本、光刻胶性能的考虑，需要选用合适的光刻胶。本文...[全文]
- 掩膜制造业回顾与展望2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- mask making industry：review and projection■美国etec系统公司集成电路产业的发展要延续以往的增长速度，技术上将经受严峻的挑战。当然...[全文]
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