- 半导体硅片SC-2清洗技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经sc-1洗后虽能去除cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着...[全文]
- 半导体硅片DHF清洗技术2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- a. 在dhf洗时，可将由于用sc-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而si几乎不被腐蚀。b. 硅片最外层的si几乎是以 h 键为终端结构，表面呈疏水性。c. ...[全文]
- 半导体硅片的化学清洗技术-硅片的化学清洗工艺原理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： a. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 b. ...[全文]
- 光掩膜(mask)资料整理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- author:nfmao from: china layout 本文将收集涉及光掩膜从材料到检测的一些资料，进行整理和粗略的概括。 ...[全文]
- 光子晶体简介2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 摘要 :本文阐述了光子晶体的基本原理，在光子晶体中是由光的折射率指数的周期性变化产生了光子带隙结构，从而由光子带隙结构控制着光在光子晶体中的运动。还介绍了一些光子晶体的制作方...[全文]
- 加工硅晶片2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 生成一个硅锭要花一周到一个月的时间，这取决于很多因素，包括大小、质量和终端用户要求。超过 75%的单晶硅晶圆片都是通过 czochralski (cz) 方法生长的...[全文]
- 什么是硅晶片2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，其次是氧元素，硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建...[全文]
- 中国MEMS研究与开发进程2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 王立鼎大连理工大学微系统研究中心 大连 116023微机电系统(micro electro mechanical systems)是80年代发展起来的新兴交叉学科，其系统包括能源、微驱动器、...[全文]
- 21世纪硅微电子技术展望2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- （王阳元 院士） 微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。21世纪，微电子技术...[全文]
- 薄膜的键合应力2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 当键合硅片的一个硅片（有源层）减薄时，因为厚衬底的应力会释放，所以薄的硅片要进一步变形，如果键合硅片被减到足够的薄，衬底的应力几乎完全释放，薄膜就会在垂直方向再变形。由于薄膜...[全文]
- 键合应力的基本模型2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 抛光硅片的表面或热氧化硅片的表面并不是理想的镜面，至少在微观尺寸总是有一定的起伏和表面粗糙度。硅片的表面的起伏没有规则，为了便于研究硅片表面形貌对键合应力的影响，对硅片的表...[全文]
- 硅-硅直接键合的界面应力2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时因表面起伏引起的弹性应力、高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力、以及由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化...[全文]
- 界面本征氧化层对杂质分布的影响2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 根据§3.1.2界面氧化层模型给出的非化学计量比的siow给出的杂质扩散系数d(w)和分凝系数m(w)，把它们带入§3.1.4硅-硅直接键合杂质分布模型，可以得出通过...[全文]
- 杂质分布的计算模拟2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 至此，ⅰ区杂质as在ⅰ、ⅱ、ⅲ区中的浓度分布 c1(x,t)、c2(x,t)、c3(x,t)均已求出。同理，可以得到ⅲ区低浓度杂质在ⅲ、ⅱ、ⅰ区中的分布c4(x,t)、c5(...[全文]
- 硅-硅直接键合杂质分布模型2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 硅-硅直接键合杂质分布模型 在键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先对硅片进行表面处理，使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附oh集团，界面上的羟基（－o...[全文]
- 杂质通过SiO2扩散模型的修正2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 为了说明杂质在两种材料的界面的扩散的过程，首先研究两个半无限的sio2和si在界面处的扩散，如图图3.3所示。假设杂质在sio2中均匀分布，初始浓度为n0，在si...[全文]
- 杂质通过SiO2扩散模型2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 为了说明清楚杂质通过二氧化硅扩散的问题，我们仅用最简单的情况说明。假设二氧化硅的表面浓度为恒定不变的预淀积过程，并且扩散的初始条件为二氧化硅和硅中的杂质浓度为0...[全文]
- 氧化层模型研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在硅-硅键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先要对硅片进行表面亲水处理，使表面吸附oh集团，两硅片相接触产生氢键而互相吸引。表面处理使硅片的表面形成了一...[全文]
- 杂质扩散模型2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 按照杂质在硅晶体中的位置的不同，杂质可以分为两类：替位型杂质和填隙型杂质。替位型杂质原子在晶体中移动时，它必须有足够的能量来克服它所处的陷阱。对于图3.1(a)所示的直接...[全文]
- 用力来表征的测量方法2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 用力来表征键合强度的测量方法主要是直拉法，直拉法(tensile/shear test) 是用拉开键合片的最大拉力来表示的，因为拉开键合片的力变化过程并不能测出，所以不能用...[全文]
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